chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

氮化硼軟陶瓷片 | 三高一阻新材料

向欣電子 ? 2026-01-14 07:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

00a75f98-f0d7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

電源控制板(如開關電源、UPS、工業(yè)電源模塊等)的 IGBT 核心功能是實現(xiàn)電能的高效轉換與穩(wěn)定輸出,其工作場景具有功率跨度大(10W~100kW)、開關頻率高(10kHz~100kHz)、環(huán)境相對封閉(如機箱內)等特點。與車載、工控場景相比,電源控制板對 IGBT 導熱絕緣材料的要求更側重 “高頻穩(wěn)定性、空間適配性、成本平衡”,同時需滿足安全認證(如 UL、CE)的強制要求。

00b7bc1c-f0d7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

一、核心性能要求(適配電源場景特性)

1. 導熱與高頻熱穩(wěn)定性

電源控制板的 IGBT 因開關頻率高(遠高于工控設備的 2~10kHz),高頻損耗導致發(fā)熱集中且波動頻繁(如負載切換時溫度快速升降),材料需避免因熱沖擊導致的導熱性能衰減。

導熱系數(shù):按功率分級要求 ——

  • 低功率電源(如消費電子適配器,≤50W):≥1.5 W/(m?K)(滿足基礎散熱即可,優(yōu)先控制成本);
  • 中功率電源(如通信電源模塊,50W~500W):≥2.5 W/(m?K)(平衡散熱與成本);
  • 高功率電源(如工業(yè) UPS、大功率整流器,≥500W):≥3.0 W/(m?K)(需快速導出集中熱量);
  • 熱沖擊抗性經 - 40℃~125℃冷熱循環(huán)(1000 次,每次循環(huán) 30 分鐘)后,導熱系數(shù)保持率≥90%,無分層、開裂(避免高頻溫度波動導致材料結構破壞);
  • 接觸熱阻在低壓力(5~10N/cm2,電源控制板空間緊湊,安裝壓力有限)下≤0.15 K?cm2/W(確保小壓力下仍能有效傳熱)。

2. 絕緣性能與高頻適配

電源控制板電壓等級多為低壓(110V~380V),但 IGBT 開關頻率高(高頻下寄生電容、尖峰電壓更顯著),需避免材料因介電損耗過高導致的 “二次發(fā)熱”,同時防止高頻下的絕緣擊穿。

擊穿強度:

≥2.0kV/mm(高于低壓工控設備的 1.5kV/mm,應對高頻尖峰電壓);經高溫高濕(85℃/85% RH,1000 小時)處理后,擊穿強度下降≤25%(電源機箱內易積濕,需耐濕熱絕緣);

  • 介電常數(shù)與損耗高頻(1MHz)下介電常數(shù)≤5.0(避免寄生電容過大影響 IGBT 開關速度),介電損耗角正切(tanδ)≤0.02(減少高頻下的介電發(fā)熱);
  • 體積電阻常溫下≥101? Ω?cm,高溫(100℃)下≥1013 Ω?cm(確保高溫時絕緣不失效)。

3. 環(huán)境適應性與空間適配

電源控制板多安裝于封閉機箱內(如服務器電源、UPS 機箱),空間狹?。↖GBT 與散熱器間隙?!?mm),且需耐受粉塵、輕微振動(如機房設備共振)。

耐溫范圍:長期工作 - 40℃~105℃(覆蓋多數(shù)電源工況,低于工控的 120℃),短時過載(30 分鐘)可耐受 125℃;

  • 厚度與柔韌性厚度范圍 0.2~1.0mm(適配狹小間隙,比工控的 0.3~2mm 更?。凼嫌捕取?0A(確保小壓力下完全貼合不翹邊);
  • 抗粉塵附著表面需低粘性(避免機箱內粉塵堆積),經粉塵測試(ISO 12103-1)后,熱阻增幅≤10%(防止散熱效率下降)。

二、機械與裝配要求(貼合電源生產特性)

1. 結構與裝配容錯性

電源控制板生產多為自動化流水線(如 SMT 后裝配),材料需適配快速安裝,且耐受輕微裝配誤差(如 IGBT 表面平整度偏差≤0.1mm)。

壓縮永久變形:105℃、25% 壓縮率下保持 24 小時,永久變形率≤15%(優(yōu)于工控的 20%,確保長期緊密貼合);

  • 尺寸精度模切尺寸誤差≤±0.05mm(適配自動化貼裝,避免人工調整);
  • 抗撕裂性撕裂強度≥8kN/m(防止裝配時因機械拉扯破損)。

2. 成本與合規(guī)性(滿足電源認證)

電源產品需通過嚴格安全認證(如 UL 60950、IEC 62368),材料成本敏感度高(尤其是消費級電源)。

成本控制:單位面積成本≤3 元 /cm2(低于工控的 5 元 /cm2,消費級電源可更低至 1~2 元 /cm2);

  • 阻燃等級UL94 V0 級(電源安全強制要求,避免起火風險),氧指數(shù)≥30%;
  • 環(huán)保合規(guī)符合 RoHS 2.0(限制重金屬與有害物質),醫(yī)療電源需額外滿足 ISO 10993(生物相容性)。


00e102de-f0d7-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 材料
    +關注

    關注

    3

    文章

    1507

    瀏覽量

    28631
  • 氮化硼
    +關注

    關注

    0

    文章

    51

    瀏覽量

    1891
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    氮化硼新型半導體材料個分子厚度

    俄國立研究型技術大學(NUST MISIS)莫斯科鋼鐵冶金學院與北京交通大學、澳大利亞昆士蘭科技大學和日本國立材料科學研究所的科學家起,制成厚度為個分子的氮化硼新型半導體
    發(fā)表于 08-22 10:56 ?5283次閱讀

    大連化物所晶圓六方氮化硼成功外延

    據(jù)悉,六方氮化硼類重要的二維半導體層狀材料,如何在晶圓上實現(xiàn)單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應用于集成電路中的關鍵挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-17 15:21 ?3237次閱讀

    5G材料---片狀氮化硼顆粒氮化硼球形氮化硼

    關鍵詞:氮化硼,片狀氮化硼,球形氮化硼,TIM熱管理材料氮化硼是由氮原子和原子構成的晶體,該晶
    的頭像 發(fā)表于 01-21 09:39 ?5266次閱讀
    5G<b class='flag-5'>材料</b>---片狀<b class='flag-5'>氮化硼</b>顆粒<b class='flag-5'>氮化硼</b>球形<b class='flag-5'>氮化硼</b>

    絕緣高導熱b-BN氮化硼及二維氮化硼納米片

    關鍵詞:六方氮化硼,納米材料,5G,低介電,絕緣,透波,高導熱,國產高端導言:六方氮化硼(h?BN)納米材料,如氮化硼納米顆粒(BNNPs)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 17:05 ?1.2w次閱讀
    絕緣高導熱b-BN<b class='flag-5'>氮化硼</b>及二維<b class='flag-5'>氮化硼</b>納米片

    六方氮化硼納米片導熱復合材料的研究進展

    關鍵詞:六方氮化硼納米片,TIM熱界面材料,5G新材料,低介電新材料摘要:隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導熱材料引起了人們的廣泛關注。六方
    的頭像 發(fā)表于 10-10 09:54 ?2518次閱讀
    六方<b class='flag-5'>氮化硼</b>納米片導熱復合<b class='flag-5'>材料</b>的研究進展

    5G新材料超薄高導熱絕緣低介電氮化硼膜材

    關鍵詞:5G材料,高導熱絕緣材料,低介電材料,氮化硼高端材料導語:5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求,器件功
    的頭像 發(fā)表于 10-10 10:04 ?2886次閱讀
    5G<b class='flag-5'>新材料</b>超薄高導熱絕緣低介電<b class='flag-5'>氮化硼</b>膜材

    TIM新材料---玻纖基材氮化硼高導熱絕緣片

    關鍵詞:5G材料,高導熱絕緣材料,新能源,低介電材料,氮化硼材料導語:5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求,器
    的頭像 發(fā)表于 10-13 10:07 ?4356次閱讀
    TIM<b class='flag-5'>新材料</b>---玻纖基材<b class='flag-5'>氮化硼</b>高導熱絕緣片

    氮化硼在聚合物導熱復合材料中應用研究綜述

    摘要:為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導熱復合材料中的應用研究現(xiàn)狀,介紹了聚合物/氮化硼復合材料的導熱機理,綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:40 ?7808次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硼</b>在聚合物導熱復合<b class='flag-5'>材料</b>中應用研究綜述

    六方氮化硼納米片導熱復合材料及高品質氮化硼粉的介紹

    關鍵詞:六方氮化硼納米片,TIM熱界面材料,5G新材料,低介電,高端材料摘要:隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展,高性能導熱材料引起了人們的廣泛關注。
    的頭像 發(fā)表于 02-22 10:11 ?6405次閱讀
    六方<b class='flag-5'>氮化硼</b>納米片導熱復合<b class='flag-5'>材料</b>及高品質<b class='flag-5'>氮化硼</b>粉的介紹

    二維氮化硼絕緣高導熱低介電材料介紹應用

    原料之,而類似石墨烯結構的六方氮化硼納米片(BNNS)具有比h-BN更加優(yōu)異的性能。本文綜述了BNNS的制備方法、表面修飾以及其聚合物基導熱復合材料類型,并展望了
    的頭像 發(fā)表于 06-30 10:03 ?6060次閱讀
    二維<b class='flag-5'>氮化硼</b>絕緣高導熱低介電<b class='flag-5'>材料</b>介紹應用

    超高導熱氮化硼在3D打印復合材料中的優(yōu)勢

    )]遠高于面外[30W/(m·K)],因此,在制備氮化硼高分子導熱復合材料時,需要對氮化硼填料進行校準,最大限度地減小傳熱方向上的熱,從而獲得更高的導熱系數(shù)。3D打印技術可以有效實現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-19 16:45 ?1444次閱讀

    高絕緣散熱材料 | 石墨片氮化硼散熱膜復合材料

    石墨片氮化硼散熱膜復合材料種結合了石墨片和氮化硼散熱膜各自優(yōu)異性能的新型復合材料、石墨片
    的頭像 發(fā)表于 10-05 08:01 ?1338次閱讀
    高絕緣散熱<b class='flag-5'>材料</b> | 石墨片<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱膜復合<b class='flag-5'>材料</b>

    高導熱高絕緣低介電材料 | 氮化硼散熱膜

    、六方氮化硼(h-BN)六方氮化硼(h-BN)是由氮原子和原子構成的共價鍵型晶體,具有類似石墨的層狀結構,呈現(xiàn)松散、潤滑、易吸潮、質輕等性狀的白色粉末,所以又稱“白色石墨”。它的理
    的頭像 發(fā)表于 11-15 01:02 ?2964次閱讀
    高導熱高絕緣低介電<b class='flag-5'>材料</b> | <b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱膜

    “六邊形戰(zhàn)士”絕緣TIM材料 | 氮化硼

    引言:氮化硼,散熱界的“六邊形戰(zhàn)士”氮化硼材料的高導熱+強絕緣,完美適配5G射頻芯片、新能源電池、半導體封裝等高功率場景,是高性能絕緣導熱材料的首選,為高功率電子設備熱管理提供新的解決
    的頭像 發(fā)表于 04-05 08:20 ?1501次閱讀
    “六邊形戰(zhàn)士”絕緣TIM<b class='flag-5'>材料</b> | <b class='flag-5'>氮化硼</b>

    電機定子與線圈絕緣散熱的核心選擇 | 氮化硼PI散熱膜

    定子與線圈插入環(huán)節(jié)的關鍵絕緣散熱材料,有效破解了電機內部“絕緣”與“散熱”的雙重難題。氮化硼PI散熱膜的核心特性:絕緣與散熱的雙重賦能氮化硼PI散熱膜是將納米級氮
    的頭像 發(fā)表于 12-01 07:22 ?590次閱讀
    電機定子與線圈絕緣散熱的核心選擇 | <b class='flag-5'>氮化硼</b>PI散熱膜