黃晶晶綜合整理

近日，中微半導(dǎo)體（深圳）股份有限公司表示，即將推出首款非易失性存儲(chǔ)器芯片。 l

本次新產(chǎn)品的發(fā)布，是公司實(shí)施“MCU+”戰(zhàn)略的最新成果，填補(bǔ)了公司在 Flash 領(lǐng)域的產(chǎn)品空白，標(biāo)志著公司正式向 Flash 領(lǐng)域邁出實(shí)質(zhì)性一步，體現(xiàn)了公司技術(shù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)品開發(fā)能力的拓展，進(jìn)一步豐富了公司產(chǎn)品矩陣和產(chǎn)品形態(tài)，拓寬了公司產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景和使用范圍，將有助于鞏固和提升公司綜合競爭力，對(duì)公司未來發(fā)展將產(chǎn)生積極的影響。

公司首款非易失性存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)品型號(hào)為 CMS25Q40A，容量為4Mbit 的SPI NOR Flash 芯片，存儲(chǔ)陣列劃分為 2048 個(gè)可編程頁，每頁容量為256 字節(jié)。單次編程操作最多可寫入 256 字節(jié)數(shù)據(jù)。支持多種擦除方式，包括4 頁一組的1KB 扇區(qū)擦除、16 頁一組的 4KB 扇區(qū)擦除、128 頁一組的32KB 塊擦除、256頁一組的 64KB 塊擦除，以及整片擦除。具有低成本、低功耗、SPI 高速讀寫、掉電不丟失等特點(diǎn)，適配小存儲(chǔ)需求場(chǎng)景，包括嵌入式MCU 程序存儲(chǔ)、小型智能硬件配置存儲(chǔ)、低功耗 IoT 終端存儲(chǔ)以及外設(shè)/模塊配套存儲(chǔ)等場(chǎng)景。

具體性能參數(shù)如下：
1.采用單電源供電，電壓范圍為 1.65V 至 3.6V。
2.全系列產(chǎn)品均采用小型封裝，節(jié)省空間。
3.支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI），同時(shí)兼容高性能的雙路/四路輸出模式以及雙路/四路輸入輸出（I/O）SPI 模式。
4.支持最高 120MHz 的 SPI 時(shí)鐘頻率。
5.芯片配備保持引腳、寫保護(hù)引腳，并支持可編程寫保護(hù)功能，可靈活控制存儲(chǔ)陣列的頂部、底部或互補(bǔ)區(qū)域的寫保護(hù)狀態(tài)。
6.支持標(biāo)準(zhǔn) SPI 及高性能雙路/四路 I/O/SPI 接口，兼具靈活的擦寫方式與可靠的保護(hù)機(jī)制。
7.安全特性：配備 4×256=1024 字節(jié)安全存儲(chǔ)器、支持一次性可編程鎖定，內(nèi)置 64 位唯一序列號(hào)。





不過，中微半導(dǎo)表示，公司本次發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)芯片，但尚未進(jìn)行市場(chǎng)推廣，未來要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模銷售，尚需通過更多客戶對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行試用和評(píng)估，存在市場(chǎng)推廣與客戶開拓不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash、EEPROM 等細(xì)分市場(chǎng)組成，其中 DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主要份額，NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)較小且競爭日趨激烈。國內(nèi)主要參與者包括兆易創(chuàng)新和普冉股份等上市公司，它們已經(jīng)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域深耕多年，具有技術(shù)積累深厚、產(chǎn)品系列化 完善、市場(chǎng)品牌度高和客戶認(rèn)可的優(yōu)勢(shì)，公司作為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)新進(jìn)入者，如果公司不能及時(shí)完善產(chǎn)品系列化或未能較好地應(yīng)對(duì)外部競爭壓力，可能面臨虧損性推廣而存在影響公司整體盈利能力的風(fēng)險(xiǎn)。