電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)告（文/張迎輝） 2026年存儲(chǔ)市場依舊處于繼續(xù)缺貨的狀態(tài)。在近期舉辦的華邦電子開年媒體溝通會(huì)上，華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪總針對當(dāng)前利基型DRAM市場走勢、先進(jìn)制程布局以及邊緣AI應(yīng)用落地等核心議題進(jìn)行了詳細(xì)解讀。電子發(fā)燒友網(wǎng)等行業(yè)媒體分析師一起參與了線上的溝通會(huì)。以下是本次溝通會(huì)的觀點(diǎn)梳理。

朱迪，華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)

作為“利基型存儲(chǔ)市場”的頭部廠商，華邦電子目前正通過技術(shù)迭代與產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整，應(yīng)對AI浪潮帶來的供應(yīng)鏈重構(gòu)。朱迪指出，當(dāng)前中小容量嵌入式市場（DDR3/4, LPDDR4）依然處于緊張態(tài)勢，相比2025年未見緩解。供需預(yù)測：缺貨常態(tài)化，預(yù)測兩年后才能迎新平衡。

朱迪總指出，缺貨根源在于 AI算力需求導(dǎo)致存儲(chǔ)資源被虹吸。云端與邊緣側(cè)需求持續(xù)增長，而產(chǎn)能擴(kuò)充受限于潔凈室建設(shè)、機(jī)臺(tái)交付等長周期因素。對于市場平衡的回歸預(yù)期，朱迪認(rèn)為預(yù)計(jì)2年后市場將達(dá)到新的供需平衡。但他也強(qiáng)調(diào)，這種“正軌”并非回到過去產(chǎn)能過剩、價(jià)格戰(zhàn)頻發(fā)的虧損狀態(tài)，而是進(jìn)入一個(gè)更健康、更注重性能（Performance）而非單純性價(jià)比的新常態(tài)。

華邦的技術(shù)破局：16nm制程與TCO優(yōu)勢

面對物理產(chǎn)能擴(kuò)充的滯后，華邦采取了“向內(nèi)挖掘”的策略，即通過制程微縮提升晶圓產(chǎn)出。首先是華邦的16nm平臺(tái)的落地。華邦最新推出的16nm 8Gb DDR4是其技術(shù)突破的重點(diǎn)。相比傳統(tǒng)的25nm/20nm制程，16nm進(jìn)入“1字頭”節(jié)點(diǎn)，顯著提升了單片晶圓的裸晶（Die）產(chǎn)出率。對內(nèi)的產(chǎn)能調(diào)配策略是高雄廠將資源向16nm傾斜，逐步減少舊制程投片，以此在市場整體產(chǎn)能擴(kuò)張速度有限的情況下，緩解供應(yīng)短缺。

同時(shí)朱迪也指出，DDR4的長生命周期出人意料。盡管DDR5成本下探，朱迪認(rèn)為DDR4在特定領(lǐng)域仍具統(tǒng)治力。具體原因包括在容量門檻上，DDR5目前無32Gb（4GB）以下的小容量選項(xiàng)。在系統(tǒng)成本（TCO）方面，許多存量SoC不支持DDR5，強(qiáng)行轉(zhuǎn)DDR5需增加PHY成本及重新流片，技術(shù)上的困難超過想像。因此，在4GB以下應(yīng)用中，成熟生態(tài)的DDR4仍是高性價(jià)比首選。

邊緣AI與汽車：CUBE與高容量NOR的機(jī)遇

華邦推出CUBE（Customized Ultra-Bandwidth Elements，定制化超高帶寬元件）產(chǎn)品系列，應(yīng)對邊緣側(cè)需求的“小HBM”。針對邊緣AI推理對高帶寬的需求，華邦將CUBE產(chǎn)品定義為邊緣側(cè)的“小HBM”。在技術(shù)邏輯上，CUBE產(chǎn)品將會(huì)采用3D堆疊技術(shù)，通過高I/O數(shù)量在低頻率下實(shí)現(xiàn)高帶寬，解決“內(nèi)存墻”問題并降低功耗。

CUBE產(chǎn)品的落地應(yīng)用包括移動(dòng)、邊緣及嵌入式場景運(yùn)行的AI SoC。朱迪介紹，目前16nm CUBE定制化方案正在推進(jìn)中；預(yù)計(jì)2027年Q1 8Gb LPDDR4等產(chǎn)品將進(jìn)入量產(chǎn)爬坡期。

朱迪特別指出，AI服務(wù)器的爆發(fā)不僅拉動(dòng)DRAM，更大幅推高了NOR Flash的需求與價(jià)值。
用量上需求激增，單臺(tái)AI服務(wù)器不僅CPU需NOR Flash做BIOS，BMC管理芯片、AI加速卡、智能網(wǎng)卡及光模塊均需搭載NOR Flash。有媒體稱，單臺(tái)AI服務(wù)器上的NOR Flash價(jià)值量已超600美元。AI 服務(wù)器端NOR Flash容量起步即512Mb，同時(shí)向1Gb、2Gb邁進(jìn)。這都是AI帶來的新的增量市場。

在汽車領(lǐng)域，華邦避開高算力中央平臺(tái)（主要由DDR5/LPDDR5主導(dǎo)），聚焦于感知層（雷達(dá)、攝像頭）和域控制器。隨著GB39901—2025（AEB強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)）的推進(jìn)，中低端車型輔助駕駛滲透率提升，帶動(dòng)了對4Gb/8Gb LPDDR4及NAND Flash的需求。

競爭格局：與國內(nèi)廠商錯(cuò)位競爭

針對國內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)的快速追趕，朱迪表示華邦與國內(nèi)主要廠商目前處于不同賽道。一是在市場上作區(qū)隔：國內(nèi)頭部廠商主要填補(bǔ)服務(wù)器、手機(jī)所需的HBM、LPDDR5等高容量缺口；華邦則深耕中小容量利基市場。其次是華邦的IDM優(yōu)勢。華邦擁有2 座自有晶圓廠（臺(tái)中廠、高雄廠），在交付確定性上具有優(yōu)勢，這在車規(guī)級市場尤為重要。

寫在最后

總結(jié)來看，2026年華邦電子將利用16nm制程紅利填補(bǔ)DDR4市場供給缺口；借力AI服務(wù)器需求爆發(fā)機(jī)遇，鞏固在NOR Flash領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并通過CUBE解決方案，持續(xù)滿足邊緣AI的高帶寬、低功耗需求。（全文完）