動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-12-11 07:20

  800V快充電機絕緣散熱材料新方案 | 二維氮化硼PI散熱膜

  

  摘要隨著電動汽車向800V高壓平臺的快速發(fā)展，電機功率密度顯著提升至60千瓦/升，比傳統(tǒng)400V系統(tǒng)高出35%。然而，這一技術(shù)進步給電機絕緣膜帶來了前所未有的散熱挑戰(zhàn)。本文系統(tǒng)分析了800V快充電動汽車電機絕緣膜面臨的多重散熱難題，包括絕緣材料的導(dǎo)熱與絕緣性能天然矛盾、扁線Hairpin工藝的熱傳導(dǎo)瓶頸、冷卻系統(tǒng)適配性不足、絕緣厚度與槽滿率的權(quán)衡制約以及熱循

  散熱材料 氮化硼

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• 發(fā)布了文章 2025-12-08 07:20

  SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率高達4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優(yōu)異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  SiC 功率器件 材料 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-12-06 12:21

  從 PMSM 到軸向磁通：PMSM、感應(yīng)電機、SRM、BLDC、軸向磁通怎么選？

  

  -關(guān)于5類驅(qū)動電機設(shè)計選型白皮書-文字原創(chuàng)，素材來源：網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布-1600+最新電動汽車前瞻技術(shù)報告與解析已上傳知識星球，歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語：為何部分新能源汽車能實現(xiàn)“彈射起步”與超長續(xù)航，而部分車型卻動力孱弱、續(xù)航焦慮？答案隱藏在驅(qū)動電機的技術(shù)基因中。作為新能源汽車的“動力心臟”，驅(qū)動電機的類型、設(shè)計與材料選擇直

  BLDC PMSM SRM 感應(yīng)電機

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• 發(fā)布了文章 2025-12-02 09:01

  比亞迪30000轉(zhuǎn)電機12個核心秘密

  

  關(guān)于最新比亞迪超級e平臺的技術(shù)方案深度揭秘

  比亞迪

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 07:22

  電機定子與線圈絕緣散熱的核心選擇 | 氮化硼PI散熱膜

  

  在電機運行過程中，定子作為核心部件，其與線圈的絕緣性能和散熱效率直接決定了電機的可靠性、使用壽命與運行效率。氮化硼PI散熱膜憑借氮化硼（BN）優(yōu)異的導(dǎo)熱性能與聚酰亞胺（PI）卓越的絕緣特性，成為電機定子與線圈插入環(huán)節(jié)的關(guān)鍵絕緣散熱材料，有效破解了電機內(nèi)部“絕緣”與“散熱”的雙重難題。氮化硼PI散熱膜的核心特性：絕緣與散熱的雙重賦能氮化硼PI散熱膜是將納米級氮

  散熱 電機定子 線圈

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 06:32

  800V 快充電動汽車電機用絕緣膜材料要求 | 二維氮化硼熱管理材料

  

  1.800V快充電動汽車電機絕緣膜材技術(shù)要求1.1電氣性能要求800V快充電動汽車電機絕緣膜材的電氣性能要求遠超傳統(tǒng)400V系統(tǒng)，主要體現(xiàn)在耐壓強度、局部放電起始電壓（PDIV）、介電性能等關(guān)鍵指標的大幅提升。耐壓強度要求方面，800V平臺要求骨架主絕緣耐壓從傳統(tǒng)400V系統(tǒng)的≥3kVAC提升至≥6kVAC（IEC60664-1標準），部分關(guān)鍵區(qū)域（如電池包

  材料 電動汽車 電機

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 12:21

  IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣材料

  

  文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長空間天花板·新能源汽車市場成為IGBT增長最充足動力·新能源發(fā)電前景廣闊驅(qū)動IGBT增長·工業(yè)控制平穩(wěn)發(fā)展支撐IGBT行業(yè)需求國產(chǎn)IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業(yè)壁壘成為IGBT集中度高的內(nèi)在因素·海外龍頭主導(dǎo)

  IGBT 氮化硼 絕緣材料

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• 發(fā)布了文章 2025-11-19 07:30

  第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率高達4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優(yōu)異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  IGBT MOSFET 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-11-09 08:39

  一文吃透產(chǎn)業(yè)鏈：PCB材料（AI浪潮+新能源車）

  

  隨著AI服務(wù)器、5G通信與智能汽車的持續(xù)爆發(fā)，一塊小小的電路板正在重新定義電子世界的底層邏輯。這就是——PCB（印制電路板）材料，電子行業(yè)的“神經(jīng)中樞”，也是AI硬件浪潮中最隱蔽卻最關(guān)鍵的賽道之一。01行業(yè)概述：從“銅板”到“算力骨架”PCB是所有電子設(shè)備的“載體與神經(jīng)”，承載著信號傳輸、電氣連接與熱管理等核心功能。其上游的關(guān)鍵材料——覆銅板（CCL）、銅箔

  PCB材料 新能源 電路板

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• 發(fā)布了文章 2025-11-08 07:01

  一文讀懂 · 電氣間隙與爬電距離 · 來龍去脈：設(shè)計指南、影響因素、計算方法、案例說明

  

  -關(guān)于《電氣間隙與爬電距離的全面解析與設(shè)計指南》的解析-文字原創(chuàng)，素材來源：TI、IEC、IPC、GB、網(wǎng)絡(luò)-「SysPro|電動汽車標準解讀」專欄內(nèi)容，全文13700字-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，詳細分布見目錄頁導(dǎo)語：在高壓設(shè)備的設(shè)計與制造過程中，確保電氣安全和系統(tǒng)可靠性是至關(guān)重要的。其中，爬電距離(Creepage,CPG）和電氣間隙（Cle

  電動汽車 電氣 電池管理系統(tǒng)

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