英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）年度功率半導體/驅動器獎項， 再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的卓越實力和領先地位。
英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務市場經理劉倩出席頒獎典禮并領獎
英飛凌EconoDUAL 3 CoolSiC
SiC MOSFET 1200V模塊
1.搭載了1200V SiC MOSFET M1H芯片，以高功率密度、高效率及高可靠性的獨特優(yōu)勢，成為大功率應用的理想選擇，助力工業(yè)電源、可再生能源及電動商用車等領域。
2.具備 175℃過載耐溫能力，可在苛刻的高溫環(huán)境下可靠運行，且具有較高的柵極閾值電壓，以減輕寄生導通，從而避免了額外的功率損耗和系統(tǒng)故障，保障工業(yè)電源、電動商用車等系統(tǒng)在緊湊設計中實現高效可靠運行，聚焦功率密度優(yōu)化與熱管理升級，助力工業(yè)系統(tǒng)邁向更小體積、更高能效的未來。
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