動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-18 16:23

  光模塊的熱管理革命技術(shù) | 二維氮化硼散熱膜

  

  2026年4月，全球光模塊行業(yè)迎來爆發(fā)式增長，800G產(chǎn)品供不應(yīng)求，1.6T光模塊進(jìn)入商業(yè)化元年。AI算力需求激增推動(dòng)數(shù)據(jù)中心光模塊需求超預(yù)期，英偉達(dá)、谷歌等頭部廠商訂單持續(xù)上調(diào)，行業(yè)呈現(xiàn)量價(jià)齊升態(tài)勢。2026年全球光模塊市場規(guī)模預(yù)計(jì)突破300億美元，1.6T產(chǎn)品需求同比激增600%，全年出貨量預(yù)計(jì)達(dá)860-2000萬只。AI算力集群建設(shè)成核心驅(qū)動(dòng)力，單座A

  光模塊 散熱 熱管理

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• 發(fā)布了文章 2026-04-17 08:04

  半導(dǎo)體硅片蝕刻保護(hù)膠帶 | 國產(chǎn)替代新材料

  

  半導(dǎo)體硅片（SemiconductorSiliconWafer）是半導(dǎo)體器件、芯片和集成電路（IC）的基礎(chǔ)襯底材料，也被稱為“芯片之母”。它是通過高純度的多晶硅經(jīng)過直拉法（CZ）或區(qū)熔法（FZ）制成單晶硅棒，再經(jīng)切片、研磨、拋光等精密加工而成的圓形薄片。簡單來說，它就是制造芯片的“原始土壤”。所有的晶體管、電阻、電容等元器件，以及它們之間的連線，都是構(gòu)筑在這

  半導(dǎo)體 材料 硅片

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• 發(fā)布了文章 2026-04-16 07:21

  雙面散熱IGBT功率器件 | 封裝工藝

  

  IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻功率模塊一直是汽車應(yīng)用中最常見的封裝結(jié)構(gòu)之一。傳統(tǒng)的IGBT功率模塊主要由IGBT芯片，氧化鋁覆銅陶瓷基板，封裝互連材料，鍵合線，電連接端子等組成。圖1傳統(tǒng)單面冷卻

  IGBT 功率器件 散熱

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• 發(fā)布了文章 2026-04-16 07:03

  2026國內(nèi)嵌入式PCB功率封裝技術(shù)路線全景：主機(jī)廠、Tier1、模塊廠、芯片廠和板廠

  

  以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于2026國內(nèi)嵌入式PCB功率封裝技術(shù)路線全景解析-文字原創(chuàng)，素材來源：公司官網(wǎng)/年報(bào)/IR記錄/行業(yè)媒體公開報(bào)道-本篇為基于公開資料的系統(tǒng)整理，不包含任何未授權(quán)獲取的內(nèi)部材料|SysPro備注：把2025H2–2026H1國內(nèi)公開披露的主機(jī)廠、Tier1、模塊廠、芯片廠和板廠動(dòng)作放到同一框架里，講清

  pcb PCB 大功率封裝 嵌入式 芯片

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• 發(fā)布了文章 2026-04-13 07:43

  混動(dòng)四驅(qū)平臺技術(shù)路線深度解析 2.0：從長城 Hi4、大眾 4MOTION，到 FINEST 3DHT 與 Hyundai WIA 2-Speed ATC

  

  「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球·發(fā)表內(nèi)容HYBRIDAWD·Hi4·4MOTION·3DHT·2-SPEEDATC混動(dòng)四驅(qū)平臺技術(shù)路線深度解析2.0：從長城Hi4、VW4MOTION，到FINEST3DHT與HyundaiWIA2-SpeedATC把城市效率、低附穩(wěn)定性、泛越野能力、機(jī)械低速域與NVH放回同一條系統(tǒng)工程主線上，真正講清楚：四條路線各自解

  ATC 四驅(qū)系統(tǒng) 汽車 混合動(dòng)力

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• 發(fā)布了文章 2026-04-12 08:00

  芯片制造真正的“底片”——Reticle（掩膜版）全解析

  

  從DUV到EUV，掩膜版為什么越來越難？Reticle的結(jié)構(gòu)、制造與缺陷在晶圓廠里，最像“押運(yùn)黃金”的物件之一不是晶圓，而是Reticle（倍縮式掩模/掩膜版）：一塊看似普通的玻璃板，卻承載著芯片每一層電路圖形的“母版”。它被裝進(jìn)專用承載盒、按資產(chǎn)編號追溯、按壽命與風(fēng)險(xiǎn)分級管理——原因只有一個(gè)：它一旦出問題，缺陷可能會(huì)被復(fù)制到整片晶圓的無數(shù)顆Die（芯片裸片

  晶圓 芯片 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2026-04-11 10:01

  消費(fèi)電子熱設(shè)計(jì)仿真：五大主流軟件全面對比

  

  消費(fèi)電子熱設(shè)計(jì)仿真主流軟件為FloTHERM、ANSYSIcepak、6SigmaET、FloEFD、COMSOLMultiphysics。它們在定位、效率、精度、多物理場、幾何適配上差異顯著，直接決定選型。一、FloTHERM(Siemens)定位：電子散熱專用、高效、規(guī)則幾何首選核心特點(diǎn)笛卡爾結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格+SmartMesh：對塊體/規(guī)則結(jié)構(gòu)極高效、內(nèi)存占

  仿真 消費(fèi)電子 熱設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 09:31

  英偉達(dá)AI數(shù)據(jù)中心終極供電方案—固態(tài)變壓器(SST)的全景解析：從概念到量產(chǎn)的工程設(shè)計(jì)與決策參考指南

  

  以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于固態(tài)變壓器（SST）的全維解析全維解析系列文章-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng)，素材來源：TI,華為，Infineon,Delta,Renesas,Littlefuse-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：英偉達(dá)在2025年OCP全球峰會(huì)上發(fā)

  AI 變壓器 數(shù)據(jù)中心 英偉達(dá)

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 07:21

  英飛凌S-Cell嵌埋式PCB封裝技術(shù)方案深度解讀：6層PCB工程、熱/電邊界、輸出能力、經(jīng)濟(jì)價(jià)值、平臺導(dǎo)入

  

  這篇我們聚焦于英飛凌S-Cell功率芯片PCB封裝技術(shù)，把它背后的功率板邊界、PCB工程約束、熱/電收益和技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬做一次系統(tǒng)化拆解、盡可能講透。核心目標(biāo)：把S-cell、6層PCB、低寄生換流回路、半橋功率板組織方式、整開關(guān)熱耦合結(jié)果、系統(tǒng)輸出能力和導(dǎo)入門檻放回同一張系統(tǒng)地圖里

  PCB封裝 功率芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 06:40

  日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待

  

  2026年3月，日本名古屋大學(xué)低溫等離子體科學(xué)研究中心與該校孵化初創(chuàng)企業(yè)nu-rei株式會(huì)社，將在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)講演會(huì)上集中發(fā)布關(guān)于次世代功率半導(dǎo)體材料——氧化鎵（Ga?O?）的六項(xiàng)關(guān)鍵研究成果。這一系列突破標(biāo)志著日本在氧化鎵材料生長工藝上取得系統(tǒng)性進(jìn)展，有望大幅降低制造成本、提升器件性能，為電動(dòng)汽車、可再生能源及宇宙開發(fā)等高端領(lǐng)域的應(yīng)用鋪平道路。一、

  功率半導(dǎo)體 材料 氧化鎵

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