1月23日，國內存儲芯片和MCU芯片公司兆易創(chuàng)新發(fā)布2025年業(yè)績預增報告。兆易創(chuàng)新表示，經(jīng)財務部門初步測算，預計 2025 年實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為16.1億元左右，與上年同期相比增加 5.07億元左右，同比增長46%左右。

報告披露，2025年，AI算力建設提速帶動需求顯著提升，兆易創(chuàng)新公司面向PC、服務器、汽車電子等領域產(chǎn)品深度受益；行業(yè)層面，存儲行業(yè)周期穩(wěn)步上行，供需結構優(yōu)化推動產(chǎn)品價量齊升。公司始終堅持以市場占有率為核心的發(fā)展目標，持續(xù)深化多元化產(chǎn)品布局，多領域需求增長與公司豐富的產(chǎn)品矩陣形成高效協(xié)同，為全年業(yè)績穩(wěn)步攀升提供堅實支撐。

據(jù)悉，兆易創(chuàng)新在車規(guī)級芯片領域，已經(jīng)構建起覆蓋存儲和MCU的多元化產(chǎn)品布局和規(guī)模化應用，車規(guī)級FLASH累計出貨量超過3億顆，廣泛應用于智能座艙、輔助駕駛等關鍵場景。在車規(guī)級 SPI NOR Flash 和車規(guī)級 SLC NAND Flash，兆易創(chuàng)新均已形成覆蓋 128 Mb-2 Gb（NOR）和 1 Gb-4 Gb（NAND）的完整料號矩陣，并通過 AEC-Q100 等車規(guī)可靠性認證。

以去年3月發(fā)布的GD25NX系列SPI NOR Flash為例，該產(chǎn)品支持八通道SPI模式，最高時鐘頻率為STR 200 MHz，DTR 200 MHz，實現(xiàn)高達400MB/s數(shù)據(jù)吞吐量。該系列的寫入時間典型值為0.12ms，扇區(qū)擦除時間為27ms，其與常規(guī)1.8V八通道Flash相比，寫入速度提升30%，擦除速度提升10%。

為保障數(shù)據(jù)可靠性，GD25NX系列集成ECC算法與CRC校驗功能，有效增強數(shù)據(jù)完整性并延長產(chǎn)品使用壽命。同時，該系列支持DQS功能，為高速系統(tǒng)設計提供完整信號保障，滿足數(shù)據(jù)中心和汽車電子等高穩(wěn)定性應用需求?！癎D25NX系列的誕生開創(chuàng)了低電壓與高性能兼具的SPI NOR Flash新格局，其設計緊貼主流SoC對低電壓接口的需求，為客戶帶來了更高的集成度與更低的BOM成本?！闭滓讋?chuàng)新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示。

此外，兆易創(chuàng)新2025年還推出了GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（功能），可有效解決SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的痛點，可以廣泛應用在安防、工業(yè)、IoT等快速啟動場景。

兆易創(chuàng)新2025年推出的GD32H7系列MCU，是面向高性能領域推出的控制器產(chǎn)品，涵蓋GD32H75E、GD32H759等多款型號，其中GD32H75E在GD32H7系列基礎上集成正版授權EtherCAT IP,內置2顆百兆以太網(wǎng)PHY，支持μs級多軸同步，具備出色的實時通信與高精度控制能力，能夠滿足人形機器人對MCU的嚴苛需求。

展望 2026 年，兆易創(chuàng)新高管認為市場機遇主要集中在三大方向：一是 AI 驅動的數(shù)據(jù)中心建設加速，對高帶寬、大容量存儲的需求將持續(xù)爆發(fā)；二是數(shù)字能源領域（如新能源汽車、充電樁、儲能設備）快速發(fā)展，將帶動存儲與 MCU 需求增長；三是端側 AI 普及為細分場景的半導體創(chuàng)新提供廣闊空間。