隨著 AI 算力需求的爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正面臨功率密度激增、能耗加劇及行業(yè)效率標準日趨嚴苛的多重考驗。作為功率器件領域的領導廠商，安森美（onsemi）如何助力客戶突破能效瓶頸，以下通過安森美專家的核心回復，快速聚焦公司的技術核心、產(chǎn)品優(yōu)勢與未來布局。

AI數(shù)據(jù)中心面臨什么樣的能耗挑戰(zhàn)？

AI 算力需求的爆發(fā)式增長帶來了諸多挑戰(zhàn)。一方面，單機架功率密度已突破 100kW，傳統(tǒng)電源方案在高功率轉(zhuǎn)換過程中，開關損耗與傳輸損耗問題凸顯，能源浪費嚴重；另一方面，AI 任務負載存在動態(tài)波動特性，傳統(tǒng)電源在 10% 以下的輕載場景中效率大幅下降，難以實現(xiàn)全時段能效優(yōu)化。

安森美的核心技術方案是什么？

最新一代650V M3S EliteSiC MOSFET具備卓越的開關性能和低器件電容，與上一代產(chǎn)品相比，柵極電荷減少 50%，輸出電容能量和輸出電荷均降低 44%，這些優(yōu)勢使其在高頻率、高功率密電源轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)突出，能顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)效率。

PowerTrenchT10 MOSFET系列則采用屏蔽柵極溝槽技術，擁有超低柵極電荷和低于 1mΩ 的導通電阻，可在緊湊封裝中實現(xiàn)更高的功率密度和優(yōu)異的熱性能。同時，其軟恢復體二極管和低反向恢復電荷能有效減少振鈴和噪聲，進一步提升系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)健性。

針對 AI 領域大電流、高功率場景的核心痛點，SiC Cascode JFET展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。該產(chǎn)品具備超低導通電阻、更高的峰值電流、低熱阻以及柵極驅(qū)動兼容性等特點，非常適用于 AI PSU 設計，為實現(xiàn)下一代 20kW 系統(tǒng)提供有力支持。

此外，安森美推出的第一代基于 1200V SiC MOSFET 的 SPM31 智能功率模塊（IPM）系列，在超緊湊的封裝尺寸中實現(xiàn)了超高的能效和功率密度，相比市場上其他領先解決方案，能降低整體系統(tǒng)成本。該系列 IPM 改進了熱性能、降低了功耗，支持快速開關速度，且以緊湊封裝提供業(yè)界領先的廣泛可擴展、靈活的集成功率模塊解決方案，十分適用于 AI 數(shù)據(jù)中心的三相變頻驅(qū)動應用。

安森美如何保障供應鏈穩(wěn)定？

安森美通過深度的垂直整合與緊密的供應鏈協(xié)同戰(zhàn)略，為解決方案的穩(wěn)定供應保駕護航。在 SiC 這一核心領域，安森美構建了從襯底生長、外延、晶圓制造到模塊封裝的完整垂直整合供應鏈。

未來安森美的研發(fā)重點是什么？

當前數(shù)據(jù)中心電源輸出功率多在 3-5kW，未來將向 20kW 以上快速演進。以單個 AI 服務器機架為例，其功耗已從 15-30kW 攀升至 90-120kW，部分超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心甚至需要支持 25-30kW 的高壓直流（HVDC）架構，這對電源系統(tǒng)提出了更高要求，需在保持高可靠性的同時，突破傳統(tǒng)硅基器件的物理極限。

基于這一趨勢，安森美明確了未來研發(fā)投入的三大核心方向。首先，持續(xù)迭代 SiC 技術平臺，深化 EliteSiC 系列研發(fā)，后續(xù)將優(yōu)化器件電容與柵極驅(qū)動兼容性，以適配高功率架構；其次，優(yōu)化硅基功率器件性能，升級 PowerTrenchT10 系列，提升 DC-DC 轉(zhuǎn)換的大電流承載能力及熱穩(wěn)定性，滿足 AI 服務器多相供電需求；最后，強化垂直整合與場景化方案，推進 SiC 生產(chǎn)基地擴建，保障 SiC 器件產(chǎn)能穩(wěn)定，同時投資于創(chuàng)新的器件結構設計、封裝等研究。