chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

“芯”品發(fā)布|鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化鎵能效天花板!

無睘 ? 來源:jf_37450981 ? 作者:jf_37450981 ? 2025-11-27 16:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界

近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。這款完全符合汽車 AEC-Q101 標準的 650V 氮化鎵分立器件,以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻(Rds(on)),引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注,迅速成為氮化鎵功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域性能優(yōu)化的新標桿。

產(chǎn)品亮點

憑什么成為業(yè)界同規(guī)格產(chǎn)品標桿?

鎵未來 G2E65R009 系列產(chǎn)品封裝外形:TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L(內(nèi)絕緣)

車規(guī)級器件水平:符合汽車應(yīng)用的 AEC-Q101 標準,滿足進入汽車供應(yīng)鏈的核心認證;

Si MOSFET 驅(qū)動兼容:無需修改現(xiàn)有驅(qū)動電路,直接替換傳統(tǒng)硅基器件,縮短產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)周期;

9mΩ 超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):超 1500A 飽和電流(25℃)能力,降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗超過 60%;

全拓撲高效運行:極低的 Qoss 可以保證無論是硬開關(guān)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,還是軟開關(guān)的 LLC 諧振電路,均能保持極高的轉(zhuǎn)換效率;

優(yōu)化死區(qū)管理:關(guān)斷狀態(tài)下提供最低反向?qū)妷海越档退绤^(qū)時間損耗;

熱性能表現(xiàn)優(yōu)異:為電源工程師后續(xù)應(yīng)用設(shè)計提供更多產(chǎn)品優(yōu)化選項。

超 1500A 飽和電流能力

9mΩ 是什么概念?氮化鎵功率半導(dǎo)體的“能效天花板”被打破!

當(dāng)行業(yè)還在為 15mΩ 的導(dǎo)通電阻參數(shù)競爭時,鎵未來 G2E65R009 系列產(chǎn)品直接將這一數(shù)值縮小至 9mΩ——這意味著什么?

導(dǎo)通損耗降低 60%:相比傳統(tǒng)硅基 IGBT,其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均降低 60% 以上,相當(dāng)于每臺新能源汽車電機控制器可減少約 150W 的無效功耗,對應(yīng)續(xù)航里程提升 3%~5%;

熱管理革命:僅為9mΩ的超低導(dǎo)通電阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L 封裝的優(yōu)異散熱設(shè)計,熱阻低至 0.2℃/W相較傳統(tǒng)SiC MOSFET 降低約40%;

效率躍升:經(jīng)過鎵未來實驗室實測,在 P-out 為 5.3kW 時,峰值效率可達 99.35%;

功率翻倍:單顆分立器件支持高達 20kW 的功率輸出 ,穩(wěn)居行業(yè)頂尖水平。可以滿足更多大功率應(yīng)用場景需求,實現(xiàn)高功率密度和高設(shè)計自由度的完美結(jié)合!

行業(yè)新契機

對于行業(yè)工程師方案設(shè)計,帶來哪些便利?

對于相關(guān)行業(yè)發(fā)展,帶來哪些喜訊?

鎵未來 G2E65R009 最打動行業(yè)的,或許是其“革命性性能+兼容性設(shè)計”的雙重優(yōu)勢。鎵未來產(chǎn)品的自身技術(shù)特點,可以實現(xiàn)與傳統(tǒng)硅基器件 Pin to Pin 兼容,汽車級可靠性與無縫替換的能力已然成為工程師應(yīng)用解決方案的不二之選,加之于此款產(chǎn)品低至 9mΩ 的導(dǎo)通電阻,將為新能源汽車、工業(yè)電機、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來更多技術(shù)突破的可能。

將目光轉(zhuǎn)向終端市場,客戶的核心采購驅(qū)動力早已聚焦于“更極致的效率、更優(yōu)異的體驗和更具效益的總成本”——即通過更集成的設(shè)計、更可靠的品質(zhì)與更優(yōu)的整體能效,為其終端產(chǎn)品構(gòu)建市場競爭力,建立市場信任。在此背景下,具備突破性性能的核心器件,正成為推動產(chǎn)品迭代與產(chǎn)業(yè)進階的關(guān)鍵支點。

作為電子產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心力量,鎵未來始終專注 GaN 半導(dǎo)體創(chuàng)新,致力于為業(yè)界提供可靠、高效、智能的解決方案。在開發(fā) G2E65R009 產(chǎn)品過程中,我們緊密圍繞客戶的核心訴求,精準把握技術(shù)發(fā)展的主流趨勢,力求與合作伙伴共建共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。目前,該產(chǎn)品已與多家頭部車企及核心 Tier1 供應(yīng)商攜手,進入實質(zhì)性的研發(fā)驗證階段,共同推進技術(shù)落地與應(yīng)用升級。

我們有信心,該產(chǎn)品在后續(xù)應(yīng)用中,將為合作伙伴在便捷性、可靠性、高效性等方面帶來更多積極體驗與廣闊的探索空間。

“鎵未來 G2E65R009 系列”

當(dāng)行業(yè)還在討論氮化鎵的“商用臨界點”時,G2E65R009 已經(jīng)用“車規(guī)可靠性+極致性能+兼容性設(shè)計”的組合拳給出答案。一位資深電源工程師評價:“這就像給燃油車直接換裝了電動機——不是小修小補,而是徹底的代際跨越?!?/p>

對于終端企業(yè)而言,選擇 G2E65R009 不僅是性能升級,更是技術(shù)路線的戰(zhàn)略布局——在“雙碳”目標與能源革命的大背景下,這款器件將推動能源轉(zhuǎn)換和利用效率的全面提升。

現(xiàn)在,這場功率半導(dǎo)體的效率革命已經(jīng)開啟。準備好和鎵未來一起讓你的產(chǎn)品性能“跨代升級”了嗎?

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    1859

    瀏覽量

    119263
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2339

    瀏覽量

    79326
  • GaN FET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    14

    瀏覽量

    3890
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    CHA8107-QCB兩氮化GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB兩氮化GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconduct
    發(fā)表于 12-12 09:40

    請問源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    英飛凌推出首款100V規(guī)晶體管,推動汽車領(lǐng)域氮化GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    ,繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標邁進,并進一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1規(guī)晶體管 ? 英飛凌正式
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?5.9w次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>推出</b>首款100V<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>晶體管,推動汽車領(lǐng)域<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術(shù)創(chuàng)新

    未來攜 Gen3 技術(shù)平臺全系列新品亮相2025上海PCIM電子展

    、氫、人工智能和數(shù)據(jù)中心的電力電子應(yīng)用等應(yīng)用領(lǐng)域。 行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化功率器件高新技術(shù)企業(yè)珠海未來
    的頭像 發(fā)表于 09-25 14:02 ?3203次閱讀

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊

    Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化 (GaN) 功率
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:56 ?3929次閱讀
    Texas Instruments LMG3624 650V 170<b class='flag-5'>m</b>Ω<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>) <b class='flag-5'>功率</b>級數(shù)據(jù)手冊

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“
    發(fā)表于 05-19 10:16

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過規(guī)認證

    日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?4067次閱讀
    納微半導(dǎo)體GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b>認證

    CE65H110DNDI 華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?4487次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統(tǒng) (<b class='flag-5'>GaN</b> Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    什么是氮化GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?4278次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)充電頭安<b class='flag-5'>規(guī)</b>問題及解決方案

    GAN039-650NBB氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-13 16:10 ?0次下載
    <b class='flag-5'>GAN</b>039-650NBB<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>FET</b>規(guī)格書

    GAN041-650WSB氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-13 14:24 ?2次下載
    <b class='flag-5'>GAN</b>041-650WSB<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>FET</b>規(guī)格書

    GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-12 08:30 ?0次下載
    GANE3R<b class='flag-5'>9</b>-150QBA<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>FET</b>規(guī)格書

    GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 02-10 16:22 ?1次下載
    GANB4R8-040CBA雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>FET</b>規(guī)格書

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化
    發(fā)表于 01-15 16:41