威兆半導體推出的VS6614DS是一款面向 65V 中低壓場景的雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓雙路供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=10V\)時典型值12mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值20mΩ，中低壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時10A，\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：40A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足雙路負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 雙通道集成設計：單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET，簡化雙路電源拓撲的電路布局；
• VeriMOS? II 技術：實現(xiàn)快速開關特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，提升雙路電源的功率密度；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 16mJ（單通道），感性負載開關場景穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化、高密度雙路電源電路板設計；
• 典型應用：
  • 65V 級中低壓雙路 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 雙路同步整流回路；
  • 消費電子、工業(yè)設備的雙路中功率負載開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）