探索 onsemi VE-Trac Direct 模塊 NVH640S75L4SPC:高性能汽車應(yīng)用的理想之選
在汽車電子領(lǐng)域,尤其是混合動力和電動汽車的牽引逆變器應(yīng)用中,功率模塊的性能和可靠性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 VE-Trac Direct 模塊 NVH640S75L4SPC,它在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
文件下載:NVH640S75L4SPC 數(shù)據(jù)表.pdf
產(chǎn)品概述
NVH640S75L4SPC 是 VE - Trac Direct 系列高度集成功率模塊的一員,專為混合動力(HEV)和電動汽車(EV)牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計,采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝尺寸。該模塊集成了四個場截止 4(FS4)750V 窄臺面 IGBT,以 6 管封裝配置,具備高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)能力和更高的阻斷電壓。此外,F(xiàn)S4 750V 窄臺面 IGBT 在輕載時表現(xiàn)出低功耗,有助于提高汽車應(yīng)用中的整體系統(tǒng)效率。
為了便于組裝和提高可靠性,功率模塊的信號端子集成了新一代的壓配引腳。同時,其基板采用了優(yōu)化的針翅式散熱器。

突出特性
高效散熱與低電感設(shè)計
- 直接冷卻與集成針翅式散熱器:這種設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)高效的散熱,確保模塊在高負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。
- 超低雜散電感:有助于減少電磁干擾,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
寬溫度范圍與低損耗
- 連續(xù)工作溫度:最高可達(dá) 175°C($T_{vjmax}=175^{\circ} C$),適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)境。
- 低飽和電壓和開關(guān)損耗:降低了能量損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率。
先進(jìn)的芯片技術(shù)與環(huán)保設(shè)計
- 汽車級 FS4 750V 窄臺面 IGBT 和快速恢復(fù)二極管芯片技術(shù):提供了高性能和可靠性。
- 4.2 kV 隔離 DBC 基板:確保了良好的電氣隔離性能。
- 易于集成的 6 管拓?fù)?/strong>:簡化了設(shè)計過程,降低了開發(fā)成本。
- 無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):符合環(huán)保要求。
引腳說明
| NVH640S75L4SPC 的引腳功能豐富,涵蓋了功率端子、相輸出、溫度傳感器輸出等多個方面。以下是主要引腳的功能說明: | Pin# | Pin Function Description |
|---|---|---|
| P1, P2, P3 | 正功率端子 | |
| N1, N2, N3 | 負(fù)功率端子 | |
| 1, 2, 3 | 相 1、相 2、相 3 輸出 | |
| G1 - G6 | IGBT 柵極 | |
| E1 - E6 | IGBT 柵極返回 | |
| C1 - C6 | 去飽和檢測/集電極感應(yīng) | |
| T11, T12, T21, T22, T31, T32 | 相 1、相 2、相 3 溫度傳感器輸出 |
這些引腳的合理設(shè)計使得模塊能夠方便地與其他電路集成,實現(xiàn)精確的控制和監(jiān)測。
材料與安全性
材料選擇
- DBC 基板:采用 $Al{2} O{3}$ 隔離基板,具有基本的隔離性能,兩側(cè)覆銅。
- 端子和信號引線:均采用銅 + 鍍錫工藝,提高了導(dǎo)電性和耐腐蝕性。
- 針翅式基板:銅 + 鍍鎳,增強(qiáng)了散熱性能。
阻燃性
模塊框架符合 UL94V - 0 阻燃等級,確保了在高溫環(huán)境下的安全性。
模塊特性與參數(shù)
溫度范圍
- 工作結(jié)溫:-40°C 至 175°C($T_{vj}$),適應(yīng)了汽車應(yīng)用中的各種溫度條件。
- 存儲溫度:-40°C 至 125°C($T_{STG}$),方便存儲和運(yùn)輸。
電氣參數(shù)
- 隔離電壓:4200V($V_{iso}$),提供了良好的電氣隔離。
- 雜散電感:8nH($L_{ECE}$),有助于減少電磁干擾。
- 模塊引線電阻:0.8mΩ($R_{CC + EE'}$),降低了能量損耗。
其他參數(shù)
- 模塊重量:700g,便于安裝和集成。
- 比較漏電起痕指數(shù):>200(CTI),提高了模塊的可靠性。
典型應(yīng)用
NVH640S75L4SPC 主要應(yīng)用于混合動力和電動汽車的牽引逆變器以及高功率轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,其高性能和可靠性能夠充分發(fā)揮作用,為汽車的動力系統(tǒng)提供穩(wěn)定的支持。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括 IGBT 輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、開關(guān)損耗與電流和電阻的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解模塊的性能,優(yōu)化設(shè)計方案。例如,通過觀察 IGBT 開關(guān)損耗與電流的關(guān)系曲線,可以選擇合適的工作電流,以降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
封裝尺寸
該模塊采用 SSDC33 封裝,尺寸為 154.50x92.0(SPC),CASE 183AC。詳細(xì)的封裝尺寸圖為工程師在 PCB 設(shè)計和機(jī)械安裝方面提供了準(zhǔn)確的參考。
總結(jié)
onsemi 的 VE - Trac Direct 模塊 NVH640S75L4SPC 憑借其高性能、高可靠性和易于集成的特點,成為了混合動力和電動汽車牽引逆變器應(yīng)用的理想選擇。在實際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)模塊的特性和參數(shù),結(jié)合具體的應(yīng)用需求,優(yōu)化設(shè)計方案,提高系統(tǒng)的性能和效率。你在使用類似功率模塊時遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
-
功率模塊
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
612瀏覽量
46664 -
高性能
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
416瀏覽量
21302 -
牽引逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
58瀏覽量
10606
發(fā)布評論請先 登錄
通俗易懂的術(shù)語: VE-Trac Direct和VE-Trac Dual的功能
安森美VE-Trac Dual電源模塊獲ASPENCORE全球電子成就獎
VE-Trac Dual榮獲WEAA電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎
安森美推出VE-Trac系列的功率集成模塊(PIM)
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和亞洲金選獎中獲得多項榮譽(yù)
探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選
onsemi NFAM3512L7B智能功率模塊:高性能逆變器的理想之選
探索 onsemi NVH950S75L4SPB 功率模塊:汽車牽引逆變器的理想之選
汽車級NVH950S75L4SPC功率模塊:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索VE-Trac Direct Module NVH660S75L4SPFB:汽車動力模塊新選擇
探索VE-Trac Direct Module NVH660S75L4SPFC:汽車動力模塊新選擇
探索 onsemi NVH640S75L4SPB 功率模塊:為電動汽車牽引逆變器注入新動力
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想之選

探索 onsemi VE-Trac Direct 模塊 NVH640S75L4SPC:高性能汽車應(yīng)用的理想之選
評論