叮叮叮！感謝各位粉絲2025年的一路相隨和支持，以下精選干貨請查收，幫你快速 get 全年精彩內(nèi)容

1

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。

2

IGBT的電流是如何定義的

英飛凌IGBT模塊型號上是標(biāo)稱電流，是基于一定的殼溫計(jì)算得到的集電極直流電流，與實(shí)際IGBT開關(guān)輸出電流并不是一個(gè)概念。

系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則一：IGBT的最高工作結(jié)溫不允許超過Tvjmax。

系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則二：IGBT最大電流取決于脈沖電流能力和反偏安全工作區(qū)，也就是IGBT關(guān)斷電流能力，一般是兩倍的標(biāo)稱電流，設(shè)計(jì)中關(guān)斷電流不能超過反偏安全工作區(qū)，那么系統(tǒng)設(shè)計(jì)是安全可靠的。

圖：TRENCHSTOP IGBT4 IGC142T120T8RM數(shù)據(jù)手冊截圖

3

經(jīng)典導(dǎo)讀：IGBT驅(qū)動(dòng)電流行為綜述

文章剖析了IGBT驅(qū)動(dòng)電流的基本概念，通過實(shí)測案例和理論分析，揭示了在不同柵極電壓下，寄生電感如何影響IGBT的開關(guān)速度和損耗；探討了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)如何選取合適的驅(qū)動(dòng)電流，以確保既滿足驅(qū)動(dòng)能力要求，又避免引起開通振蕩。對于從事IGBT應(yīng)用及相關(guān)領(lǐng)域研究的工程師和技術(shù)人員來說，無疑具有重要的參考價(jià)值！

4

經(jīng)典導(dǎo)讀：IGBT損耗計(jì)算

文章通過對比理想的開通波形和實(shí)際開通波形，詳細(xì)推導(dǎo)了開通損耗的計(jì)算公式，并提出了分段近似計(jì)算的方法來處理實(shí)際波形中的非線性部分。對于導(dǎo)通損耗，文章指出了Vce與Ic的關(guān)聯(lián)性，并給出了利用實(shí)際測試波形和規(guī)格書中的Vce-Ic曲線進(jìn)行計(jì)算的步驟。

5

碳化硅何以英飛凌？——

溝槽柵技術(shù)可靠性真相

全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。

6

碳化硅何以英飛凌？——

SiC MOSFET性能評價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

7

柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的

重要作用

碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。

8

驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)知識(shí)和設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)寶典

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)器的功能。

圖 1ED332xMC12N系列電隔離單通道驅(qū)動(dòng)IC的輸入側(cè)框圖

9

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)文集

功率半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)系列文章上線！本專欄匯集了14篇由英飛凌資深專業(yè)人士撰寫的功率半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)系列文章，約3萬字，涵蓋熱阻、結(jié)溫、熱容等多方面知識(shí)，從熱阻基礎(chǔ)到瞬態(tài)熱測量，從結(jié)溫獲取到PCB設(shè)計(jì)，為你的熱設(shè)計(jì)難題提供專業(yè)、權(quán)威且實(shí)用的技術(shù)參考。

IGBT模塊的風(fēng)冷散熱

10

三相四線變換器拓?fù)渑c原理簡介

三相四線制配電具有穩(wěn)定性高、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，多應(yīng)用于工商業(yè)、民用等低壓配電場景，在傳統(tǒng)的APF、UPS等應(yīng)用里，三相四線變換器已被大量采用，近年來，工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性、電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下，不平衡負(fù)載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。SiC MOSFET結(jié)合三相四橋臂變換器在此應(yīng)用場景具有明顯的應(yīng)用優(yōu)勢。

圖. 變壓器式三相四線拓?fù)?/p>