電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）繼DRAM和NAND的價格不斷上漲之后，日前NOR Flash也出現了驚人的高達30%漲幅。NOR Flash在AI服務器、手機、平板電腦、可穿戴等領域呈現出高容量、高性能等需求，疊加上游晶圓制造的產能緊張，供需失衡或導致其價格進一步上漲。

AI服務器需求推動

旺宏董事長吳敏求表示，因數據中心建置需求龐大，旺宏近幾個月相關的NOR Flash需求升溫。旺宏NOR Flash 近期在服務器與數據中心應用上出現回溫跡象，主要需求集中在512Mb，也有1-2Gb 高容量的需求，預期隨著頻寬擴大、數據傳輸速率提升，未來3D NOR 技術也將成為關鍵。

在電子發(fā)燒友網早前的采訪中，兆易創(chuàng)新也表示，在AI服務器端，國內算力芯片廠商如壁仞、摩爾線程的崛起，帶動了兆易Flash在算力卡上的應用。這些算力卡通常需要8Mb-64Mb的SPI NOR Flash用于系統啟動和固件存儲，而7x24小時的高溫運行環(huán)境對存儲芯片的可靠性提出更高要求。此外，5G基站，WiFi6/7無線路由等傳輸設備同樣需要兆易的存儲方案，形成“云端-終端-傳輸”全場景覆蓋。

NOR FLASH市場

NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片，具有讀取速度快、可靠性強、可芯片內執(zhí)行（XIP）等特點，在中低容量應用以及需要用低功耗完成內部指令執(zhí)行、系統數據交換等功能的產品上具備性能和成本上的優(yōu)勢。通常用于存儲設備引導程序、操作系統等代碼和數據。NOR Flash 因其高可靠性和可芯片內執(zhí)行的特點，適合于需要快速讀取和執(zhí)行代碼的場景。

NOR Flash 廣泛應用于計算機、消費電子（智能家居、TWS 耳機、穿戴式設備、路由器、機頂盒等）、汽車電子（高級駕駛輔助系統、車窗控制、儀表盤）、工業(yè)控制（智能電表、機械控制）、物聯網設備等領域。

目前，NOR Flash主要包括基于浮柵技術的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術的SONOS 型兩類主流基礎工藝結構。隨著半導體技術的進步，NOR Flash 的存儲密度和性能也在不斷提升，從而滿足了日益增長的數據存儲需求和更高的性能要求。

根據TechInsights 統計，NOR Flash 總體市場規(guī)模將在未來5年持續(xù)增長，2024年全球 NOR Flash市場規(guī)模達到26.19 億美元，同比增長15.22%，2024-2029 年的年均復合增長率為 6.07%。

NOR Flash頭部三家廠商分別為華邦電子、兆易創(chuàng)新以及旺宏電子，其中華邦電子、旺宏電子采用IDM模式經營，兆易創(chuàng)新等其他廠商主要采用 Fabless 模式經營，與其他代工廠合作。

代工方面，中芯國際、華虹集團、武漢新芯等是全球 NOR Flash 晶圓代工行業(yè)主要供應商。其中，武漢新芯是中國大陸地區(qū)規(guī)模最大的 NOR Flash 制造廠商，既有晶圓代工業(yè)務，也有自有品牌NOR Flash 業(yè)務。不過，自有品牌業(yè)務相對頭部三家廠商較小，定位以晶圓代工為主。截至 2025 年 6 月末，武漢新芯12 英寸 NOR Flash 晶圓累計出貨量已經超過 140 萬片。

衡量 NOR Flash 晶圓代工先進性的最重要的關鍵技術指標為各廠商工藝節(jié)點情況，工藝節(jié)點越小，代表產品芯片的最小制程線寬越小，產品越先進。據介紹，武漢新芯ETOX 型和 SONOS 型 NOR Flash 晶圓代工量產節(jié)點分別為65nm/50nm、65nm/45nm。根據公開信息，中芯國際 NOR Flash 晶圓代工量產節(jié)點為 65nm/55nm，華虹公司 NOR Flash 晶圓代工量產節(jié)點為 0.35μm~55nm 并于2023 年 小 批 量 試 產 4Xnm ， 華 力 微 NOR Flash 晶 圓 代 工 量 產 節(jié) 點 為65nm/55nm/50nm。這三家NOR Flash 晶圓代工技術均居于全球范圍內第一梯隊，處于國際領先水平。

3D NOR FLASH技術

為了適應人工智能、智能汽車等產業(yè)發(fā)展，HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領域，這些應用也對更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的閃存提出更高要求。傳統2D NORFlash已近接物理和性能極限，其平面架構限制了其可擴展性。旺宏電子早前提出3D NORFlash的研發(fā)方向。

旺宏的 3D NOR Flash是一種3D AND陣列架構。與傳統NOR的通道熱電子 (CHE) 相比，AND 陣列有利于FN 隧穿，從而實現更高的并行性，使其更適合NOR 閃存以更高的密度和更低功耗提供更快的寫入帶寬。

垂直堆疊技術可使3D架構在單個裸片上實現4Gb的存儲密度，而2D架構的最大密度僅為512Mb。目前一般商用2D NOR flash最高容量在2Gb左右，需要堆疊4顆512Mb芯片，而旺宏的3DNOR flash單芯片實現4Gb，無需改變封裝方式，避免堆疊封裝鍵合對芯片可靠性的影響，滿足更高的質量要求。還可以通過引入堆疊裸片配置來支持更高密度的應用，以提供高達8Gb的存儲空間。

與2D NORFlash相比，旺宏最新的32層3D NORFlash在單個芯片中提供8倍的容量，具有更快的擦除和編程性能。該3D NORFlash支持高速OctaFlash和傳統QSPI接口，200MHz DDR，100K耐久性，具有汽車級可靠性和ISO26262功能安全性。

去年，旺宏電子董事長吳敏求表示，新品3D NOR國際客戶詢問度高，預計明年推出樣品，根據測試結果最快有望2026年下半年推出，產品容量達4Gb，用于車用控制系統。

市場預期

華邦電子表示，基于原物料成本上升及終端需求回溫，NOR價格預期自2025年第3季起將持續(xù)上漲，另外預期SLC NAND的供給在接下來幾個季度仍將維持吃緊，推升價格進一步上漲。

針對存儲進入超級循環(huán)周期的說法，旺宏電子吳敏求認為，目前仍難斷言，不過，價格確實在漲，也確實有缺貨現象，但要說缺口多大、能維持多久，現在都言之過早。

兆易創(chuàng)新表示，今年NOR Flash產品的開始漲價更多集中在中高端的產品，尤其是面向AI服務器的應用。同時，目前中小容量NOR Flash產品也出現漲價趨勢。NOR Flash整體產能是聯動的，其中大容量產品單顆價值高，對產能的消耗量大，在供應出現緊缺的時候，大容量產品會較早出現漲價，并逐漸傳導到中小容量產品。

兆易創(chuàng)新進一步認為，NOR Flash已經處于相對成熟發(fā)展階段，行業(yè)的增長主要來源于代碼量的提升，當前端側AI的發(fā)展進一步推動NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨詢機構已經把行業(yè)CAGR從5~7%上調至8%。NOR Flash也處于為溫和漲價周期中，源于產能端的緊缺，公司順應市場需求變化對價格做出適當調整，9月開始陸續(xù)落地。

長期來看，兆易創(chuàng)新將繼續(xù)推動NOR Flash市場份額的提升，Fabless的商業(yè)模式使我們在增加產能方面可以相對靈活。繼續(xù)推動NOR Flash在工業(yè)、汽車、端側AI和海外市場市占率的提升。堅持全球化布局，包括海外供應鏈的布局。

考慮到NORFlash產品的產能彈性不足。如果公司產品能取得更大的市占率，會與晶圓廠爭取更多的產能支持。在目前產能緊張的情況下，明年產品成本會有上升，公司會與核心供應商積極協商，爭取得到產能和價格上的支持。

隨著AI應用的推廣，代碼總量在不斷上升，長期看對NOR Flash產品總的容量需求維持長期穩(wěn)定增長的狀態(tài)，預期NOR Flash會處于供需相對偏緊的狀態(tài)。預計NOR Flash明年全年仍會維持價格整體溫和上漲的節(jié)奏。

恒爍目前NOR FLASH量產出貨的容量范圍為1Mb - 256Mb,其中32Mb - 128Mb容量區(qū)間產品占公司NOR FLASH 營收的 60%。一方面由于代工和封測成本壓力,另一方面受益于整體存儲市場行情向好,且NOR FLASH 價格在底部徘徊已久,疊加下游客戶對于未來價格預期的變化,NOR FLASH有望在四季度實現價格上漲,具體漲價幅度及落地情況還要根據后續(xù)訂單實現情況確定。