chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-04 10:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊,看看它有哪些獨(dú)特之處。

文件下載:onsemi NXH80T120L2Q0S2,P2G和Q0PACK電源模塊.pdf

模塊概述

NXH80T120L2Q0S2/P2G 是一款集成了 T - 型中性點(diǎn)鉗位(NPC)三電平逆變器級的功率模塊。其內(nèi)部集成的場截止溝槽 IGBT 和快速恢復(fù)二極管,能夠有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,為設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)高效率和卓越可靠性的設(shè)計(jì)目標(biāo)提供了有力支持。

原理圖

產(chǎn)品特性

低損耗與高效能

該模塊具有低開關(guān)損耗和低 VCESAT 的特點(diǎn),這意味著在工作過程中能夠減少能量的損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。對于追求高效節(jié)能的應(yīng)用場景來說,這無疑是一個(gè)重要的優(yōu)勢。

緊湊設(shè)計(jì)

模塊采用了緊湊的 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm 封裝,節(jié)省了電路板空間,使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加靈活。在如今對產(chǎn)品小型化要求越來越高的市場環(huán)境下,這種緊湊設(shè)計(jì)具有很大的吸引力。

多樣化選擇

提供了多種選項(xiàng),包括帶有預(yù)涂熱界面材料(TIM)和未預(yù)涂 TIM 的版本,以及可焊接引腳和壓接引腳的版本。這種多樣化的選擇能夠滿足不同用戶的需求,方便設(shè)計(jì)師根據(jù)具體應(yīng)用場景進(jìn)行選擇。

典型應(yīng)用

該模塊適用于多種應(yīng)用場景,其中典型的應(yīng)用包括太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)。在太陽能逆變器中,模塊的低損耗特性能夠提高太陽能轉(zhuǎn)換效率,將更多的太陽能轉(zhuǎn)化為電能;在 UPS 中,其高效能和可靠性能夠確保在市電中斷時(shí),為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力支持。

關(guān)鍵參數(shù)分析

最大額定值

類別 參數(shù) 符號 單位
半橋 IGBT 集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 1200 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 VGE ±20 V
連續(xù)集電極電流(T = 80°,TJ = 175°C) lc 67 A
脈沖集電極電流(T = 175°C) Icpulse 201 A
最大功耗(Th = 80°C,T = 175°C) Ptot 158 W
短路耐受時(shí)間(VGE = 15V,VcE = 600V,TJ ≤ 150°) Tsc 5 uS
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40
最大工作結(jié)溫 TJMAX 150
中性點(diǎn) IGBT 集電極 - 發(fā)射極電壓 VCES 600 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 VGE +20 V
連續(xù)集電極電流(T = 80,T = 175°C) lc 49 A
脈沖集電極電流(T = 175°C) Icpulse 147 A
最大功耗(T = 80°C,T = 175°C) Ptot 86 W
短路耐受時(shí)間(VGE = 15V,VcE = 400V,TJ ≤ 150°C) Tsc 5 uS
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40
最大工作結(jié)溫 TJMAX 150
半橋二極管 重復(fù)峰值反向電壓 VRRM 1200 V
連續(xù)正向電流(Th = 80°C,TJ = 175°C) IF 28 A
重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C,tp 受 TJmax 限制) IFRM 84 A
最大功耗(T = 80°C,T = 175°C) Ptot 73 W
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40
最大工作結(jié)溫 TJMAX 150
中性點(diǎn)二極管 重復(fù)峰值反向電壓 VRRM 650 V
連續(xù)正向電流(T = 80,T = 175°C) IF 33 A
重復(fù)峰值正向電流(T = 175°C,受 TJmax 限制) IFRM 99 A
最大功耗(Th = 80°,TJ = 175°C) Ptot 63 W
最小工作結(jié)溫 TJMIN -40
最大工作結(jié)溫 TJMAX 150
熱特性 儲存溫度范圍 Tstg -40 to 125
絕緣特性 隔離測試電壓(t = 1 sec,60 Hz) Vis 3000 VRMS
爬電距離 12.7 mm

這些最大額定值為我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考,確保模塊在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。例如,在選擇電源和負(fù)載時(shí),需要考慮模塊的電壓和電流額定值,避免超過其最大承受能力。

推薦工作范圍

模塊的推薦工作結(jié)溫范圍為 -40℃ 至 150℃。在這個(gè)范圍內(nèi),模塊能夠保證較好的性能和可靠性。如果超出這個(gè)范圍,可能會(huì)影響模塊的正常工作,甚至導(dǎo)致模塊損壞。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,需要采取適當(dāng)?shù)纳岽胧_保模塊的工作溫度在推薦范圍內(nèi)。

電氣特性

電氣特性表詳細(xì)列出了模塊在不同條件下的各項(xiàng)參數(shù),如集電極 - 發(fā)射極截止電流、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、柵極 - 發(fā)射極閾值電壓等。這些參數(shù)對于我們理解模塊的性能和進(jìn)行電路設(shè)計(jì)非常重要。例如,通過集電極 - 發(fā)射極飽和電壓的參數(shù),我們可以計(jì)算出模塊在導(dǎo)通時(shí)的功率損耗;通過開關(guān)損耗的參數(shù),我們可以評估模塊在高頻開關(guān)時(shí)的效率。

典型特性曲線

文檔中提供了大量的典型特性曲線,包括輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、開關(guān)損耗與集電極電流的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能變化。例如,通過開關(guān)損耗與集電極電流的關(guān)系曲線,我們可以選擇合適的集電極電流,以降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們可以根據(jù)這些曲線來優(yōu)化電路參數(shù),使模塊達(dá)到最佳的工作狀態(tài)。

訂購信息與封裝尺寸

訂購信息

提供了三種可訂購的部件編號,分別為 NXH80T120L2Q0P2G、NXH80T120L2Q0S2G 和 NXH80T120L2Q0S2TG,它們的封裝和發(fā)貨信息也有所不同。設(shè)計(jì)師可以根據(jù)自己的需求選擇合適的部件。

封裝尺寸

詳細(xì)給出了兩種封裝(Q0PACK CASE 180AA 和 Q0PACK CASE 180AB)的尺寸信息,包括各個(gè)維度的最小值、標(biāo)稱值和最大值。同時(shí),還提供了引腳位置和推薦的安裝模式。這些信息對于 PCB 設(shè)計(jì)非常重要,確保模塊能夠正確地安裝在電路板上。

總結(jié)

NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊以其低損耗、緊湊設(shè)計(jì)和多樣化的選擇,在太陽能逆變器和 UPS 等應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。通過對其關(guān)鍵參數(shù)和典型特性的分析,我們可以更好地了解該模塊的性能,為電路設(shè)計(jì)提供有力的支持。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的需求和工作條件,合理選擇模塊的參數(shù)和封裝,確保系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。

你在使用這款模塊的過程中,有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    612

    瀏覽量

    46664
  • 三電平逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    35

    瀏覽量

    9869
  • NPC
    NPC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    31

    瀏覽量

    5488
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Samtec申泰鍍金插座SFC-120-T2-F-D-A-K、SEI-120-02-G-S-E-AB 、HTSW-103-07-G-S

    -625 DW-50-10-S-D-400 DW-50-10-S-D-450 DW-50-10-S-D-720 DW-50-10-S-Q-200 CLM-115-02-
    發(fā)表于 06-08 10:54

    NXH25T120L2Q1 功率集成模塊(PIM) 3通道T型NPC 1200 V 25 A IGBT 650 V 25 A IGBT

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH25T120L2Q1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH25T120L2Q1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH25T120L2Q1真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH160T120L2Q1真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2SG相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2SG的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH80B120H2Q0相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH80B120H2Q0的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH80B120H2Q0真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH80T120L2Q0相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH80T120L2Q0的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH80T120L2Q0真值表,
    發(fā)表于 07-31 07:02

    NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2S1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2S1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 07:02

    NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH80B120L2Q0相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH80B120L2Q0的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH80B120L2Q0真值表,
    發(fā)表于 07-31 05:02

    ?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析

    安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊是一款功率模塊,其中包含一個(gè)I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器。集成式場截止溝槽型IGBT和FRD可降低
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:31 ?1323次閱讀
    ?基于<b class='flag-5'>NXH600N65L4Q2F2</b> IGBT三電平NPC逆變器<b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)解析

    onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊NXH800A100L4Q2F2S1G/P1GNXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率模塊對于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討一下onsemi推出的三電平ANPC Q2Pack模塊——
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:51 ?756次閱讀
    onsemi三電平ANPC <b class='flag-5'>Q2</b>Pack<b class='flag-5'>模塊</b>:<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2S1G</b>/<b class='flag-5'>P1G</b>與<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2S2G</b>/<b class='flag-5'>P2G</b>的詳細(xì)解析

    安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

    在電子工程師的日常工作中,功率模塊的選擇至關(guān)重要,它直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)的NXH400N100L4Q2F2SG和
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:00 ?1077次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>系列<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>:高效與可靠的完美結(jié)合

    探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G:Si/SiC 混合模塊卓越性能

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G,一款具有出色
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:08 ?518次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> onsemi <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2S1G</b>:Si/SiC 混合<b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>卓越性能</b>

    onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,功率模塊性能對整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天我們要深入探討的是onsemi推出的NXH400N100L4Q2F2SG和N
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?594次閱讀
    onsemi <b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>SG和<b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>PG<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>深度解析

    深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊,了解它的特點(diǎn)、參數(shù)以及
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:43 ?217次閱讀
    深入解析 onsemi <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2S1G</b> Si/SiC 混合<b class='flag-5'>模塊</b>

    探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊:Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊性能和可靠性對整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天,我們來深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2NXH4
    的頭像 發(fā)表于 12-08 14:29 ?192次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b>onsemi <b class='flag-5'>NXH450B100H4Q2F2</b>/<b class='flag-5'>Q2F2</b>PG-R <b class='flag-5'>Q2</b>BOOST<b class='flag-5'>模塊</b>:Si/SiC混合技術(shù)的<b class='flag-5'>卓越</b>之選