UCC5880-Q1：汽車應用中高性能IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器

在汽車電子領域，尤其是電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的發(fā)展中，高性能的柵極驅(qū)動器起著至關重要的作用。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（TI）推出的UCC5880-Q1隔離式20A可調(diào)柵極驅(qū)動器，它專為驅(qū)動EV/HEV應用中的高功率SiC MOSFET和IGBT而設計，具備一系列先進的保護功能。

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一、UCC5880-Q1的主要特性

1. 雙輸出驅(qū)動器與實時可變驅(qū)動強度

UCC5880-Q1擁有雙輸出驅(qū)動器，具備±15A和±5A的驅(qū)動電流輸出。通過數(shù)字輸入引腳（GD*），無需SPI即可進行驅(qū)動強度調(diào)整，有3種電阻設置（R1、R2或R1||R2）可供選擇。此外，它還集成了4A有源米勒鉗位，或者可選擇外部驅(qū)動用于米勒鉗位晶體管。

2. 全面的保護功能

• 短路保護：對DESAT事件的響應時間僅為110ns，DESAT保護選擇高達14V。同時，基于分流電阻的短路（SC）和過流（OC）保護，配置保護閾值和消隱時間靈活可調(diào)。
• 欠壓和過壓保護：對內(nèi)部和外部電源提供欠壓和過壓保護，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
• 溫度保護：具備驅(qū)動器管芯溫度感應和過溫保護功能，可有效防止因溫度過高導致的器件損壞。

  3. 集成ADC與數(shù)字比較器

  集成10位ADC，能夠測量功率開關溫度、直流母線電壓、驅(qū)動器管芯溫度、DESAT引腳電壓和VCC2電壓。可編程數(shù)字比較器和先進的VCE/VDS鉗位電路，進一步增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

  4. 功能安全合規(guī)

  該器件專為功能安全應用而開發(fā)，符合ISO 26262系統(tǒng)設計要求，最高可達ASIL D級。提供相關文檔，有助于工程師進行功能安全系統(tǒng)設計。

  5. 集成診斷功能

  內(nèi)置自測試（BIST）用于保護比較器，可進行功率器件健康監(jiān)測的柵極閾值電壓測量，還具備INP到晶體管柵極路徑完整性監(jiān)測、內(nèi)部時鐘監(jiān)測、故障報警和警告輸出以及ISO通信數(shù)據(jù)完整性檢查等功能。

二、應用場景

UCC5880-Q1主要應用于EV和HEV牽引逆變器以及EV和HEV功率模塊。在這些應用中，它能夠為高功率SiC MOSFET和IGBT提供可靠的驅(qū)動和保護，確保系統(tǒng)的高效運行。

三、引腳配置與功能

UCC5880-Q1采用32引腳DFC SSOP封裝，每個引腳都有特定的功能。例如，GND1為初級側(cè)接地引腳，VCC1為初級側(cè)電源引腳，需要連接3V至5.5V的電源，并通過陶瓷大容量電容旁路到GND1；INP和INN分別為正、負PWM輸入引腳，用于驅(qū)動驅(qū)動器輸出狀態(tài)，同時具備直通保護（STP）功能，防止上下橋臂同時導通。

四、電源供應建議

1. VCC1

VCC1支持3V至5.5V的輸入范圍，以支持3.3V和5V控制器信號。通過欠壓和過壓比較器電路進行監(jiān)測，UV和OV條件分別記錄在FAULT2[UVLO1_FAULT]和FAULT2[OVLO_FAULT1]中。

2. VCC2

VCC2的輸入范圍為12V至30V，適用于IGBT和SiC應用。同樣通過欠壓和過壓比較器電路監(jiān)測，UV和OV條件分別記錄在FAULT2[UVLO2_FAULT]和FAULT2[OVLO2_FAULT]中。

3. VEE2

VEE2的輸入范圍為 -12V至0V，可在IGBT和SiC應用中為功率FET提供負柵極偏置，防止因米勒效應導致的誤開啟。對于單極性電源應用，可將VEE2連接到GND2。其UV和OV條件分別記錄在FAULT2[UVLO3_FAULT]和FAULT2[OVLO3_FAULT]中。

五、布局設計要點

1. 布局準則

為了實現(xiàn)UCC5880-Q1的穩(wěn)健性能，必須遵循布局最佳實踐。在電路板設計的原理圖階段、元件放置階段和走線/平面布局階段，可向TI工程師尋求反饋。

• 元件放置：低ESR和低ESL電容器應靠近器件放置在VCC1和GND1引腳之間以及VCC2、VEE2和GND2引腳之間，以支持外部功率晶體管開關時的高峰值電流。VCP和VREF電容應盡可能靠近器件。
• 接地考慮：將晶體管柵極充放電的高峰值電流限制在最小物理區(qū)域內(nèi)，減少環(huán)路電感，降低晶體管柵極端子的噪聲。柵極驅(qū)動器應盡可能靠近晶體管放置，確保VCP和VCC2之間的環(huán)路面積/電感較小。對于AI1和AI2引腳的集成ADC測量的模擬信號，應與GND2網(wǎng)絡中的高柵極開關電流有效隔離，建議采用開爾文連接以減少柵極驅(qū)動環(huán)路中高di/dt引起的接地反彈影響。
• 高壓考慮：為確保初級側(cè)和次級側(cè)之間的隔離性能，應避免在驅(qū)動器器件下方放置任何PCB走線或銅箔。建議采用PCB切口，防止可能影響UCC5880-Q1隔離性能的污染。對于半橋或高端/低端配置，當高端和低端驅(qū)動器可在高達1000VDC的直流母線電壓下運行時，應盡量增加高低端PCB走線之間的爬電距離。通?？墒褂帽Ｐ瓮繉觼硐拗莆廴境潭龋s短爬電/間隙距離。
• 熱考慮：UCC5880-Q1的功耗與VCC1、VCC2和VEE2電壓、電容負載和開關頻率成正比。合理的PCB布局有助于將器件的熱量散發(fā)到PCB上，最小化結(jié)到板的熱阻（θJB）。建議增加連接到VCC2和VEE2平面的PCB銅箔面積，優(yōu)先考慮最大化與VEE2的連接。如果系統(tǒng)中有多層板，建議使用多個適當尺寸的過孔將VCC2和VEE2連接到各自的內(nèi)部平面，但要確保不同高壓平面的走線/平面不重疊。

  2. 布局示例

  可參考UCC5880EVM - 057評估模塊（EVM）的設計作為布局示例。

六、總結(jié)

UCC5880-Q1是一款功能強大、性能可靠的柵極驅(qū)動器，適用于汽車應用中的高功率SiC MOSFET和IGBT驅(qū)動。其豐富的保護功能、靈活的配置選項以及對功能安全的支持，為工程師在設計EV和HEV系統(tǒng)時提供了有力的保障。在實際應用中，合理的引腳配置、電源供應和布局設計是確保其性能發(fā)揮的關鍵。你在使用類似柵極驅(qū)動器時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。