chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體崛起催生封裝材料革命:五大陶瓷基板誰主沉???

efans_64070792 ? 來源:efans_64070792 ? 作者:efans_64070792 ? 2025-10-22 18:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新能源汽車、5G通信人工智能的推動下,功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性,對封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度,又要確保信號完整性。傳統(tǒng)有機(jī)基板已難堪重任,先進(jìn)陶瓷材料正在這一領(lǐng)域展開激烈角逐,下面深圳金瑞欣小編來為大家講解一下:

wKgZO2j4rjeAJ-YpAADHOXFDPa4749.jpg

一、五大陶瓷基板性能大比拼

氧化鋁:廉頗老矣,尚能飯否?

作為應(yīng)用最廣的陶瓷基板,氧化鋁以成本優(yōu)勢(僅為氮化鋁的1/5)占據(jù)中低端市場。但其24W/(m·K)的熱導(dǎo)率已成致命傷。最新研究表明,通過添加30%納米金剛石顆粒,其導(dǎo)熱性能可提升至45W/(m·K),這或許能為這位"老將"續(xù)命。

氧化鈹:被封印的"性能怪獸"

310W/(m·K)的熱導(dǎo)率至今無人能敵,但劇毒性使其應(yīng)用范圍被嚴(yán)格限制。有趣的是,在火星探測器電源模塊中,NASA仍在使用氧化鈹基板——在太空環(huán)境中,毒性不再是問題。

碳化硅:高溫工作者的專屬選擇

在200℃以上高溫環(huán)境,碳化硅的導(dǎo)熱性能反而會提升15%。這讓它成為地?zé)岚l(fā)電、航天器動力系統(tǒng)的理想選擇。但40的高介電常數(shù)使其在5G毫米波應(yīng)用中黯然退場。

氮化鋁:全能選手的突圍戰(zhàn)

200W/(m·K)以上的熱導(dǎo)率,4.6×10??/K的熱膨脹系數(shù),這些數(shù)據(jù)都堪稱完美。國內(nèi)企業(yè)通過激光輔助燒結(jié)技術(shù),已能將生產(chǎn)成本降低40%。華為最新的5G基站功放模塊就采用了國產(chǎn)氮化鋁基板。

氮化硅:后來居上的黑馬

日本東芝最新研發(fā)的氮化硅基板,不僅熱導(dǎo)率達(dá)到177W/(m·K),其抗彎強(qiáng)度更是高達(dá)1000MPa。特斯拉最新一代電驅(qū)系統(tǒng)就采用了這種"既硬又導(dǎo)熱"的神奇材料。

二、前沿技術(shù)突破盤點

材料復(fù)合化

中科院最新開發(fā)的AlN-SiC梯度復(fù)合材料,在保持180W/(m·K)熱導(dǎo)率的同時,將介電常數(shù)控制在15以下,完美解決了散熱與信號損耗的矛盾。

結(jié)構(gòu)創(chuàng)新

美國Raytheon公司研發(fā)的3D蜂窩狀氮化硅結(jié)構(gòu),使基板表面積增加300%,散熱效率提升2倍。這種設(shè)計已應(yīng)用于F-35戰(zhàn)斗機(jī)的航電系統(tǒng)。

制造工藝革新

國內(nèi)金瑞欣科技采用的選區(qū)激光熔化(SLM)技術(shù),可實現(xiàn)10μm精度的微通道加工,使液體冷卻效率提升50%。

三、市場格局與國產(chǎn)機(jī)遇

全球陶瓷基板市場正以8.1%的年增速擴(kuò)張,到2031年將突破360億元。在這個賽道上:

日本仍占據(jù)高端市場半壁江山,京瓷的納米級氮化鋁鍍膜技術(shù)獨步全球

美國在軍工領(lǐng)域保持領(lǐng)先,CoorsTek為F-22提供特種陶瓷部件

中國正在實現(xiàn)彎道超車:

天岳先進(jìn)的8英寸SiC襯底良品率達(dá)90%

珂瑪科技的氮化硅基板已通過比亞迪車載認(rèn)證

四、未來展望:新材料呼之欲出

金剛石基板

實驗室制備的金剛石基板熱導(dǎo)率已達(dá)2000W/(m·K),元素六公司預(yù)計2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。

二維材料復(fù)合

石墨烯-氮化鋁復(fù)合基板在10GHz頻率下,信號損耗降低70%,這可能是6G通信的終極解決方案。

智能熱管理材料

MIT正在研發(fā)的相變調(diào)溫陶瓷,能根據(jù)芯片溫度自動調(diào)節(jié)熱導(dǎo)率,這將徹底改寫散熱設(shè)計規(guī)則。

在這場陶瓷基板的競賽中,沒有永遠(yuǎn)的贏家。隨著量子計算、太赫茲通信等新技術(shù)的涌現(xiàn),材料創(chuàng)新永無止境。中國企業(yè)若能把握住第三代半導(dǎo)體發(fā)展的窗口期,完全有機(jī)會在高端封裝材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從跟跑到領(lǐng)跑的跨越.金瑞欣擁有十年pcb行業(yè)經(jīng)驗,四年多陶瓷電路板制作經(jīng)驗。為企業(yè)提供高精密單、雙面陶瓷電路板,多層陶瓷電路板定制生產(chǎn),若您有相關(guān)需求,歡迎與我們聯(lián)系,我們將竭誠為您服務(wù)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 陶瓷基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    261

    瀏覽量

    12329
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時,數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆,也給第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?2.8w次閱讀
    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點2024年全球<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)十大事件

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?687次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>市場開拓領(lǐng)航獎

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?232次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1213次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?356次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?436次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?521次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?863次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1742次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?632次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?651次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點。本文將重點探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述(一)定義與分類
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1524次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件<b class='flag-5'>封裝</b>:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    中國成功在太空驗證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

    近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級注入強(qiáng)大動力。 2024年11
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:30 ?1235次閱讀

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1175次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?993次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對防震基座需求前景?