威兆半導體推出的VS3622DP2是一款面向 30V 低壓場景的雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 PDFN5x6 封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=10V\)時典型值7.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值11mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：42A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為28A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：168A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足雙路負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 雙通道 + 5V 邏輯控制：單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET，適配 5V 邏輯驅動，簡化雙路電源拓撲設計；
• 低導通電阻 + 高可靠性：7.5~11mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導損耗，且通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 21mJ（單通道），感性負載開關穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度雙路電源電路板設計；
• 典型應用：
  • 30V 級雙路低壓大電流 DC/DC 轉換器；
  • 雙路同步整流回路；
  • 工業(yè)設備、消費電子的雙路中功率負載開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）