DRV8343-Q1 器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用的源極和漏極引腳支持獨(dú)立的 MOSFET 控制，用于螺線管應(yīng)用。DRV8343-Q1 使用足以用于高側(cè) MOSFET 的集成電荷泵和用于低側(cè) MOSFET 的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 1A 源極和 2A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流。DRV8343-Q1 可采用單個(gè)電源供電，并支持柵極驅(qū)動(dòng)器的 5.5 至 60 V 寬輸入電源范圍。
*附件：drv8343-q1.pdf

6x、3x、1x 和獨(dú)立輸入 PWM 模式允許與控制器電路進(jìn)行簡(jiǎn)單接口。柵極驅(qū)動(dòng)器和器件的配置設(shè)置可通過(guò) SPI 或硬件 （H/W） 接口進(jìn)行高度配置。DRV8343-Q1器件集成了三個(gè)低側(cè)電流檢測(cè)放大器，允許在驅(qū)動(dòng)級(jí)的所有三相上進(jìn)行雙向電流檢測(cè)。

提供低功耗睡眠模式以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。為欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET過(guò)流、MOSFET短路、相節(jié)點(diǎn)電源和接地短路、柵極驅(qū)動(dòng)器故障和過(guò)熱提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障情況通過(guò)SPI器件變體的器件寄存器在nFAULT引腳上指示，并具有詳細(xì)信息。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 溫度等級(jí) 1：–40°C ≤ T 一個(gè) ≤ 125°C
• 三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 專用源極 （SHx） 和漏極 （DLx） 引腳，支持獨(dú)立的 MOSFET 控制
  • 驅(qū)動(dòng) 3 個(gè)高側(cè)和 3 個(gè)低側(cè) N 溝道 MOSFET （NMOS）
• 智能門驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
  • 可調(diào)節(jié)的壓擺率控制
  • 1.5mA 至 1A 峰值源電流
  • 3mA 至 2A 峰值灌電流
• 柵極驅(qū)動(dòng)器電荷泵，實(shí)現(xiàn) 100% 占空比
• 3 集成電流檢測(cè)放大器 （CSA）
  • 可調(diào)增益 （5、10、20、40 V/V）
  • 雙向或單向支持
• 提供SPI（S）和硬件（H）接口
• 6x、3x、1x 和獨(dú)立 PWM 模式
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 電荷泵輸出可用于驅(qū)動(dòng)反向電源保護(hù)MOSFET
• 線性穩(wěn)壓器，3.3 V，30 mA
• 集成保護(hù)功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 電池短路 （SHT_BAT）
  • 對(duì)地短路 （SHT_GND）
  • MOSFET 過(guò)流保護(hù) （OCP）
  • 柵極驅(qū)動(dòng)器故障 （GDF）
  • 熱警告和關(guān)斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態(tài)指示器 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8343-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)單元（GDU），專為12V/24V汽車電機(jī)控制設(shè)計(jì)，具有以下核心特性：

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：支持-40°C至125°C工作溫度。
• ?集成三路半橋驅(qū)動(dòng)?：獨(dú)立控制高/低側(cè)N溝道MOSFET，支持峰值1A源電流和2A灌電流。
• ?智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：可調(diào)壓擺率控制，支持動(dòng)態(tài)柵極電流調(diào)整（1.5mA至2A范圍）。
• ?集成電流檢測(cè)放大器?：3路低側(cè)雙向電流檢測(cè)，增益可調(diào)（5/10/20/40 V/V）。
• ?多重保護(hù)機(jī)制?：包括欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵故障（CPUV）、MOSFET過(guò)流保護(hù)（OCP）及熱關(guān)斷（OTSD）。

?2. 核心功能模塊?

• ?控制模式?：支持8種PWM輸入模式（6x/3x/1x PWM、獨(dú)立半橋/獨(dú)立MOSFET模式），兼容BLDC/BDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
• ?電流檢測(cè)?：
  • ?雙向模式?：SOx輸出與VREF/2對(duì)稱，支持正反向電流檢測(cè)。
  • ?MOSFET VDS模式?（僅SPI版本）：通過(guò)DLx引腳檢測(cè)MOSFET導(dǎo)通壓降，無(wú)需外部分流電阻。
• ?保護(hù)功能?：| ?故障類型? | ?觸發(fā)條件? | ?響應(yīng)措施? |
  | ------------------------ | ------------------------ | ----------------------------- |
  | VDS過(guò)流（OCP） | VDS > VVDS_OCP閾值 | 自動(dòng)重試/鎖存關(guān)閉（可配置） |
  | 熱關(guān)斷（OTSD） | TJ > 170°C（典型） | 自動(dòng)恢復(fù)（降至160°C以下） |
  | 開環(huán)檢測(cè)（OLD） | 負(fù)載斷開 | 通過(guò)nFAULT引腳報(bào)告 |

?3. 典型應(yīng)用?

• ?汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：燃油泵、散熱風(fēng)扇、BLDC電機(jī)模塊。
• ?保護(hù)電路設(shè)計(jì)?：
  • ?VDS監(jiān)控?：通過(guò)外部MOSFET的RDS(on)實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)（例：100A電流需VVDS_OCP > 0.288V）。
  • ?柵極驅(qū)動(dòng)配置?：根據(jù)MOSFET的Qgd選擇IDRIVE（例：14nC Qgd需IDRIVEP ≥ 14mA）。

?4. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?電源管理?：
  • 工作電壓：5.5V至60V（支持12V/24V系統(tǒng)）。
  • 電荷泵輸出（VCP）：8.4V至12.5V（VM=24V時(shí)）。
• ?SPI編程?（僅SPI版本）：
  • 可配置死區(qū)時(shí)間（500ns至4000ns）、故障重試時(shí)間（2ms至8ms）。
  • 寄存器映射包含14個(gè)控制寄存器，支持實(shí)時(shí)診斷數(shù)據(jù)讀取。

?5. 布局與熱管理?

• ?封裝?：48引腳HTQFP（7mm×7mm），熱阻RθJA=26.5°C/W。
• ?PCB設(shè)計(jì)建議?：
  • VM引腳就近放置低ESR電容（0.1μF+4.7μF）。
  • 電流檢測(cè)走線需采用開爾文連接以減少誤差。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊(cè)包含引腳定義、電氣特性、時(shí)序圖、典型應(yīng)用電路及SPI寄存器詳解，附錄提供熱性能曲線和布局示例。