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IGBT死區(qū)時(shí)間設(shè)定指南:死區(qū)計(jì)算方法、對(duì)逆變器的影響、死區(qū)優(yōu)化策略 v2.0

向欣電子 ? 2026-01-31 08:15 ? 次閱讀
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- 關(guān)于IGBT死區(qū)時(shí)間的定義和應(yīng)用解讀- 文字原創(chuàng),素材來源:Infineon等廠商- 在保證原文內(nèi)容邏輯的基礎(chǔ)上,對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)整、進(jìn)行了補(bǔ)充說明,便于理解與應(yīng)用- 本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流


導(dǎo)語:電機(jī)控制器標(biāo)定中,功率開關(guān)死區(qū)時(shí)間的設(shè)定至關(guān)重要。死區(qū)存在的第一任務(wù):防止因信號(hào)產(chǎn)生干擾,導(dǎo)致功率開關(guān)元件(如IGBT)的上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通,造成短路,從而引發(fā)功率元件的燒毀

但是,TA的意義遠(yuǎn)不止如此。太長(zhǎng)的死區(qū)時(shí)間同樣會(huì)導(dǎo)致電機(jī)性能下降、系統(tǒng)不穩(wěn)定等問題(引起電流畸變、電壓波動(dòng)、轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)和效率下降);太短的死區(qū)時(shí)間,可能引發(fā)功率元件燒毀、炸機(jī)等安全風(fēng)險(xiǎn)。因此,在標(biāo)定過程中,需要精確設(shè)置死區(qū)時(shí)間,以在防止元件損壞、保證系統(tǒng)穩(wěn)定性和提高控制精度和系統(tǒng)性能之間找到平衡點(diǎn)!

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圖片來源:Infineon/SysPro

今天,我們通過對(duì)IGBT手冊(cè)的學(xué)習(xí)解讀,一起來了解下IGBT橋臂直通的原因及防止策略,看看如何尋找這個(gè)平衡點(diǎn)?主要回答幾點(diǎn)問題:什么是死區(qū)時(shí)間?TA逆變器究竟有什么影響?如何精確計(jì)算死區(qū)時(shí)間?與哪些因素相關(guān)?在避免直通的基礎(chǔ)上,通過哪些手段可以有效減小死區(qū)時(shí)間,以提升系統(tǒng)性能呢?

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圖片來源:SysPro


目錄

1. IGBT橋臂直通的原因及防止策略

2. 死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器工作的影響

3. 如何計(jì)算合適的死區(qū)時(shí)間?(知識(shí)星球發(fā)布)

3.1 計(jì)算死區(qū)時(shí)間的基礎(chǔ)理論

3.2 開關(guān)和延遲時(shí)間的定義及解釋

3.3 門極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開關(guān)時(shí)間的影響

3.4 影響延遲時(shí)間的其它因素

3.4.1 開通延遲時(shí)間

3.4.2 關(guān)斷延遲時(shí)間

3.4.3 死區(qū)時(shí)間的計(jì)算案例

3.4.4 死區(qū)時(shí)間計(jì)算值的確認(rèn)

4. 如何減小死區(qū)時(shí)間?(知識(shí)星球發(fā)布)

5. 總結(jié)

注: 本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布(點(diǎn)擊文末"閱讀原文")


01

IGBT橋臂直通的原因及防止策略

下圖展示了一個(gè)IGBT橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行情況下,兩個(gè)IGBT會(huì)依次開通和關(guān)斷。然而,如果兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通,將導(dǎo)致電流急劇上升,此時(shí)電流將僅受直流環(huán)節(jié)的雜散電感限制。f56e20a6-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:Infineon

雖然不存在故意使兩個(gè)IGBT同時(shí)開通的情況,但由于IGBT并非理想開關(guān)器件,其開通和關(guān)斷時(shí)間并不完全一致。為了避免IGBT橋臂直通,通常建議在控制策略中加入所謂的“互鎖延時(shí)時(shí)間”或更常見的“死區(qū)時(shí)間”。通過引入這一額外時(shí)區(qū),確保其中一個(gè)IGBT首先關(guān)斷,然后在死區(qū)時(shí)間結(jié)束時(shí)開通另一個(gè)IGBT,從而避免由于開通和關(guān)斷時(shí)間不對(duì)稱導(dǎo)致的直通現(xiàn)象f5767288-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.png

圖片來源:網(wǎng)絡(luò)

| SysPro備注:這種策略的核心在于通過時(shí)間上的錯(cuò)開,確保兩個(gè)IGBT不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通,進(jìn)而保護(hù)電路免受電流沖擊。了解了死區(qū)時(shí)間存在的原因,那么,TA對(duì)逆變器有什么影響呢?


02

死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器工作的影響

通常情況下,死區(qū)時(shí)間可分為兩種控制死區(qū)時(shí)間有效死區(qū)時(shí)間控制死區(qū)時(shí)間指在控制算法中加入的一段時(shí)間,用以確保器件獲得足夠的死區(qū)時(shí)間。設(shè)置控制死區(qū)時(shí)間的目的是為了保證有效死區(qū)時(shí)間總是足夠長(zhǎng)。由于計(jì)算控制死區(qū)時(shí)間時(shí)是基于最壞的情況考慮,因此有效死區(qū)時(shí)間控制死區(qū)時(shí)間比例較大。明確了死區(qū)時(shí)間的兩個(gè)概念,下面我們具體看看,死區(qū)時(shí)間除了仿真橋臂直通外,是否還有其他的附加影響?死區(qū)時(shí)間的作用在于防止IGBT橋臂直通;但另一方面,它也存在不利影響。為了說明死區(qū)時(shí)間的影響,我們考慮電壓源型逆變器的一個(gè)橋臂,如下圖所示。假設(shè)輸出電流按圖示方向流動(dòng),IGBT T1由開通到關(guān)斷,而T2經(jīng)過一小段死區(qū)時(shí)間由關(guān)斷到開通。在有效死區(qū)時(shí)間內(nèi),兩個(gè)開關(guān)管都是關(guān)斷的,且續(xù)流二極管D2流過輸出電流,此時(shí)負(fù)的直流電壓加在輸出側(cè),電壓極性符合設(shè)計(jì)要求。另一種情況,若T1由關(guān)斷到開通,而T2由開通到關(guān)斷,此時(shí)電流仍沿同一方向,電流在死區(qū)時(shí)間依然通過D2,輸出電壓仍為負(fù)值電壓極性不符合設(shè)計(jì)要求。一句話總結(jié)下:在有效死區(qū)時(shí)間內(nèi),輸出電壓由輸出電流決定,而非控制信號(hào)。

f5826246-fe39-11f0-96ea-92fbcf53809c.jpg

圖片來源:Infineon

| SysPro備注,為什么說輸出的是一個(gè)負(fù)的直流電壓?為什么說極性符合要求?這里可能不好理解,我解釋下:

我們可以看到,續(xù)流二極管D2反向并聯(lián)在開關(guān)管T2上的,當(dāng)T2關(guān)斷時(shí),如果輸出電流方向不變,D2將導(dǎo)通,允許電流繼續(xù)沿原方向流動(dòng)。。在有效死區(qū)時(shí)間內(nèi),由于兩個(gè)開關(guān)管(T1和T2)都處于關(guān)斷狀態(tài),電流只能通過D2流動(dòng)。此時(shí),輸出電壓由D2的電壓降決定。由于D2反向?qū)ǎ?strong>陽極電壓低于陰極電壓,因此在輸出側(cè)會(huì)呈現(xiàn)一個(gè)負(fù)的直流電壓。我們通過電壓矢量控制電機(jī)按期望運(yùn)轉(zhuǎn),因此要確保輸出電壓的極性與設(shè)計(jì)相匹配,以維持電機(jī)的穩(wěn)定、可靠運(yùn)轉(zhuǎn),因此要確保四驅(qū)區(qū)間輸出電壓、電流符合預(yù)期、不失真。

應(yīng)用筆記:如果我們假設(shè)輸出電流的方向與上圖所示相反,當(dāng)T1由開通到關(guān)斷,而T2由關(guān)斷到開通時(shí),也會(huì)出現(xiàn)上述電壓情況。因此,一般情況下,輸出電壓與輸出電流會(huì)隨著死區(qū)時(shí)間的加入而失真。若選擇的死區(qū)時(shí)間過長(zhǎng),對(duì)于感應(yīng)電機(jī)等情況,系統(tǒng)可能變得不穩(wěn)定,甚至引起系統(tǒng)崩潰的嚴(yán)重后果。因此,死區(qū)時(shí)間的選擇十分重要,且應(yīng)仔細(xì)計(jì)算。那么,在實(shí)際中如何測(cè)量IGBT的延遲時(shí)間,并根據(jù)測(cè)量值計(jì)算合適的控制死區(qū)時(shí)間?

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圖片來源:SysPro


03

如何計(jì)算合適的死區(qū)時(shí)間?

(知識(shí)星球發(fā)布)為了確保IGBT橋臂避免直通并正常運(yùn)行,死區(qū)時(shí)間的選擇至關(guān)重要。這不僅需要滿足避免直通的要求1,還應(yīng)盡可能小,以確保電壓源型逆變器的最佳性能2。因此,為特定IGBT和驅(qū)動(dòng)電路找到適合的死區(qū)時(shí)間是一大挑戰(zhàn)。

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圖片來源:ECP白皮書


3.1 計(jì)算死區(qū)時(shí)間的基礎(chǔ)理論

(知識(shí)星球發(fā)布)...


3.2 開關(guān)和延遲時(shí)間的定義及解釋

(知識(shí)星球發(fā)布)

了解了死區(qū)時(shí)間的基本計(jì)算理論,我們通過下圖,進(jìn)一步明確下IGBT開關(guān)時(shí)間和延遲時(shí)間的定義...

|SysPro備注,關(guān)于以上時(shí)間參數(shù)的解釋我們?cè)?jīng)詳細(xì)解釋過,可點(diǎn)擊下文跳轉(zhuǎn):電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT關(guān)鍵參數(shù)指南 | 開關(guān)特性:柵極電荷、門級(jí)電阻、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、短路特性

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圖片來源:SysPro


3.3 門極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開關(guān)時(shí)間的影響

(知識(shí)星球發(fā)布)門極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開關(guān)延遲時(shí)間有顯著影響...


3.4 影響延遲時(shí)間的其它因素

(知識(shí)星球發(fā)布)

延遲時(shí)間是半導(dǎo)體器件開關(guān)過程中的重要參數(shù),除了門極驅(qū)動(dòng)電阻外,集電極電流門極驅(qū)動(dòng)電壓也對(duì)延遲時(shí)間有顯著影響。那么,他們是如何影響的呢?又是為什么呢?

3.4.1 開通延遲時(shí)間(知識(shí)星球發(fā)布)

為了評(píng)估開通延遲時(shí)間與集電極電流的關(guān)系,Infineon進(jìn)行了一系列測(cè)量。下圖展示了開通延遲時(shí)間td_on與集電極電流Ic的關(guān)系,其中:...

藍(lán)色線:td_on-15V/15V, 25°C

黃色線:td_on-15V/15V, 125°C

紫色線:td_on0V/15V, 125°C

綠色線:td_on0V/15V, 25°C


3.4.2 關(guān)斷延遲時(shí)間(知識(shí)星球發(fā)布)

在死區(qū)時(shí)間的計(jì)算中,最大關(guān)斷延遲時(shí)間關(guān)鍵因素,因?yàn)樗鼛缀鯖Q定了最終計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)度...|SysPro備注,在電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)標(biāo)定中,對(duì)于控制器而言有個(gè)重要的標(biāo)定就是死區(qū)時(shí)間標(biāo)定。這一節(jié)也解釋了為什么我們需要死區(qū)時(shí)間標(biāo)定?這是因?yàn)?/strong>...

3.4.3 死區(qū)時(shí)間的計(jì)算案例(知識(shí)星球發(fā)布)

3.4.4 死區(qū)時(shí)間計(jì)算值的確認(rèn)(知識(shí)星球發(fā)布)

通過前面的討論及入第3.1中提到的死區(qū)計(jì)算方程,我們可以利用測(cè)量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。為了確認(rèn)這一計(jì)算值是否足夠,需要在worst case情況下進(jìn)行測(cè)量和確認(rèn)...

在03開頭我們聊過了,死區(qū)時(shí)間不僅需要滿足避免直通的要求,還應(yīng)盡可能小,以確保電壓源型逆變器的最佳性能。上面我們聊完了如何確保死區(qū)時(shí)間充足,那么,如何在此基礎(chǔ)上減小死區(qū)時(shí)間呢?

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圖片來源:ECP


04

如何減小死區(qū)時(shí)間?

(知識(shí)星球發(fā)布)

由于死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器性能有負(fù)面影響,應(yīng)盡可能減小死區(qū)時(shí)間,那么,如何減???我們從門極電壓、驅(qū)動(dòng)電阻、電平類型角度來講解...


05 總結(jié)

我們通過對(duì)IGBT手冊(cè)的學(xué)習(xí)解讀,了解了IGBT橋臂直通的原因及防止策略,重點(diǎn)介紹了死區(qū)時(shí)間的概念、對(duì)逆變器工作的影響以及如何計(jì)算和減小死區(qū)時(shí)間。

IGBT橋臂直通由于開關(guān)時(shí)間不對(duì)稱可能導(dǎo)致電流急劇上升,引入死區(qū)時(shí)間是防止直通的有效策略。死區(qū)時(shí)間雖能防止直通,但也會(huì)對(duì)逆變器性能產(chǎn)生負(fù)面影響。因此,需要準(zhǔn)確計(jì)算死區(qū)時(shí)間,考慮IGBT的開關(guān)特性、門極驅(qū)動(dòng)電阻、驅(qū)動(dòng)電壓等多種因素。

通過03的公式,我們了解了死區(qū)時(shí)間的計(jì)算方法,并強(qiáng)調(diào)了在實(shí)際應(yīng)用中通過測(cè)量來確認(rèn)計(jì)算值的必要性。為了減小死區(qū)時(shí)間對(duì)逆變器性能的負(fù)面影響,給出了一些有效的手段。這些方法有助于優(yōu)化電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和性能。以上,希望有所幫助!

圖片來源:SysPro


以上內(nèi)容為總結(jié)(節(jié)選),完整解讀、參考資料、技術(shù)報(bào)告在知識(shí)星球「SysPro電力電子技術(shù)」中發(fā)布,歡迎進(jìn)一步查閱、學(xué)習(xí),希望有所幫助!

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    發(fā)表于 12-19 09:24

    SiLM8260ABCS-DG 雙通道死區(qū)可編程的30V/10A隔離驅(qū)動(dòng)芯片

    。SiLM8260ABCS-DG的獨(dú)特之處在于其雙通道死區(qū)可編程功能,用戶可以通過外部配置靈活調(diào)整死區(qū)時(shí)間,優(yōu)化開關(guān)器件的動(dòng)態(tài)性能。此外,芯片還集成了米勒鉗位功能,有效防止功率管因米勒
    發(fā)表于 11-28 08:14

    直流控制系統(tǒng)中PWM功放的頻率和死區(qū)設(shè)置

    在采用 PWM功放的控制系統(tǒng)中,進(jìn)行PWM 開關(guān)頻率和死區(qū)設(shè)置時(shí),不僅要參考功率品體管的開關(guān)時(shí)間等參數(shù),還要考慮控制系統(tǒng)的其他要求。如果PWM的頻率和死區(qū)設(shè)置不當(dāng),將影響控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性
    發(fā)表于 08-05 14:30

    基于死區(qū)補(bǔ)償?shù)碾姍C(jī)低速運(yùn)行穩(wěn)定性研究

    空間矢量在旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)中的位置分別對(duì)逆變器三相橋臂的導(dǎo)通時(shí)間進(jìn)行補(bǔ)償,其補(bǔ)償時(shí)間的大小根據(jù)相應(yīng)的電流的大小決定,確保擾動(dòng)電壓矢量同電流矢量旋轉(zhuǎn)同步。Matlab仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該方法具有
    發(fā)表于 07-29 16:21

    SiLM8254:死區(qū)可編程、高速4A雙通道隔離驅(qū)動(dòng)器,助力高效功率轉(zhuǎn)換

    設(shè)計(jì)的雙通道、單輸入、死區(qū)可編程的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,在高速開關(guān)應(yīng)用和高可靠性系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。 核心優(yōu)勢(shì)聚焦: 獨(dú)創(chuàng)死區(qū)可編程 (DT): SiLM8254的核心亮點(diǎn)在于其可編程死區(qū)時(shí)間
    發(fā)表于 07-14 09:34

    SLMi8233BDCG 40V4A雙通道死區(qū)可編程隔離驅(qū)動(dòng)器兼容UCC21520DW

    /μs CMTI抑制服務(wù)器電源背板噪聲。 DC/AC太陽能逆變器 關(guān)鍵設(shè)計(jì) :可編程死區(qū)適配SiC MOSFET的快速開關(guān),降低換相損耗。 電動(dòng)汽車充電(OBC) 安全需求 :1500V通道隔離滿足
    發(fā)表于 06-28 08:45

    LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器,專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配,可
    的頭像 發(fā)表于 05-24 15:53 ?1166次閱讀
    LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200<b class='flag-5'>V</b> 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5<b class='flag-5'>V</b> UVLO 和可編程<b class='flag-5'>死區(qū)</b><b class='flag-5'>時(shí)間</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)