chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-04 17:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

電子工程師的日常工作中,功率模塊的選擇至關(guān)重要,它直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)的NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG這兩款功率模塊。

文件下載:onsemi NXH400N100L4Q2F2 igbt模塊.pdf

模塊概述

NXH400N100L4Q2是一款集成了I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器的功率模塊。其內(nèi)部集成了場截止溝槽絕緣柵雙極晶體管IGBT)和快恢復(fù)二極管(FRD),這些先進(jìn)的器件能夠有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,為工程師們實(shí)現(xiàn)高效、可靠的設(shè)計(jì)提供了有力支持。

原理圖

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

先進(jìn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器模塊設(shè)計(jì),使得模塊在處理功率轉(zhuǎn)換時(shí)更加高效。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)能夠減少諧波含量,提高電能質(zhì)量,在對電能質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。

高效的溝槽場截止技術(shù)

采用極端高效的溝槽場截止技術(shù),進(jìn)一步降低了IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。這不僅提高了模塊的效率,還減少了發(fā)熱,延長了模塊的使用壽命。

低電感布局和低封裝高度

低電感布局能夠減少電磁干擾(EMI),提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時(shí),低封裝高度的設(shè)計(jì)使得模塊在空間受限的應(yīng)用中更容易安裝和布局。

內(nèi)置熱敏電阻

模塊內(nèi)置熱敏電阻,方便工程師實(shí)時(shí)監(jiān)測模塊的溫度,實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù),提高系統(tǒng)的可靠性。

典型應(yīng)用場景

太陽能逆變器

在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,需要將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電并入電網(wǎng)。NXH400N100L4Q2系列模塊的高效性能能夠提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率,從而提高整個(gè)太陽能發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)電效率。

儲能系統(tǒng)

儲能系統(tǒng)用于儲存電能,在需要時(shí)釋放電能。該模塊的高可靠性和低損耗特性,能夠確保儲能系統(tǒng)在充放電過程中的高效運(yùn)行。

不間斷電源(UPS)系統(tǒng)

UPS系統(tǒng)在市電中斷時(shí)能夠?yàn)樨?fù)載提供不間斷的電力供應(yīng)。NXH400N100L4Q2系列模塊的快速響應(yīng)和高效性能,能夠保證UPS系統(tǒng)在切換過程中穩(wěn)定可靠地工作。

電氣特性詳解

絕對最大額定值

在使用模塊時(shí),必須嚴(yán)格遵守其絕對最大額定值,否則可能會損壞模塊。以IGBT為例,其集電極 - 發(fā)射極電壓(VCES)最大為1000V,連續(xù)集電極電流(Ic)在Tc = 80°C時(shí)為360A,脈沖峰值集電極電流(Ic(Pulse))在Tc = 80°C(TJ = 175°C)時(shí)可達(dá)1080A。這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。

電氣特性參數(shù)

不同IGBT和二極管在不同測試條件下具有不同的電氣特性。例如,外部IGBT(T1, T4)的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(at))在VGE = 15V,Ic = 400A,TJ = 25°C時(shí)典型值為1.65V,在TJ = 150°C時(shí)典型值為2.1V。這些參數(shù)的變化反映了溫度對模塊性能的影響,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要充分考慮這些因素。

典型特性曲線分析

文檔中提供了大量的典型特性曲線,如IGBT的輸出特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線,以及二極管的反向恢復(fù)特性曲線等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。例如,通過典型的開通損耗與集電極電流(IC)的關(guān)系曲線,工程師可以選擇合適的工作電流,以降低開通損耗,提高系統(tǒng)效率。

機(jī)械尺寸和封裝信息

模塊提供了兩種封裝形式:Q2PACK PRESS FIT PINS(壓配引腳)和Q2PACK SOLDER PINS(焊接引腳),封裝尺寸為PIM48, 93x47。文檔詳細(xì)給出了模塊的機(jī)械尺寸和引腳位置信息,工程師在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)需要嚴(yán)格按照這些尺寸進(jìn)行布局,以確保模塊的正確安裝和連接。

總結(jié)

安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊憑借其先進(jìn)的技術(shù)、高效的性能和可靠的品質(zhì),在太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)和不間斷電源等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。作為電子工程師,在選擇功率模塊時(shí),需要綜合考慮模塊的電氣特性、機(jī)械尺寸、應(yīng)用場景等因素,以確保設(shè)計(jì)出的系統(tǒng)能夠滿足性能和可靠性要求。在實(shí)際應(yīng)用中,你是否遇到過功率模塊選型不當(dāng)導(dǎo)致的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    300

    文章

    5094

    瀏覽量

    214826
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    612

    瀏覽量

    46664
  • 三電平
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    86

    瀏覽量

    15927
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    ON安森美功率應(yīng)用TO247封裝IGBT單管

    電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個(gè)器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT
    發(fā)表于 07-07 08:40

    安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/

    安森美新增100V N溝道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor
    發(fā)表于 02-05 08:37 ?2020次閱讀

    NXH160T120L2Q1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH160T120L2Q1真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2SG相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2SG的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH450N65L4Q2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH450N65L4Q2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH450N65L4Q2真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2S1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2S1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 07:02

    Onsemi安森美太陽能IGBT解決方案產(chǎn)品目錄

    PIMQ2壓合引腳/焊接引腳NXH350N100H4Q2F2P1G/S1G是Q2PACK/1500V系統(tǒng)INPC逆變器PIMQ2壓合引腳/焊接引腳N
    發(fā)表于 08-16 16:44 ?0次下載

    ?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析

    安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊是一款功率模塊,其中包含一個(gè)I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:31 ?1323次閱讀
    ?基于<b class='flag-5'>NXH600N65L4Q2F2</b> IGBT三電平NPC逆變器<b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)解析

    探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:35 ?243次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>NXH80T120L2Q0S2</b>G/S<b class='flag-5'>2</b>TG, <b class='flag-5'>NXH80T120L2Q0P2</b>G <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能

    onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G與NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率模塊對于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討一下onsemi推出的三電平ANPC Q2Pack模塊——
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:51 ?756次閱讀
    onsemi三電平ANPC <b class='flag-5'>Q2</b>Pack<b class='flag-5'>模塊</b>:<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2</b>S1G/P1G與<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2S2</b>G/P<b class='flag-5'>2</b>G的詳細(xì)解析

    探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G:Si/SiC 混合模塊的卓越性能

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G,一款具有出色性能的 Si/SiC 混合三通道飛跨電容升壓
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:08 ?516次閱讀
    探索 onsemi <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2</b>S1G:Si/SiC 混合<b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能

    onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,功率模塊的性能對整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天我們要深入探討的是onsemi推出的NXH400N100L4Q2F2SG和N
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?593次閱讀
    onsemi <b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>SG和<b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>PG<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>深度解析

    深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊,了解它的特點(diǎn)、參數(shù)以及
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:43 ?216次閱讀
    深入解析 onsemi <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2</b>S1G Si/SiC 混合<b class='flag-5'>模塊</b>

    探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊:Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能和可靠性對整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天,我們來深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2NXH4
    的頭像 發(fā)表于 12-08 14:29 ?190次閱讀
    探索onsemi <b class='flag-5'>NXH450B100H4Q2F2</b>/<b class='flag-5'>Q2F2</b>PG-R <b class='flag-5'>Q2</b>BOOST<b class='flag-5'>模塊</b>:Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

    安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,高效可靠功率模塊一直是工程師們追求的目標(biāo)。安森美(onsemi)的NXH400N10
    的頭像 發(fā)表于 12-08 16:00 ?178次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>NXH400N100H4Q2F2</b><b class='flag-5'>系列</b>三電平NPC <b class='flag-5'>Q2</b>Pack<b class='flag-5'>模塊</b>深度解析