DRV8832-Q1 器件為電池供電的玩具、打印機和其他低壓或電池供電的運動控制應用提供集成電機驅動器解決方案。該器件具有一個 H 橋驅動器,可以驅動一個直流電機或步進電機的一個繞組,以及螺線管等其他負載。輸出驅動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET 組成,以驅動電機繞組。
DRV8832-Q1 具有足夠的 PCB 散熱器,可提供高達 1A 的 DC/RMS 或峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 2.75 V 至 6.8 V。
*附件:drv8832-q1.pdf
為了在不同的電池電壓下保持恒定的電機速度,同時保持較長的電池壽命,提供了一種PWM電壓調節(jié)方法。輸入引腳允許對穩(wěn)壓電壓進行編程。還提供內置基準電壓源輸出。
提供過流保護、短路保護、欠壓鎖定和過溫保護的內部保護功能。
DRV8832-Q1 還提供電流限制功能,用于在電機啟動或失速等情況下調節(jié)電機電流,以及故障輸出引腳,用于向主機處理器發(fā)出故障狀態(tài)信號。
DRV8832-Q1 采用微型 3 mm x 3 mm 10 引腳 MSOP 封裝,帶 PowerPAD?(環(huán)保:RoHS 和無 Sb/Br)。
特性
- 符合汽車應用標準
- AEC-Q100 符合以下標準:
- 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 設備 HBM ESD 分類等級 H2
- 設備 CDM ESD 分類級別 C4B
- H橋壓控電機驅動器
- 驅動直流電機、步進電機的一個繞組或其他執(zhí)行器/負載
- 高效的PWM電壓控制,可在不同的電源電壓下實現恒定電機速度
- 低 MOSFET 導通電阻:
HS + LS 450 mΩ
- 1A 最大 DC/RMS 或峰值驅動電流
- 2.75V 至 6.8V 工作電源電壓范圍
- 300nA(典型值)睡眠模式電流
- 參考電壓輸出
- 限流電路
- 故障輸出
- 熱增強型表面貼裝封裝
參數

方框圖

?1. 核心特性?
- ?驅動能力?:
- 單H橋設計,支持直流電機、步進電機單繞組或其他感性負載驅動
- 工作電壓范圍:2.75V至6.8V,峰值輸出電流1.3A
- 低MOSFET導通電阻(HS+LS合計450mΩ)
- ?控制特性?:
- PWM電壓調節(jié)技術,支持電池供電場景下的恒定轉速控制
- 內置200mV電流限制功能(通過外部電阻可調)
- 支持睡眠模式(典型待機電流300nA)
- ?保護機制?:
- 過流保護(OCP)、熱關斷(TSD)、欠壓鎖定(UVLO)
- 故障指示引腳(FAULTn)
?2. 關鍵功能模塊?
?H橋控制邏輯?:
IN1 IN2 功能 0 0 睡眠/高阻態(tài) 0 1 反向驅動 1 0 正向驅動 1 1 制動 ?電壓調節(jié)系統(tǒng)?:
?電流限制?:
- 計算公式:
R_ISENSE = 0.2V / I_LIMIT - 持續(xù)275ms過流觸發(fā)FAULTn報警
- 計算公式:
?3. 典型應用設計?
- ?電機驅動電路?:
- ?參數配置示例?:
目標電流限制0.9A→RISENSE=0.2V/0.9A≈0.22Ω目標電機電壓3V→VSET=(3V/4)=0.75V(需電阻分壓)**目標電流限制**0.9**A**→**R**I**?**SENSE**=**0.2**V**/0.9**A**≈**0.22Ω**目標電機電壓**3**V**→**V**SET**=**(**3**V**/4**)**=**0.75**V**(需電阻分壓)**
?4. 封裝與性能?
- ?MSOP-PowerPAD(DGQ)封裝?:
- 尺寸:3mm×3mm×1.1mm
- 引腳配置: textCopy Code
1-OUT2 2-ISENSE 3-OUT1 4-VCC 5-GND 6-FAULTn 7-VSET 8-VREF 9-IN1 10-IN2 (底部散熱焊盤)
- ?電氣特性?:
- 效率:典型90%@VCC=5V, IOUT=500mA
- PWM頻率:44.5kHz(典型值)
?5. 設計注意事項?
-
MOSFET
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