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AMC130M02 隔離式 ΔΣ ADC 技術(shù)總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-28 10:14 ? 次閱讀
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該AMC130M02是一款精密、雙通道、數(shù)據(jù)和電源隔離、同步采樣、16位、增量σ(ΔΣ)、模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)。該AMC130M02提供寬動態(tài)范圍、低功耗和能量測量特定功能,專為電能計量和功率計量應(yīng)用而設(shè)計。由于該器件具有高輸入阻抗,ADC輸入可以直接連接到電阻-分壓器網(wǎng)絡(luò)或分流電流傳感器。
*附件:amc130m02.pdf

該AMC130M02具有完全集成的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器,允許從器件的低端進行單電源作。增強型電容隔離柵已通過 VDE 0884-17 和 UL1577 認證。該隔離柵將系統(tǒng)中在不同共模電壓電平下運行的部件分開,并保護低壓部件免受損壞,使該AMC130M02成為使用并聯(lián)電流傳感器的多相電能計量應(yīng)用的絕佳選擇。

特性

  • 兩個隔離式同步采樣ΔΣ ADC,帶差分輸入
  • 單電源作(3.3 V 或 5 V),集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
  • 低 EMI:符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
  • 編程數(shù)據(jù)速率高達 64 kSPS
  • 可編程增益高達 128
  • 低漂移內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源
  • 具有循環(huán)冗余校驗 (CRC) 功能的 4 線 SPI 接口
  • 安全相關(guān)認證:
    • 7070V 峰值增強隔離,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)
    • 5000V RMS 隔離 1 分鐘,符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • 封裝:20引腳寬體SOIC
  • 工作溫度范圍:–40°C 至 +125°C

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
AMC130M02 是德州儀器(Texas Instruments)推出的雙通道、16 位精度隔離式 ΔΣ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),集成隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器與低漂移基準(zhǔn)源,主打強隔離、高精度與低 EMI 特性,適配電能表、斷路器、電動汽車充電站、電池管理系統(tǒng)等對電氣隔離與測量精度要求嚴苛的場景。其核心優(yōu)勢在于通過二氧化硅(SiO?)電容隔離屏障實現(xiàn)強化絕緣,結(jié)合同步采樣與可編程增益功能,兼顧測量準(zhǔn)確性與系統(tǒng)安全性。以下從核心特性、性能參數(shù)、功能模塊、應(yīng)用設(shè)計及使用信息等方面展開總結(jié)。

一、核心特性與產(chǎn)品定位

1. 基礎(chǔ)參數(shù)與架構(gòu)

  • 分辨率與通道配置 :16 位分辨率雙通道同步采樣 ADC,每通道支持差分模擬輸入(AIN0P/AIN0N、AIN1P/AIN1N),集成可編程增益放大器(PGA,增益 1×-128×)與 1.2V 低漂移內(nèi)部基準(zhǔn)源,支持單電源(3.3V/5V)供電,無需額外隔離電源。
  • 隔離性能 :采用 SiO?電容隔離屏障,符合 DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)強化絕緣標(biāo)準(zhǔn),隔離電壓達 7070V??(峰值)、5000V??(1 分鐘耐壓),隔離電阻>1012Ω(25°C),屏障電容約 4.5pF,保障高低壓系統(tǒng)隔離安全。
  • 高集成度 :內(nèi)置隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器(低側(cè)供電轉(zhuǎn)高側(cè) 2.9V)、負電荷泵(支持輸入電壓低于地 1.3V)、數(shù)字濾波器與 CRC 校驗功能,減少外部元器件數(shù)量,簡化隔離系統(tǒng)設(shè)計。

2. 環(huán)境適應(yīng)性與可靠性

  • 工作溫度 :-40°C 至 125°C(結(jié)溫最高 150°C),滿足工業(yè)級寬溫需求,適配惡劣環(huán)境下的精密測量。
  • EMI 性能 :采用擴頻時鐘技術(shù),符合 CISPR-11(工業(yè))與 CISPR-25(汽車)輻射標(biāo)準(zhǔn),減少系統(tǒng)電磁干擾。
  • 封裝規(guī)格 :20 引腳寬體 SOIC(DFM 封裝),尺寸 12.8mm×10.3mm,引腳間距 1.27mm,適配常規(guī) PCB 布局,無需特殊焊接工藝。

二、關(guān)鍵性能指標(biāo)

1. 靜態(tài)與動態(tài)性能(典型值,TA=25°C,DVDD=3.3V,增益 = 1×)

性能參數(shù)測試條件最小值典型值最大值單位
積分非線性(INL)端點擬合,全量程-6-6ppm of FSR
輸入失調(diào)誤差外部短路,TA=25°C-100±10330μV
失調(diào)誤差溫度系數(shù)全局斬波模式,外部短路-0.3±0.10.3μV/°C
增益誤差通道 0(TA=25°C)-0.2±0.0250.2%FSR
共模抑制比(CMRR)f=50/60Hz,共模電壓范圍內(nèi)-110-dB
無雜散動態(tài)范圍(SFDR)f=50/60Hz,VIN=-0.5dBFS-105-dB
輸入等效噪聲0.1Hz-10Hz,增益 = 1×-10-μV??
通道串?dāng)_f=50/60Hz,相鄰?fù)ǖ篱g--120-dB

2. 隔離與電源性能

性能參數(shù)測試條件數(shù)值單位
隔離電壓(V????)qualification 測試,t=60s7070V??
工作隔離電壓(V????)AC 正弦波,連續(xù)工作1200V??
沖擊電壓(V???)1.2/50μs 波形,空氣環(huán)境7700V??
DC/DC 輸出電壓HLDO_OUT,無負載2.6-2.9-3.2V
低側(cè)供電電流高分辨率模式,所有通道使能18-23mA
待機電流所有通道禁用,無時鐘160-210μA

三、核心功能模塊

1. 隔離系統(tǒng)與電源管理

  • 隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 :低側(cè)(DVDD:3.0V-5.5V)供電,通過隔離屏障轉(zhuǎn)換為高側(cè) HLDO_IN(3.0V),經(jīng)高側(cè) LDO 穩(wěn)壓后輸出 2.9V(HLDO_OUT),為高側(cè)模擬電路供電,支持外接 1mA 負載(如有源濾波器),無需額外隔離電源。
  • 負電荷泵 :集成負電荷泵電路,允許模擬輸入電壓低于高側(cè)地(HGND)1.3V,實現(xiàn)單電源下的雙極性信號測量(如電流分流器兩端電壓),簡化信號鏈設(shè)計。

2. 模擬前端與信號調(diào)理

  • 可編程增益放大器(PGA) :每通道獨立支持增益 1×、2×、4×、8×、16×、32×、64×、128×,通過 GAIN 寄存器配置,滿量程輸入電壓范圍隨增益變化(增益 = 1× 時 ±1.2V,增益 = 128× 時 ±9.375mV),適配小信號(如分流器電壓)與大信號(如電壓分壓)測量。
  • 輸入保護與阻抗 :模擬輸入內(nèi)置 ESD 防護電路,單端輸入阻抗 250kΩ(增益≤4×)、0.5MΩ(增益≥8×),輸入偏置電流典型值 0.65μA,減少對外部信號源的負載影響。

3. ΔΣ 調(diào)制與數(shù)字濾波

  • 調(diào)制器與 Oversampling :采用 ΔΣ 調(diào)制架構(gòu),調(diào)制器時鐘(f_MOD)由外部 CLKIN 分頻得到(分頻比 2/4/8/12 可選),過采樣率(OSR)可編程(64-16384),數(shù)據(jù)率最高 64kSPS(高分辨率模式)、32kSPS(低功耗模式),平衡測量速度與噪聲性能。
  • 數(shù)字濾波器 :集成 sinc3+sinc1 濾波器,支持快速建立模式(前兩次采樣用 sinc1 濾波器,快速輸出)與正常模式(sinc3 濾波器,低噪聲),濾波器建立時間隨 OSR 增加而延長(OSR=1024 時約 3120 個 CLKIN 周期),需忽略未穩(wěn)定數(shù)據(jù)。

4. 同步采樣與校準(zhǔn)

  • 雙通道同步 :兩通道嚴格同步采樣,支持通道間相位校準(zhǔn)(PHASEn 寄存器,±511 個調(diào)制器時鐘周期),補償傳感器相位偏差(如電流互感器與電壓分壓網(wǎng)絡(luò)的相位差),保障功率測量精度。
  • 校準(zhǔn)功能 :每通道配備 24 位偏移校準(zhǔn)(OCAL)與增益校準(zhǔn)(GCAL)寄存器,自動修正系統(tǒng)偏移與增益誤差;支持全局斬波模式(GC_EN=1),通過輸入極性切換減少偏移漂移,偏移誤差溫度系數(shù)降至 ±0.1μV/°C。

5. 數(shù)字接口與故障管理

  • SPI 接口 :4 線 SPI(CS、SCLK、DIN、DOUT),支持 16/24/32 位數(shù)據(jù)寬度,內(nèi)置 CRC 校驗(CCITT/ANSI 多項式),檢測通信錯誤;DRDY 引腳指示數(shù)據(jù)就緒(低有效),SYNC/RESET 引腳支持同步或硬件復(fù)位。
  • 故障監(jiān)測 :STATUS 寄存器提供高側(cè)電源故障(SEC_FAIL)、FIFO 溢出、CRC 錯誤等狀態(tài)標(biāo)識;寄存器映射 CRC(REG_CRC_EN=1)監(jiān)測配置寄存器數(shù)據(jù)損壞,保障系統(tǒng)可靠性。

四、應(yīng)用設(shè)計要點

1. 電源與隔離設(shè)計

  • 供電架構(gòu) :低側(cè) DVDD 需外接 1nF(高頻)+1μF(低頻)去耦電容,靠近器件放置;高側(cè) HLDO_OUT 需外接 1nF+100nF 去耦電容,減少電源噪聲。DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 DCDC_CAP 引腳需外接 100nF 低 ESR 電容,保障隔離電源穩(wěn)定性。
  • 隔離布局 :PCB 設(shè)計需嚴格區(qū)分低側(cè)(DVDD、DGND)與高側(cè)(HGND、HLDO_OUT)區(qū)域,隔離屏障兩側(cè)銅箔間距≥8mm(爬電 / 電氣間隙),避免跨越隔離區(qū)的信號線,減少寄生電容導(dǎo)致的 EMI 耦合。

2. 模擬輸入設(shè)計

  • 信號調(diào)理 :模擬輸入需串聯(lián) RC 抗混疊濾波器(推薦 50Ω 電阻 + 4.7nF 電容),截止頻率需低于數(shù)據(jù)率的 1/2,避免高頻噪聲混疊;分流器測量時,HGND 需單獨連接至分流器一端,避免接地環(huán)路引入誤差。
  • 雙極性測量 :利用負電荷泵功能,AINxN 可接 HGND,AINxP 接分流器另一端(電壓可低于 HGND 1.3V),實現(xiàn)雙極性電流測量(如正向 / 反向電流),無需額外負電源。

3. 初始化與配置

  • 啟動流程 :上電后需先配置 CLK_DIV(時鐘分頻比)與 DCDC_FREQ(DC/DC 頻率范圍),再使能 DC/DC 轉(zhuǎn)換器(DCDC_EN=1),待 SEC_FAIL 位清零后(高側(cè)電源穩(wěn)定),方可讀取有效數(shù)據(jù)。
  • 關(guān)鍵寄存器配置
    • 增益配置:通過 GAIN 寄存器設(shè)置 PGAGAIN0/1,適配不同輸入信號幅度(如分流器用 32× 增益,電壓分壓用 1× 增益)。
    • 過采樣率:通過 CLOCK 寄存器設(shè)置 OSR,平衡噪聲與速度(電能表推薦 OSR=1024,數(shù)據(jù)率 4kSPS)。
    • 校準(zhǔn):測量零輸入時的偏移值寫入 OCAL 寄存器,滿量程輸入時的增益誤差寫入 GCAL 寄存器,自動修正測量結(jié)果。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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