chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-05 09:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊,了解它的特點(diǎn)、參數(shù)以及典型應(yīng)用。

文件下載:onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si,SiC混合模塊.pdf

模塊概述

NXH600B100H4Q2F2S1G 是一款 Si/SiC 混合三通道飛跨電容升壓模塊。每個(gè)通道包含兩個(gè) 1000 V、200 A 的 IGBT 和兩個(gè) 1200 V、60 A 的 SiC 二極管,并且模塊內(nèi)還集成了一個(gè) NTC 熱敏電阻。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使得該模塊在性能和可靠性方面都有出色的表現(xiàn)。

模塊特點(diǎn)

高效設(shè)計(jì)

采用了具有場截止技術(shù)的溝槽結(jié)構(gòu),這種技術(shù)不僅能夠顯著降低開關(guān)損耗,還能有效減少系統(tǒng)的功耗。同時(shí),模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高功率密度,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化、高性能的需求。

低電感布局

低電感布局有助于降低電磁干擾(EMI),提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。這對于對電磁環(huán)境要求較高的應(yīng)用場景尤為重要。

典型應(yīng)用

太陽能逆變器

在太陽能逆變器中,該模塊能夠高效地將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,提高能源轉(zhuǎn)換效率。其低開關(guān)損耗和高功率密度的特點(diǎn),使得太陽能逆變器在體積和性能上都能得到優(yōu)化。

不間斷電源系統(tǒng)(UPS)

在 UPS 系統(tǒng)中,模塊的高可靠性和穩(wěn)定性能夠確保在市電中斷時(shí),為關(guān)鍵設(shè)備提供持續(xù)的電力供應(yīng)。其快速的響應(yīng)時(shí)間和高效的能量轉(zhuǎn)換能力,能夠有效保護(hù)設(shè)備免受電源故障的影響。

關(guān)鍵參數(shù)解析

絕對最大額定值

器件類型 參數(shù) 數(shù)值 單位
IGBT 集電極 - 發(fā)射極電壓 1000 V
連續(xù)集電極電流(@Tc = 80°C) 173 A
脈沖峰值集電極電流(@Tc = 80°C,TJ = 175°C) 519 A
最大功耗(TJ = 175°C) 422 W
IGBT 反向二極管 峰值重復(fù)反向電壓 1200 V
連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) 66 A
重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C) 98 A
最大功耗(TJ = 175°C) 101 W
碳化硅肖特基二極管 峰值重復(fù)反向電壓 1200 V
連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) 63 A
重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C) 189 A
最大功耗(TJ = 175°C) 204 W
啟動(dòng)二極管 峰值重復(fù)反向電壓 1200 V
連續(xù)正向電流(@Tc = 80°C) 35 A
重復(fù)峰值正向電流(TJ = 175°C) 105 A
最大功耗(TJ = 175°C) 84 W

這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù),確保模塊在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。

電氣特性

文檔中詳細(xì)列出了 IGBT、IGBT 反向二極管、碳化硅肖特基二極管和啟動(dòng)二極管等在不同測試條件下的電氣特性,如集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓、門極 - 發(fā)射極閾值電壓等。這些參數(shù)對于評估模塊的性能和選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路至關(guān)重要。

例如,IGBT 的集電極 - 發(fā)射極飽和電壓在 VGE = 15V,Ic = 200 A,TJ = 25°C 時(shí)典型值為 1.88 V,而在 TJ = 150°C 時(shí)為 2.4 V。這表明隨著溫度的升高,飽和電壓會(huì)有所增加,工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮溫度對模塊性能的影響。

典型特性曲線

文檔中還提供了一系列典型特性曲線,如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和電壓特性、FBSOA、RBSOA 等。這些曲線直觀地展示了模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn),幫助工程師更好地理解模塊的特性和優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。

例如,通過典型的開關(guān)損耗與集電極電流(IC)的關(guān)系曲線,工程師可以選擇合適的工作電流,以降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。

機(jī)械尺寸和引腳連接

模塊采用 PIM56,93x47(SOLDER PIN)CASE 180BK 封裝,文檔詳細(xì)給出了其機(jī)械尺寸和引腳連接圖。準(zhǔn)確的機(jī)械尺寸信息對于 PCB 布局和散熱設(shè)計(jì)非常重要,而清晰的引腳連接圖則有助于工程師正確連接模塊,避免錯(cuò)誤接線導(dǎo)致的故障。

訂購信息

提供了可訂購的部件編號(hào)、標(biāo)記、封裝和運(yùn)輸信息。工程師在采購模塊時(shí),可以根據(jù)這些信息選擇合適的產(chǎn)品,并了解其包裝和運(yùn)輸方式。

總結(jié)

onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊憑借其高效的設(shè)計(jì)、豐富的功能和出色的性能,在太陽能逆變器和不間斷電源系統(tǒng)等應(yīng)用中具有廣闊的前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),可以充分利用該模塊的特點(diǎn)和優(yōu)勢,優(yōu)化系統(tǒng)性能,提高產(chǎn)品的可靠性和競爭力。

在實(shí)際應(yīng)用中,工程師還需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求,結(jié)合模塊的參數(shù)和特性,進(jìn)行詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)和測試,確保系統(tǒng)能夠穩(wěn)定、高效地運(yùn)行。你在使用類似模塊的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3542

    瀏覽量

    68340
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    612

    瀏覽量

    46664
  • 三通道
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    12319
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2SG相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2SG的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH80B120H2Q0相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH80B120H2Q0的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NXH80B120H2Q0真值表,
    發(fā)表于 07-31 08:02

    NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)NXH160T120L2Q2F2S1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NXH160T120L2Q2F2S1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料
    發(fā)表于 07-31 07:02

    Onsemi安森美太陽能IGBT解決方案產(chǎn)品目錄

    PIMQ2壓合引腳/焊接引腳NXH350N100H4Q2F2P1G/S1GQ2PACK/1500V系統(tǒng)INPC逆變器PIMQ2壓合引腳/焊
    發(fā)表于 08-16 16:44 ?0次下載

    ?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析

    安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊是一款功率模塊,其中包含一個(gè)I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器。集成式場截止溝槽型IGBT和FRD可降低
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:31 ?1323次閱讀
    ?基于<b class='flag-5'>NXH600N65L4Q2F2</b> IGBT三電平NPC逆變器<b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)<b class='flag-5'>解析</b>

    onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析

    安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (
    的頭像 發(fā)表于 11-22 17:19 ?1550次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH015F120M3F1</b>PTG 碳化硅功率<b class='flag-5'>模塊</b>技術(shù)<b class='flag-5'>解析</b>

    探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:35 ?243次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>NXH80T120L2Q0S2G</b>/<b class='flag-5'>S2</b>TG, <b class='flag-5'>NXH80T120L2Q0P2G</b> 功率<b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能

    onsemi NXH240B120H3Q1Si/SiC混合模塊的卓越性能解析

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著眾多應(yīng)用的效率和可靠性。今天,我們來深入探討onsemiNXH240B120H3Q1 Si/
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:52 ?227次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH240B120H3Q1</b>:<b class='flag-5'>Si</b>/<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能<b class='flag-5'>解析</b>

    onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊NXH800A100L4Q2F2S1G/P1GNXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率模塊對于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討一下onsemi推出的三電平ANPC Q2Pack模塊
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:51 ?756次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b>三電平ANPC <b class='flag-5'>Q2</b>Pack<b class='flag-5'>模塊</b>:<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2S1G</b>/P<b class='flag-5'>1G</b>與<b class='flag-5'>NXH800A100L4Q2F2S2G</b>/P<b class='flag-5'>2G</b>的詳細(xì)<b class='flag-5'>解析</b>

    探索onsemi NXH600B100H4Q2F2SG:Si/SiC混合模塊的卓越性能與應(yīng)用潛力

    電子工程師們在設(shè)計(jì)電路時(shí),常常需要在眾多的器件中尋找性能卓越、可靠性高且符合應(yīng)用需求的產(chǎn)品。今天,我們就來深入了解一下onsemiNXH600B100H4Q2F2SG,這是一款Si/
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:00 ?755次閱讀
    探索<b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2</b>SG:<b class='flag-5'>Si</b>/<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能與應(yīng)用潛力

    安森美NXH400N100L4Q2F2系列功率模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

    在電子工程師的日常工作中,功率模塊的選擇至關(guān)重要,它直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能和可靠性。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)的NXH400N100L4Q2F2SG和
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:00 ?1075次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>系列功率<b class='flag-5'>模塊</b>:高效與可靠的完美結(jié)合

    探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1GSi/SiC 混合模塊的卓越性能

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemiNXH600B100H4Q2F2S1G,一款具有出色性能的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:08 ?516次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH600B100H4Q2F2S1G</b>:<b class='flag-5'>Si</b>/<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>模塊</b>的卓越性能

    onsemi NXH400N100L4Q2F2SG和NXH400N100L4Q2F2PG功率模塊深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,功率模塊的性能對整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。今天我們要深入探討的是onsemi推出的NXH400N100L4Q2F2SG和N
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?593次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>SG和<b class='flag-5'>NXH400N100L4Q2F2</b>PG功率<b class='flag-5'>模塊</b>深度<b class='flag-5'>解析</b>

    探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

    在電子工程領(lǐng)域,功率模塊的性能和可靠性對整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天,我們來深入了解一下onsemiNXH450B100H4Q2F2NXH4
    的頭像 發(fā)表于 12-08 14:29 ?190次閱讀
    探索<b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NXH450B100H4Q2F2</b>/<b class='flag-5'>Q2F2</b>PG-R <b class='flag-5'>Q2</b>BOOST<b class='flag-5'>模塊</b>:<b class='flag-5'>Si</b>/<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>混合</b>技術(shù)的卓越之選

    安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析

    在電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率模塊一直是工程師們追求的目標(biāo)。安森美(onsemi)的NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack
    的頭像 發(fā)表于 12-08 16:00 ?179次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>NXH400N100H4Q2F2</b>系列三電平NPC <b class='flag-5'>Q2</b>Pack<b class='flag-5'>模塊</b>深度<b class='flag-5'>解析</b>