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探索onsemi EEPROM:NV25080LV系列的卓越性能與應(yīng)用指南

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-27 13:52 ? 次閱讀
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探索onsemi EEPROM:NV25080LV系列的卓越性能與應(yīng)用指南

在電子設(shè)計領(lǐng)域,EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)一直是數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵組件。onsemi推出的NV25080LV、NV25160LV、NV25320LV和NV25640LV系列EEPROM,以其出色的性能和豐富的特性,在汽車及其他對數(shù)據(jù)可靠性要求極高的應(yīng)用場景中脫穎而出。本文將深入剖析這些器件的特點、引腳功能、操作模式以及設(shè)計考慮因素,為電子工程師們提供全面的參考。

文件下載:onsemi NV25xLV SPI低電壓串行EEPROM.pdf

器件概述

NV25080LV系列是一系列8/16/32/64 - Kb的SPI(串行外設(shè)接口)低電壓汽車級1類EEPROM,內(nèi)部組織為1K/2K/4K/8Kx8位。它們具備32字節(jié)的頁寫緩沖區(qū),支持SPI協(xié)議,通過片選(CS)輸入啟用。此外,還配備了時鐘輸入(SCK)、數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線,以及用于暫停通信的HOLD輸入。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全陣列保護,片上字節(jié)級ECC(錯誤糾正碼)使其適用于高可靠性應(yīng)用。同時,還提供了一個可永久寫保護的額外標(biāo)識頁。

引腳代號

關(guān)鍵特性

汽車級認(rèn)證與寬電壓范圍

該系列器件通過了汽車AEC - Q100 Grade 1認(rèn)證,工作溫度范圍為 - 40°C至 + 125°C,電源電壓范圍為1.7 V至5.5 V,能適應(yīng)各種惡劣的汽車環(huán)境。

高性能SPI接口

支持20 / 10 MHz的SPI兼容模式(0,0)和(1,1),確保高速、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸。

強大的保護機制

具備硬件和軟件保護功能,可對1/4、1/2或整個EEPROM陣列進行塊寫保護,還提供額外的標(biāo)識頁永久寫保護,有效防止數(shù)據(jù)誤寫和篡改。

低功耗與長壽命

采用低功耗CMOS技術(shù),在不同溫度下具有不同的編程/擦除周期,如在25°C時可達4,000,000次,在 + 125°C時仍有600,000次,數(shù)據(jù)保留時間長達200年。

引腳功能

引腳名稱 功能
CS 片選
SO 串行數(shù)據(jù)輸出
WP 寫保護
Vss 接地
SI 串行數(shù)據(jù)輸入
SCK 串行時鐘
HOLD 暫停傳輸輸入
Vcc 電源供應(yīng)

這些引腳的合理使用是實現(xiàn)器件正常工作的基礎(chǔ),例如,CS引腳用于選擇器件,WP引腳可用于硬件寫保護,HOLD引腳可暫停通信等。

操作模式

寫操作

器件上電后處于寫禁用狀態(tài),需要通過發(fā)送WREN指令設(shè)置寫使能鎖存器(WEL)才能進行寫操作。寫操作包括字節(jié)寫、頁寫、寫標(biāo)識頁和寫狀態(tài)寄存器等。

  • 字節(jié)寫:設(shè)置WEL位后,發(fā)送WRITE指令、16位地址和數(shù)據(jù),內(nèi)部編程在CS從低到高轉(zhuǎn)換后開始。
  • 頁寫:發(fā)送第一個數(shù)據(jù)字節(jié)后,可繼續(xù)發(fā)送最多32個字節(jié),地址低位自動遞增,若超出頁尾會回繞。
  • 寫標(biāo)識頁:需先將狀態(tài)寄存器的IPL位設(shè)置為1,地址位有特定要求,且要確保寫入位置不在保護區(qū)域內(nèi)。
  • 寫狀態(tài)寄存器:發(fā)送WRSR指令,可寫入特定的位。

讀操作

讀操作包括從內(nèi)存陣列讀、讀狀態(tài)寄存器和讀標(biāo)識頁。主機發(fā)送相應(yīng)的指令和地址后,器件會在SO引腳輸出數(shù)據(jù)。

  • 從內(nèi)存陣列讀:發(fā)送READ指令和16位地址,可連續(xù)讀取數(shù)據(jù),地址指針自動遞增。
  • 讀狀態(tài)寄存器:發(fā)送RDSR命令,可隨時讀取狀態(tài)寄存器內(nèi)容。
  • 讀標(biāo)識頁:先將IPL位設(shè)置為1,然后按正常讀操作進行。

暫停操作

HOLD輸入可用于暫停主機與器件之間的通信,將HOLD拉低且SCK為低時暫停,拉高且SCK為低時恢復(fù)。

設(shè)計考慮因素

上電復(fù)位保護

器件內(nèi)置上電復(fù)位(POR)電路,可防止內(nèi)部邏輯在上電時處于錯誤狀態(tài),確保在電源波動時的可靠性。

寫使能要求

上電后處于寫禁用狀態(tài),必須先發(fā)送WREN指令才能進行寫操作,且CS引腳需正確操作以啟動內(nèi)部寫周期。

錯誤糾正碼

片上ECC電路可檢測和糾正字節(jié)中的一個錯誤位,提高數(shù)據(jù)可靠性。

封裝與訂購信息

該系列器件提供SOIC、TSSOP和可焊側(cè)翼UDFN 8引腳封裝,均為無鉛、無鹵素且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具體的訂購信息可參考數(shù)據(jù)手冊第11頁。

總結(jié)

NV25080LV系列EEPROM以其豐富的特性、強大的保護機制和高可靠性,為電子工程師在汽車及其他對數(shù)據(jù)存儲要求嚴(yán)格的應(yīng)用中提供了理想的解決方案。在設(shè)計過程中,合理利用其引腳功能、操作模式和設(shè)計考慮因素,能夠充分發(fā)揮器件的性能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)的安全性。你在使用EEPROM時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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