DRV8340-Q1 器件是一款用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用的源極和漏極引腳支持獨立的 MOSFET 控制，用于螺線管應(yīng)用。DRV8340-Q1 使用足以用于高側(cè) MOSFET 的集成電荷泵和用于低側(cè) MOSFET 的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 源極和 2A 的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8340-Q1 可采用單個電源供電，并支持柵極驅(qū)動器的 5.5 至 60 V 寬輸入電源范圍。
*附件：drv8340-q1.pdf

6x、3x、1x 和獨立輸入 PWM 模式允許與控制器電路進(jìn)行簡單接口。柵極驅(qū)動器和器件的配置設(shè)置可通過 SPI 或硬件 （H/W） 接口進(jìn)行高度配置。

提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。為欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET過流、MOSFET短路、相節(jié)點電源和接地短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱提供內(nèi)部保護(hù)功能。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 溫度等級 1：–40°C ≤ T 一個 ≤ 125°C
• 三個獨立的半橋柵極驅(qū)動器
  • 專用源極 （SHx） 和漏極 （DLx） 引腳，支持獨立的 MOSFET 控制
  • 驅(qū)動 3 個高側(cè)和 3 個低側(cè) N 溝道 MOSFET （NMOS）
• 智能門驅(qū)動架構(gòu)
  • 可調(diào)節(jié)的壓擺率控制
  • 1.5mA 至 1A 峰值源電流
  • 3mA 至 2A 峰值灌電流
• 柵極驅(qū)動器電荷泵，實現(xiàn) 100% 占空比
• 提供SPI（S）和硬件（H）接口
• 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 電荷泵輸出可用于驅(qū)動反向電源保護(hù)MOSFET
• 線性穩(wěn)壓器，3.3 V，30 mA
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 電池短路 （SHT_BAT）
  • 對地短路 （SHT_GND）
  • MOSFET 過流保護(hù) （OCP）
  • 柵極驅(qū)動器故障 （GDF）
  • 熱警告和關(guān)斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8340-Q1 是德州儀器（TI）推出的12V/24V汽車級三半橋柵極驅(qū)動芯片，專為BLDC/BDC電機(jī)控制設(shè)計，符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)（-40°C至125°C）。其核心特性包括：

• ?獨立半橋控制?：支持3路高邊和低邊N溝道MOSFET驅(qū)動，每路配備專用源極（SHx）和漏極（DLx）引腳。
• ?智能柵極驅(qū)動架構(gòu)?：可調(diào)壓擺率控制（1.5mA至1A源電流，3mA至2A灌電流），集成電荷泵支持100%占空比。
• ?多種接口模式?：提供SPI（S版）和硬件（H版）配置選項，支持6x/3x/1x PWM及獨立MOSFET驅(qū)動模式。
• ?集成保護(hù)功能?：包括欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵故障（CPUV）、MOSFET過流（OCP）、柵極故障（GDF）及熱關(guān)斷（OTSD）等。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電源管理?：5.5V至60V寬輸入范圍，集成3.3V/30mA線性穩(wěn)壓器（DVDD）。
• ?驅(qū)動能力?：峰值驅(qū)動電流達(dá)1A（源）/2A（灌），支持動態(tài)IDRIVE調(diào)整以優(yōu)化MOSFET開關(guān)損耗。
• ?診斷功能?：開路負(fù)載檢測（OLP/OLA）、離線短路診斷（SHT_BAT/SHT_GND），故障狀態(tài)通過nFAULT引腳或SPI寄存器反饋。
• ?封裝?：48引腳HTQFP（7mm×7mm），帶裸露散熱焊盤。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?汽車電機(jī)控制?：風(fēng)扇、燃油泵、水泵、電磁閥驅(qū)動等。
• ?三相驅(qū)動拓?fù)?/strong>?：支持BLDC/BDC電機(jī)模塊，兼容霍爾傳感器或無傳感器控制。

?4. 功能模塊詳解?

• ?柵極驅(qū)動?：電荷泵為高邊MOSFET提供偏置電壓，低邊由線性穩(wěn)壓器供電，支持可調(diào)死區(qū)時間（tDEAD）和強(qiáng)下拉（ISTRONG）防寄生導(dǎo)通。
• ?保護(hù)機(jī)制?：VDS監(jiān)測實現(xiàn)逐周期過流保護(hù)，可配置為鎖存、自動重試或僅報告模式。
• ?SPI配置?（僅S版）：16位寄存器可編程驅(qū)動參數(shù)、保護(hù)閾值及故障處理策略。

?5. 設(shè)計注意事項?

• ?布局建議?：優(yōu)先縮短高/低側(cè)驅(qū)動回路，VM引腳需就近放置低ESR電容（推薦0.1μF+4.7μF+10μF）。
• ?熱管理?：RθJA為26.5°C/W，需確保PCB散熱設(shè)計滿足結(jié)溫要求。
• ?典型應(yīng)用電路?：需外接飛跨電容（CPH-CPL）、VCP旁路電容及柵極電阻（可選）。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊包含引腳定義、電氣特性、時序圖、寄存器映射及典型應(yīng)用電路，附錄提供機(jī)械封裝尺寸和訂購信息。