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新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-11-17 17:02 ? 次閱讀
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新品

第二代CoolSiC MOSFET G2

1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

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采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET G2 1400V功率器件,是電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。


第二代1400V CoolSiC MOSFET 前沿技術(shù)具有前沿性,可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流焊工藝(可承受三次回流焊循環(huán)),有助于降低熱阻并承載高峰值電流。


產(chǎn)品型號:

IMYR140R008M2H

IMYR140R019M2H


產(chǎn)品特點(diǎn)


極低的開關(guān)損耗

封裝背面適用于260°C高溫回流焊,且可承受三次焊接過程

最高結(jié)溫(Tvj)達(dá)200°C的過載運(yùn)行能力

短路耐受時間達(dá)2 μs

基準(zhǔn)柵極閾值電壓VGS(th)為4.2V

抗寄生導(dǎo)通能力強(qiáng),可施加0V關(guān)斷柵極電壓

采用.XT 擴(kuò)散焊技術(shù),實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的熱性能

電源引腳(2mm),提供高電流承載能力

電阻焊管腳,允許母排直連

TO-247PLUS封裝,具有10.8mm高爬電距離及CTI≥600V


應(yīng)用價值


提升功率密度

增大系統(tǒng)輸出功率

提高整體效率

增強(qiáng)對瞬態(tài)過載、雪崩條件及米勒效應(yīng)的耐受性

簡化針對過流事件的系統(tǒng)設(shè)計(jì)

易于并聯(lián)


競爭優(yōu)勢


支持1000V以上電壓等級的設(shè)計(jì)

回流焊組裝工藝有助于實(shí)現(xiàn)更低熱阻

在最高工作電壓1000V的應(yīng)用中:提供充足電壓裕度,支持高峰值電流下的更快開關(guān)速度

高功率密度有助于縮小系統(tǒng)整體尺寸


應(yīng)用領(lǐng)域


商用、工程及農(nóng)用車輛 (CAV)

電動汽車充電設(shè)施

儲能系統(tǒng) (ESS)

在線式UPS/工業(yè)級不間斷電源

組串式逆變器

通用變頻驅(qū)動器 (GPD)

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