站在 2025 年的歲末回望，三菱電機以覆蓋芯片、模塊至系統(tǒng)級的密集創(chuàng)新成果，交出了一份亮眼的年度答卷。這不僅是一次產(chǎn)品矩陣的迭代升級，更是企業(yè)面向多行業(yè)應(yīng)用場景，提供系統(tǒng)性高效解決方案的戰(zhàn)略實力彰顯。接下來，讓我們一同解碼這份驅(qū)動未來的技術(shù)藍圖。

01家電用DIPIPMTM ：小巧身形，澎湃能效

2025 年 4 月 22 日，三菱電機正式發(fā)布兩款空調(diào)及家電專用 SLIMDIP 系列功率半導體模塊樣品 —— 全 SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）與混合 SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。該系列提供全 SiC 與混合 SiC 雙技術(shù)路徑選擇，在從小型到大型各類電器應(yīng)用中，均能實現(xiàn)卓越的輸出性能與顯著的功耗降低，為空調(diào)廠商帶來兼具靈活性與高效能的解決方案。

全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）與相同封裝的混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）

面對全球家電市場對小型化、高能效的迫切訴求，三菱電機于 2025 年 9 月 22 日推出新一代 Compact DIPIPM系列。該系列模塊該模塊的封裝尺寸已縮減至公司現(xiàn)有Mini DIPIPM Ver.7系列產(chǎn)品的約53%，工作溫度下限拓展至零下 40 攝氏度，確保搭載該模塊的空調(diào)等設(shè)備在冬季寒冷地區(qū)穩(wěn)定運行，這一核心特性對北美、北歐市場的熱泵系統(tǒng)而言尤為關(guān)鍵。

PSS30SF1F6模塊，緊湊型DIPIPM系列

02新能源發(fā)電用IGBT模塊：功率升級，綠色賦能

在新能源領(lǐng)域，三菱電機于 2025 年實現(xiàn)重要技術(shù)突破，尤以 2 月 15 日起正式供應(yīng)的第 8 代 IGBT 模塊最為矚目。

以 LV100 標準封裝產(chǎn)品（如 CM1800DW-24ME）為例，該模塊專為太陽能及其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)打造。通過優(yōu)化 IGBT 與二極管芯片布局，其額定電流從第 7 代的 1200A 大幅提升至 1800A，助力逆變器輸出功率顯著提高；同時，創(chuàng)新采用雙段式分裂柵及深層緩沖層技術(shù)，有助于降低導通與開關(guān)損耗。加之傳統(tǒng)封裝設(shè)計便于并聯(lián)連接，可靈活兼容多種功率等級的逆變器方案，為新能源發(fā)電效率提升注入強勁動力。

工業(yè)用LV100封裝 1.2kV IGBT模塊（CM1800DW-24ME）

03牽引與輸電用HV模塊：高壓重載，穩(wěn)定護航

面向軌道交通車輛等大型工業(yè)設(shè)備，三菱電機于 2025 年 5 月 1 日率先推出 “XB 系列” 大容量功率半導體新品 ——3.3kV/1500A 型 XB 系列 HVIGBT 模塊；同年 12 月 9 日，進一步拓展產(chǎn)品矩陣，推出兩款 4.5kV/1200A XB 系列 HVIGBT 模塊，涵蓋標準絕緣（6.0kVrms）封裝與高絕緣（10.0kVrms）封裝兩種規(guī)格。

XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型）

4.5kV/1200A XB 系列HVIGBT模塊（左側(cè)：標準絕緣封裝；右側(cè)：高絕緣封裝）

該系列大容量功率模塊通過采用專有的二極管與 IGBT 元件，搭配獨特的芯片終端結(jié)構(gòu)，能夠顯著增強抗?jié)裥员憩F(xiàn)，有效提升多樣化環(huán)境下大型工業(yè)設(shè)備變流器的運行效率與可靠性，為工業(yè)動脈的穩(wěn)定運轉(zhuǎn)筑牢核心保障。

2025 年，從賦能家電升級的緊湊型 DIPIPMTM模塊，到助推新能源發(fā)電的高效 IGBT 模塊，再到支撐工業(yè)高壓場景的 HV 模塊解決方案，三菱電機以深厚的技術(shù)積淀與清晰的產(chǎn)品路線圖，穩(wěn)步推進功率半導體創(chuàng)新進程，持續(xù)為全球綠色轉(zhuǎn)型提供核心動力。展望 2026，這不僅是時間維度的自然延伸，更是以技術(shù)創(chuàng)新為引擎，邁向綠色未來的全新征程。下一段精彩，三菱電機邀您共同見證！