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采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝

的CoolSiC 1400V MOSFET G2

CoolSiC 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過(guò)1000V的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，既為現(xiàn)有應(yīng)用提供額外的電壓裕量與增強(qiáng)的可靠性，又能實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)速度，從而提升系統(tǒng)效率。其引腳與現(xiàn)有封裝完全兼容，適用于光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)及其他工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMZC140R011M2H

■IMZC140R019M2H

■IMZC140R024M2H

■IMZC140R029M2H

■IMZC140R038M2H

系統(tǒng)框圖

PV

ESS

EV Charging

產(chǎn)品特性

漏源極電壓VDSS=1400V（結(jié)溫Tvj≥25°C時(shí)）

導(dǎo)通電阻RDS(on)低至11mΩ（柵源極電壓 VGS=18V，結(jié)溫 Tvj=25°C時(shí)）

極低的開(kāi)關(guān)損耗，有助于實(shí)現(xiàn)高效率

2μs短路耐受時(shí)間

更寬的柵源極工作電壓范圍：-10V至+25V

基準(zhǔn)級(jí)柵極閾值電壓：4.2V

應(yīng)用價(jià)值

更高的功率密度

提升的整體系統(tǒng)效率

增加的系統(tǒng)輸出功率

增強(qiáng)的冷卻優(yōu)化效果

簡(jiǎn)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

支持直流母線電壓超過(guò)1000V的系統(tǒng)設(shè)計(jì)

采用高爬電距離封裝，可靠性卓越

具備優(yōu)異的瞬態(tài)過(guò)載抗擾度

對(duì)于上限為1000V的應(yīng)用：提供充足的電壓裕量，支持大峰值電流下的更高開(kāi)關(guān)頻率

其高功率密度有助于縮小整體系統(tǒng)尺寸

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車(chē)充電

儲(chǔ)能系統(tǒng)

組串式逆變器

不間斷電源

通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)