主逆變器是電動汽車的心臟，它決定了駕駛行為和車輛的能源效率，是電動汽車中的一個關(guān)鍵元器件。為了推動新能源汽車的主逆變器繼續(xù)向更大功率、更高能效、更高電壓、更輕重量、更小尺寸方向發(fā)展，安森美(onsemi)推出了 VE-Trac系列的功率集成模塊(PIM)，提供可擴(kuò)展性、增強(qiáng)的熱性能、以及行業(yè)最低電感的封裝結(jié)構(gòu)，能實現(xiàn)最高能效、最先進(jìn)的功率密度和敏捷的響應(yīng)速度。目前，VE-Trac系列包括VE-Trac SiC、VE-Trac Direct和VE-Trac Dual。

電動汽車主逆變器框圖

用于900 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac SiC模塊

向SiC轉(zhuǎn)型是汽車主逆變器主流趨勢。安森美VE-Trac SiC系列產(chǎn)品，包括VE-Trac B2 SiC模塊和VE-Trac Direct SiC模塊。采用領(lǐng)先的封裝技術(shù)，通過專有的壓接設(shè)計，實現(xiàn)了可靠的 PCB互連，提供同類最佳的電氣和熱性能及功率級可擴(kuò)展性。

VE-Trac B2 SiC模塊在一個半橋架構(gòu)中集成了安森美的所有SiC MOSFET技術(shù)。裸片連接采用燒結(jié)技術(shù)，提高了能效、功率密度和可靠性。該模塊符合AQG 324汽車功率模塊標(biāo)準(zhǔn)。B2 SiC模塊結(jié)合燒結(jié)技術(shù)用于裸片連接和銅夾，壓鑄模工藝用于實現(xiàn)強(qiáng)固的封裝。其SiC芯片組采用安森美的M1 SiC技術(shù)，從而提供高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，在EV主驅(qū)應(yīng)用中帶來領(lǐng)先同類的性能。

用于750 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac IGBT模塊

包括VE-Trac Dual和VE-Trac Direct。利用新的窄臺面 IGBT技術(shù)，采用6-pack架構(gòu)，提供高電流密度和穩(wěn)定可靠的短路保護(hù)以及更高的阻斷電壓，提供出色的性能。

用于650 V-1200 V主驅(qū)逆變器的VE-Trac MOSFET模塊

這些SiC MOSFET設(shè)計為快速且堅固耐用。它們提供比Si MOSFET高10倍的介電擊穿場強(qiáng)、高2倍的電子飽和速度、高3倍的帶隙和高3倍的熱導(dǎo)率。所有安森美SiC MOSFET均符合車規(guī)AEC-Q101 認(rèn)證和支持PPAP。

評估套件

VE-Trac Direct EZ評估套件

適用功率高達(dá) 150kW，包括一個安裝在冷卻套中的VE-Trac Direct功率模塊(NVH820A75L4SPB)，和一個6通道門極驅(qū)動器板和一個DC Link電容器，不包括PWM控制器或外部電流傳感器。該評估套件讓設(shè)計人員在逆變器開發(fā)的早期階段評估VE-Trac Direct功率模塊的性能，可用作雙脈沖測試儀，以測量關(guān)鍵的開關(guān)參數(shù)，或用作電機(jī)控制的3相逆變器。

VE-Trac Dual EZ評估套件

適用功率高達(dá)150 kW。含3個VE-Trac Dual模塊，安裝在雙面散熱器上，集成6通道門極驅(qū)動器板，DC Link電容器，和外部霍爾效應(yīng)電流檢測反饋。該評估套件讓設(shè)計人員在逆變器開發(fā)的早期階段評估VE-Trac Dual功率模塊的性能，可用作雙脈沖測試儀來測量關(guān)鍵開關(guān)參數(shù)或用作電機(jī)控制的3相逆變器。

技術(shù)指南

VE-Trac Direct技術(shù)指南

說明VE-Trac Direct產(chǎn)品特性和功能的技術(shù)細(xì)節(jié)，提供參考電路和應(yīng)用注釋，以確保產(chǎn)品以最佳方式用于其預(yù)期的最終用途。

VE-Trac Dual組裝指南

為了避免對VE – Trac模塊及其控制引線或電源端子造成不必要的機(jī)械應(yīng)力，請按照推薦的規(guī)格和安裝順序?qū)?a target="_blank">電源模塊安裝到最終應(yīng)用電源轉(zhuǎn)換器上。正確的組裝也確保了良好的熱性能和電氣性能。

VE-Trac Direct / Direct SiC組裝指南

包括推薦工具、所需材料和元器件信息，避免不必要的機(jī)械應(yīng)力。

VE-Trac電源模塊平臺概述

原文標(biāo)題：出色的主驅(qū)逆變器需要怎樣的功率模塊?

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