探索TLE49SR：高性能角度傳感器的卓越之選
探索TLE49SR：高性能角度傳感器的卓越之選
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，角度傳感器是一個關(guān)鍵的組件，它廣泛應(yīng)用于各種需要精確測量角度的場景。今天，我們就來深入了解一下英飛凌的TLE49SR系列角度傳感器，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
文件下載：Infineon Technologies TLE49SRx角度傳感器.pdf
產(chǎn)品概述
TLE49SR是基于霍爾技術(shù)的雜散場魯棒角度傳感器，用于測量0°至360°范圍內(nèi)的絕對角位置。它提供數(shù)字輸出接口，采用空間分離的霍爾單元，能夠?qū)崿F(xiàn)對磁場的雜散場魯棒測量，同時在集成電路上還集成了信號調(diào)理電路。該系列傳感器支持SENT和SPC接口，并且是根據(jù)ISO 26262標準開發(fā)的安全元件，可滿足高達ASIL D級別的安全要求。
產(chǎn)品型號
TLE49SR系列包含TLE49SRC8D和TLE49SRS8D兩種型號，它們分別采用SPC和SENT接口，均采用SMD雙芯片封裝。
產(chǎn)品特性
- 雜散場魯棒性：具備內(nèi)在的雜散場魯棒性，能夠有效抵抗外界雜散磁場的干擾，確保測量的準確性。
- 差分霍爾角度傳感器：基于差分霍爾原理，實現(xiàn)對磁場的精確測量。
- 360°角度測量：可實現(xiàn)全范圍的角度測量，滿足各種應(yīng)用需求。
- 角度速度信息：不僅能提供角度信息，還能輸出角度速度信息。
- 多種接口支持：支持SPC和SENT接口，方便與其他設(shè)備進行通信。
- 雙芯片封裝：采用SMD雙芯片封裝，提高了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
- 高精度測量：在整個生命周期和溫度范圍內(nèi)，最大固有角度誤差不超過±1°。
- 高電壓和反極性能力：具備高電壓和反極性保護能力，增強了產(chǎn)品的抗干擾能力。
- 14位絕對角度值輸出：在輸出端以14位表示360°范圍內(nèi)的絕對角度值，提供了較高的分辨率。
- EEPROM存儲：內(nèi)置EEPROM，可用于存儲配置信息（如零角度）和客戶特定ID。
- 安全設(shè)計：符合ISO 26262標準，可作為安全元件使用，滿足汽車等對安全性要求較高的應(yīng)用場景。
- 查找表校正：通過查找表校正系統(tǒng)角度誤差，進一步提高測量精度。
潛在應(yīng)用
TLE49SR系列傳感器具有廣泛的應(yīng)用前景，常見的應(yīng)用場景包括：
- 底盤高度傳感器：用于測量汽車底盤的高度，實現(xiàn)對車輛懸掛系統(tǒng)的精確控制。
- 踏板位置傳感器：監(jiān)測汽車踏板的位置，為發(fā)動機控制系統(tǒng)提供準確的輸入信號。
- 節(jié)氣門位置傳感器：精確測量節(jié)氣門的開度，確保發(fā)動機的正常運行。
- 轉(zhuǎn)向角度傳感器：測量汽車轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的角度，為電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
- 雨刮器位置傳感器：檢測雨刮器的位置，實現(xiàn)自動雨刮功能。
產(chǎn)品詳細參數(shù)
絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 最大電源電壓 | VDD max | -21 | 26 | V | 最大1分鐘@Tj = 175°C或最大1小時@Tj = 100°C | |
| 最大I/O電壓 | Vio_Max | -18 | 19.5 | V | 最大40小時 | |
| 電源電壓峰值 | VDD_peak | 30 | V | 最大50微秒，無電流限制 | ||
| I/O電壓峰值 | Vo_peak | 30 | V | 最大50微秒，無電流限制 | ||
| 最大緩沖電容電壓 | VcBuf max | -0.3 | 5.5 | V | ||
| 最大電源電流 | DD_max | -75 | 45 | mA | 最大40小時，電流 < 0表示短路到VoD | |
| 最大I/O電流 | ho_max | -130 | 130 | mA | 最大1小時，電流 > 0表示短路到GND，電流 < 0表示短路到VoD | |
| 最大環(huán)境溫度 | TA max | -40 | 150 | °C | 最大1000小時@TA = 150°C（非累加） | |
| 最大結(jié)溫 | TJ_max | -40 | 175 | °C | 最大1000小時@T = 175°C（非累加）；其他結(jié)溫下的最大暴露時間應(yīng)使用Arrhenius模型計算 | |
| 雙芯片隔離能力 | Viso | 12 | V | 從芯片1的任何引腳到芯片2的任何引腳 | ||
| 雙芯片隔離能力 | Viso | 100 | V | 從芯片1的任何引腳到芯片2的任何引腳，限制為60秒 | ||
| 雙芯片隔離能力 | Viso | 300 | V | 從芯片1的任何引腳到芯片2的任何引腳，限制為100微秒 | ||
| 隔離規(guī)格 | Risol | 4 | MS | 兩個芯片之間 | ||
| 存儲和運輸溫度 | Tstorage | 5 | 40 | °C | 對于干燥包裝的設(shè)備，相對濕度 < 90%，存儲時間 ≤ 3年 |
ESD抗擾度
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM ESD抗擾度 | VHBM | +4 | kV | 根據(jù)AEC - Q100 - 002標準，對于連接GND引腳的靜電放電電壓 | ||
| HBM ESD抗擾度 | VHBM | ±2 | kV | 根據(jù)AEC - Q100 - 002標準的靜電放電電壓 | ||
| CDM ESD抗擾度 | VCDM | ±0.5 | kV | 產(chǎn)品能承受根據(jù)AEC - Q100 - 011標準規(guī)定的靜電放電電壓，除角引腳外的所有引腳 | ||
| CDM ESD抗擾度 | VCDM | ±0.75 | kV | 產(chǎn)品能承受根據(jù)AEC - Q100 - 011標準規(guī)定的靜電放電電壓，僅角引腳 |
雜散場魯棒性
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 直流雜散場魯棒性 | BExt_DC | -8 | 8 | mT | ||
| 交流雜散場魯棒性 | BExt_AC | -1.25 | 1.25 | mT | 根據(jù)ISO 11452 - 8:2015標準 |
壽命和點火循環(huán)
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作壽命 | top_life | 15k | h | 最大1000小時@Tj_max = 175°C（非累加） | ||
| 總壽命 | ttot_life | 19 | a | 額外3年存儲時間 | ||
| 點火循環(huán)次數(shù) | Nignition | 54k | 在工作壽命top_life期間 |
功能范圍
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作結(jié)溫 | TJ | -40 | 175 | °C | 最大1000小時@T = 175°C（非累加）；其他結(jié)溫下的最大暴露時間應(yīng)使用Arrhenius模型計算 | |
| 工作環(huán)境溫度 | TA | -40 | 150 | °C | 最大1000小時@T = 150°C（非累加）；符合Grade 0標準 | |
| 工作電源電壓 | VDD | 4.5 | 5.5 | V | ||
| 輸出上拉電壓 | Vpulup | 3.0/4.5 | 5.5 | V | 3.3V上拉電壓僅在EEPROM中設(shè)置3.3V總線能力位時有效 | |
| 輸出泄漏電流 | loUT_Leak | 20 | 120 | μA | Voo = 5V且0 < Vpullup | |
| 電源電壓轉(zhuǎn)換率 | VDD_slew | 0.1 | 108 | V/s | 轉(zhuǎn)換率是單位時間內(nèi)的最大電壓變化，與應(yīng)用電路有關(guān) | |
| 工作電源電流 | IDD | 4 | 13.5 | 16.5 | mA | 每個芯片的值，如果兩個芯片連接到同一電源，電源電流需加倍 |
| 角度范圍 | a | 0 | 360 | ° | ||
| 角度分辨率 | RES | 0.022 | °/bit |
工作磁場范圍
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作磁場 | Bop | 20 | 90 | mT | 基于差分磁場；與封裝表面正交的磁場分量 | |
| 擴展工作磁場 | Bop_ext | 10 | 20 | mT | 基于差分磁場；與封裝表面正交的磁場分量。在擴展工作范圍（10至20mT之間），警告位激活 |
角度速度
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 角度速度 | n | 10000 | rpm | |||
| 角度速度總誤差 | Δn | -3 | 3 | % | 對于恒定速度 | |
| 角度速度噪聲 | nRMS | 5 | rpm |
角度速度信號屬性
| 角度速度模式 | vc1 | va2 | va3 | va4 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 測量范圍最大值 | ±1000 | +5000 | +4606 | ±180000 | °/s |
| 信號分辨率 | 12 | 12 | 16 | 16 | bit |
| 延遲時間 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 0.5 | ms |
熱阻
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RthJA | 87 | 91 |
產(chǎn)品特性詳解
功能描述
角度精度
| TLE49SR的固有角度誤差包括IC本身的所有誤差，不考慮機械或磁公差。機械或磁公差會增加角度誤差，但可以通過生產(chǎn)線末端的多點校準進行補償。 | 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 固有角度誤差 | AEINL | 0.8 | ° | 包括偏移、溫度范圍內(nèi)的靈敏度失配，假設(shè)為理想磁場 | |||
| 擴展磁場范圍內(nèi)的固有角度誤差 | AEINL_EXT | 1.25 | ° | 包括偏移、溫度范圍內(nèi)的靈敏度失配，假設(shè)為理想磁場 | |||
| 固有角度精度壽命漂移 | AEdrift | 0.2 | ° | ||||
| 輸出噪聲（RMS） | OUTnoise_1k_5Hz | 0.05 | 0.1 | ° | 對于LP - 濾波器設(shè)置8，20mT磁感應(yīng)強度和Tamb = 25°C |
接口時序
- SENT接口時序：原始數(shù)據(jù)通過SYNC半字節(jié)的下降沿進行連續(xù)濾波和采樣，角度計算從此時開始，并生成輸出協(xié)議。角度計算完成后，在同一SENT幀內(nèi)傳輸角度值，實現(xiàn)角度數(shù)據(jù)的恒定延遲。
- SPC接口時序：在接收到有效的SPC觸發(fā)信號后，原始數(shù)據(jù)根據(jù)配置的濾波器特性進行連續(xù)濾波，并在同步脈沖的下降沿進行采樣。同步脈沖的下降沿還會啟動角度計算和剩余協(xié)議的設(shè)置，并在同一SPC幀內(nèi)發(fā)送。同樣實現(xiàn)了角度數(shù)據(jù)相對于觸發(fā)事件的恒定延遲。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 上電時間 | tPoN | 2 | 198 | ms | 啟動或復(fù)位后傳感器準備好運行的時間；可按192μs步長配置 | |
| 內(nèi)部時鐘公差 | Afclock | -3.5 | 3.5 | % | 包括溫度和壽命影響 |
外部電路
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 線路電容 | CL | 1.3 | nF | 對于SENT/SPC協(xié)議，根據(jù)配置的單位時間在0.75μs至1μs之間 | ||
| 線路電容 | CL | 2.2 | nF | 對于SENT/SPC協(xié)議，根據(jù)配置的單位時間在1.05μs至2μs之間 | ||
| 線路電容 | CL | 3.9 | nF | 對于SENT/SPC協(xié)議，根據(jù)配置的單位時間在2.05μs至3μs之間 | ||
| 電源電容 | Cs | 100 | nF | TDSO - 8 | ||
| CBUF電容 | CBUF | 57.8 | 68 | 78.2 | nF | TDSO - 8 |
| SENT上拉電阻 | RP_SENT | 10 | 55 | kΩ | TDSO - 8，用于SENT協(xié)議 | |
| SPC上拉電阻 | Rp_SPC | 1.45 | 2.2 | 10 | kΩ | TDSO - 8，根據(jù)配置的單位時間用于SPC協(xié)議 |
特定模塊描述
診斷功能
磁場超出范圍
傳感器通過狀態(tài)和通信半字節(jié)中的警告位指示磁場超出指定范圍。
欠壓和過壓條件
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注或條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD欠壓檢測 | Vuv | 3.2 | 4.1 | V | 低于此電平，不傳輸協(xié)議 | |
| VDD過壓檢測 | Vov | 6.5 | 7.35 | V | 高于此電平，不傳輸協(xié)議 | |
| 欠壓復(fù)位時間 | tuv | 50 | μs | 低于閾值的時間，傳感器啟動安全反應(yīng) | ||
| 欠壓遲滯 | Vuv_hyst | 300 | 380 | 500 | mV | |
| 過壓遲滯 | Vov_hyst | 100 | 160 | 300 | mV | |
| 過壓反應(yīng)時間 | tov_RT | 50 | μs | 對過壓條件做出反應(yīng)并禁用輸出的時間 | ||
| 過壓恢復(fù)時間 | tov | 50 | μs | 過壓條件后啟用協(xié)議輸出的時間 | ||
| 欠壓反應(yīng)時間 | tuv_RT | 50 | μs | 對欠壓條件做出反應(yīng)并禁用輸出的時間 | ||
| 欠壓恢復(fù)時間 | tuv_RT | 50 + 濾波器延遲 | μs | 欠壓條件后啟用協(xié)議輸出的時間 |
接口
SENT接口
- 接口描述：SENT接口是一種標準化的單向數(shù)字協(xié)議，信息以不同長度的半字節(jié)編碼，每個半字節(jié)包含4位信息。單位時間（UT）和半字節(jié)低時間可配置，可減少整體幀長度。
- 協(xié)議組成：標準傳感器協(xié)議包括同步周期、狀態(tài)半字節(jié)、3或4個數(shù)據(jù)半字節(jié)、可選的2個溫度半字節(jié)、可選的滾動計數(shù)器半字節(jié)、CRC半字節(jié)和可選的暫停脈沖。單安全傳感器協(xié)議包括同步脈沖、狀態(tài)半字節(jié)、3個數(shù)據(jù)半字節(jié)、2個包含8位滾動計數(shù)器信息的
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