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固態(tài)變壓器DC/DC隔離級(jí)DAB變換器代碼

楊茜 ? 來(lái)源:jf_33411244 ? 2026-02-24 16:14 ? 次閱讀
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全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

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傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

固態(tài)變壓器(Solid State Transformer, SST)的 DC/DC 隔離級(jí)目前在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界最通用的拓?fù)涫请p有源橋變換器(Dual Active Bridge, DAB)。它具有易于實(shí)現(xiàn)高頻電氣隔離、支持能量雙向流動(dòng)以及全功率范圍內(nèi)易于實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)(ZVS)等優(yōu)點(diǎn)。

DAB 最經(jīng)典、應(yīng)用最廣泛的控制策略是單移相控制(Single Phase Shift, SPS)。在 SPS 模式下,DAB 的原邊全橋和副邊全橋各自輸出固定 50% 占空比的高頻方波,通過(guò)控制這兩個(gè)方波之間的**相位差(移相占空比 D)**來(lái)調(diào)節(jié)傳輸功率的大小和方向。

傾佳電子楊茜提供的 DAB 變換器代碼編寫指南,包含底層 DSP C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)、參數(shù)驗(yàn)證 Python 代碼以及工程調(diào)試避坑指南。

1. 核心數(shù)學(xué)模型 (SPS控制)

在單移相控制下,DAB 的傳輸有功功率公式為: $$ P = frac{n V_1 V_2}{2 f_s L} D (1 - |D|) $$

V1?,V2?: 原邊和副邊直流側(cè)母線電壓

n: 變壓器變比 (Nsec?/Npri?)

fs?: 開(kāi)關(guān)頻率

L: 變壓器漏感 + 線路外接輔助電感

D: 移相占空比,定義為 D=π相移角度?。理論取值范圍為 [?0.5,0.5](對(duì)應(yīng) ?90°~90°)。

D>0:原邊超前副邊,能量正向流動(dòng)(原邊傳向副邊)。

D<0:副邊超前原邊,能量反向流動(dòng)(副邊傳向原邊)。

D=±0.5 時(shí)達(dá)到理論最大傳輸功率。

2. 嵌入式 DSP 控制代碼 (C語(yǔ)言)

在實(shí)際的數(shù)字控制中(如使用 TI C2000 系列 DSP 或 STM32),我們通常采用電壓閉環(huán)控制:采集實(shí)際輸出電壓 → 經(jīng)過(guò) PI 控制器計(jì)算 → 輸出移相比 D → 換算為定時(shí)器 Tick 數(shù)并更新 PWM 相位寄存器。

以下代碼通常運(yùn)行在與 PWM 同頻的**定時(shí)器中斷服務(wù)函數(shù)(ISR)**中。

2.1 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)與 PI 控制器定義

C

#include 
#include 

// --- DAB 系統(tǒng)與硬件限制參數(shù) ---
#define PWM_PERIOD_TICKS 1000   // PWM定時(shí)器周期計(jì)數(shù)值 (根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)定)
#define MAX_PHASE_SHIFT  0.45f  // 最大移相占空比 (理論0.5,留出裕量防止失控和死區(qū)重疊)
#define MIN_PHASE_SHIFT -0.45f  // 反向最大移相占空比

// --- PI 控制器結(jié)構(gòu)體 ---
typedef struct {
    float V_ref;        // 目標(biāo)參考電壓 (V)
    float V_meas;       // 實(shí)際反饋采樣電壓 (V)
    float Kp;           // 比例系數(shù)
    float Ki;           // 積分系數(shù)
    float error;        // 當(dāng)前誤差
    float integral;     // 積分項(xiàng)
    float D_out;        // 輸出:移相占空比 D (-0.5 ~ 0.5)
} PI_Controller;

// 實(shí)例化 PI 控制器 (假設(shè)設(shè)定輸出 400V)
PI_Controller dab_pi = {
    .V_ref = 400.0f,    
    .Kp = 0.05f,        // 需根據(jù)實(shí)際硬件傳遞函數(shù)整定
    .Ki = 0.002f, 
    .integral = 0.0f,
    .D_out = 0.0f
};

2.2 閉環(huán)控制中斷服務(wù)函數(shù)

C

// DAB 電壓閉環(huán)控制函數(shù) (運(yùn)行在定時(shí)中斷中,頻率通常為開(kāi)關(guān)頻率)
void DAB_Control_ISR(void) {
    // 1. 讀取硬件 ADC 采樣值并轉(zhuǎn)換為電壓 (需替換為實(shí)際底層函數(shù))
    dab_pi.V_meas = Read_ADC_Voltage();

    // 2. 計(jì)算誤差
    dab_pi.error = dab_pi.V_ref - dab_pi.V_meas;

    // 3. PI 積分計(jì)算與抗積分飽和 (Anti-windup)
    dab_pi.integral += dab_pi.error * dab_pi.Ki;
    if (dab_pi.integral > MAX_PHASE_SHIFT)  dab_pi.integral = MAX_PHASE_SHIFT;
    if (dab_pi.integral < MIN_PHASE_SHIFT)  dab_pi.integral = MIN_PHASE_SHIFT;

    // 4. 計(jì)算 PI 總輸出 (即移相占空比 D)
    dab_pi.D_out = (dab_pi.Kp * dab_pi.error) + dab_pi.integral;

    // 5. 整體輸出限幅
    if (dab_pi.D_out > MAX_PHASE_SHIFT)  dab_pi.D_out = MAX_PHASE_SHIFT;
    if (dab_pi.D_out < MIN_PHASE_SHIFT)  dab_pi.D_out = MIN_PHASE_SHIFT;

    // 6. 軟啟動(dòng)與斜率限制 (防止D劇烈跳變導(dǎo)致變壓器偏磁炸機(jī))
    // dab_pi.D_out = Slew_Rate_Limiter(dab_pi.D_out);

    // 7. 更新 PWM 移相寄存器
    Update_PWM_PhaseShift(dab_pi.D_out);
    
    // 8. 清除中斷標(biāo)志位 (依具體 MCU 而定)
    // Clear_Interrupt_Flag();
}

2.3 底層 PWM 移相配置邏輯 (基于 TI C2000 思路)

DAB 的 PWM 配置非常關(guān)鍵。通常將原邊全橋(如 EPWM1, EPWM2)設(shè)為主模塊(Master),固定相位 0 并發(fā)出同步信號(hào)(SYNC);將副邊全橋(如 EPWM3, EPWM4)設(shè)為從模塊(Slave),接收 SYNC 并修改相位寄存器(TBPHS)。

C

void Update_PWM_PhaseShift(float phase_duty) {
    // 1. 將移相占空比 D [-0.5, 0.5] 轉(zhuǎn)換為定時(shí)器的計(jì)數(shù)值 (Ticks)
    // 注意:如果是增減計(jì)數(shù)模式 (Up-Down),相移180度(D=0.5)對(duì)應(yīng)的Tick數(shù)正好是PWM_PERIOD_TICKS
    // 所以相移 Ticks = |D| * 2 * PWM_PERIOD_TICKS
    uint16_t phase_ticks = (uint16_t)(fabsf(phase_duty) * 2.0f * PWM_PERIOD_TICKS);
    
    // 2. 寫入副邊 PWM 模塊的相位寄存器
    EPwm3Regs.TBPHS.bit.TBPHS = phase_ticks; 
    EPwm4Regs.TBPHS.bit.TBPHS = phase_ticks;
    
    // 3. 設(shè)定同步時(shí)的計(jì)數(shù)器方向 (決定是超前還是滯后)
    if (phase_duty >= 0) {
        // 正向傳輸 (V1 -> V2):副邊滯后于原邊
        // 同步發(fā)生時(shí),讓計(jì)數(shù)器向下計(jì)數(shù)(TB_DOWN),產(chǎn)生滯后效果
        EPwm3Regs.TBCTL.bit.PHSDIR = TB_DOWN; 
        EPwm4Regs.TBCTL.bit.PHSDIR = TB_DOWN;
    } else {
        // 反向傳輸 (V2 -> V1):副邊超前于原邊
        // 同步發(fā)生時(shí),讓計(jì)數(shù)器向上計(jì)數(shù)(TB_UP),產(chǎn)生超前效果
        EPwm3Regs.TBCTL.bit.PHSDIR = TB_UP;
        EPwm4Regs.TBCTL.bit.PHSDIR = TB_UP;
    }
}

3. 參數(shù)驗(yàn)證與仿真 (Python 代碼)

在寫底層 C 代碼、確定電感 L 選型之前,必須先用 Python 或 MATLAB 跑一下數(shù)學(xué)模型,確認(rèn)你的硬件參數(shù)是否能滿足目標(biāo)傳輸功率。

Python

import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

# --- DAB 硬件參數(shù)配置 ---
V1 = 750.0        # 原邊直流電壓 (V)
V2 = 400.0        # 副邊直流電壓 (V)
n = 750 / 400     # 變壓器變比 N1/N2
fs = 100e3        # 開(kāi)關(guān)頻率 100 kHz
L = 40e-6         # 串聯(lián)漏感 + 輔助電感 (40 uH)

# --- 傳輸功率計(jì)算 ---
def dab_power(D):
    # D: 移相占空比 (-0.5 到 0.5)
    P_max_theoretical = (n * V1 * V2) / (2 * fs * L)
    return P_max_theoretical * D * (1 - np.abs(D))

# 生成移相角 -0.5 到 0.5 的數(shù)組
D_array = np.linspace(-0.5, 0.5, 500)
Power_array = dab_power(D_array)

# --- 繪圖與分析 ---
plt.figure(figsize=(9, 5))
plt.plot(D_array, Power_array / 1000, label='Transferred Power (kW)', color='#1f77b4', linewidth=2)
plt.axhline(0, color='black', linewidth=1)
plt.axvline(0, color='black', linewidth=1)

# 標(biāo)記最大功率點(diǎn) (D = 0.5)
P_max = dab_power(0.5) / 1000
plt.plot(0.5, P_max, 'ro')
plt.annotate(f'Max Power: {P_max:.2f} kW', xy=(0.5, P_max), xytext=(-80, -20), 
             textcoords='offset points', arrowprops=dict(arrowstyle="->"))

plt.title("DAB Transferred Power vs. Phase Shift Ratio (SPS)")
plt.xlabel("Phase Shift Ratio D (-0.5 to 0.5)")
plt.ylabel("Power (kW)")
plt.grid(True, linestyle='--')
plt.legend()
plt.show()

print(f"該硬件參數(shù)下理論最大傳輸功率: {P_max:.2f} kW")

4. 工業(yè)級(jí) SST DAB 開(kāi)發(fā)的“避坑指南”

wKgZPGmWUWCAVNHoAEY00vwVtgE179.png

如果您要把這段代碼運(yùn)行在真實(shí)的物理高壓硬件上,僅有上述基礎(chǔ)代碼是絕對(duì)不夠的,極易發(fā)生“炸機(jī)”。實(shí)際工程代碼必須加入以下高級(jí)策略:

死區(qū)效應(yīng)與極性反轉(zhuǎn)補(bǔ)償 (Dead-time Compensation): H 橋上下管必須添加死區(qū)以防直通。但在輕載時(shí)(移相角極小,往往與死區(qū)時(shí)間處于同一量級(jí)),死區(qū)會(huì)導(dǎo)致輸出交流方波的極性反轉(zhuǎn),造成嚴(yán)重的電壓畸變,使實(shí)際傳輸功率嚴(yán)重偏離理論公式。代碼對(duì)策:根據(jù)采樣到的高頻電感電流極性,在軟件中動(dòng)態(tài)進(jìn)行死區(qū)時(shí)間前饋補(bǔ)償。

高頻變壓器直流偏磁抑制 (DC-Bias Prevention): 器件導(dǎo)通壓降不一致、驅(qū)動(dòng)延時(shí)不對(duì)稱,或者代碼中移相角 D 的劇烈跳變,都會(huì)導(dǎo)致變壓器伏秒不平衡,累積直流偏磁電流,導(dǎo)致磁芯瞬間飽和炸機(jī)。代碼對(duì)策:除了硬件串聯(lián)隔直電容外,軟件算法中必須引入斜率限制(Slew Rate Limiter),嚴(yán)禁移相角突變;高級(jí)算法還會(huì)采集原邊高頻電流的直流分量,微調(diào)占空比(不再死守 50.0%)進(jìn)行主動(dòng)糾偏。

緩啟動(dòng)狀態(tài)機(jī) (Soft Start): 上電瞬間,副邊輸出電容電壓為 0,相當(dāng)于輸出短路。如果直接運(yùn)行閉環(huán) PI,積分器會(huì)瞬間拉滿導(dǎo)致毀滅性的浪涌電流。代碼對(duì)策:編寫狀態(tài)機(jī),在啟動(dòng)階段將 Vref? 從 0 緩慢爬升(Ramp-up)至目標(biāo)電壓,或限制 D 從極小值逐漸放開(kāi)。

多重移相控制 (EPS / DPS / TPS): SPS 控制的致命弱點(diǎn)是:當(dāng) SST 前后級(jí)電壓不匹配 (V1?=nV2?) 或系統(tǒng)處于輕載時(shí),會(huì)產(chǎn)生極大的無(wú)功回流功率,增加電流有效值并丟失軟開(kāi)關(guān) (ZVS)。進(jìn)階的 DAB 往往會(huì)升級(jí)為雙重移相 (DPS) 或 三重移相 (TPS)。這意味著代碼不僅要控制原副邊 H 橋之間的移相,還要在原/副邊 H 橋內(nèi)部的左右半橋之間引入內(nèi)移相角(使得方波變成三電平階梯波)。此時(shí) PI 控制器的輸出將接入一個(gè)復(fù)雜的多目標(biāo)優(yōu)化數(shù)學(xué)模型或查表(LUT)中,以求取不同移相角的最佳組合。

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    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:28 ?1293次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 01-14 16:56 ?395次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 12-04 09:45 ?1653次閱讀
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