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北方華創(chuàng)發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體刻蝕設備NMC612H

CHANBAEK ? 來源:北方華創(chuàng) ? 2026-03-26 17:06 ? 次閱讀
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近日,北方華創(chuàng)正式發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備——NMC612H。該設備聚焦先進邏輯與先進存儲領域關鍵刻蝕工藝需求,針對超高深寬比、超高均勻性、精確形貌控制等挑戰(zhàn),攻克了全新一代精準偏壓控制、射頻多態(tài)脈沖控制、超高速通訊網(wǎng)絡控制等多項技術難題,搭配全國產(chǎn)超百區(qū)獨立控溫靜電卡盤及具備完全自主知識產(chǎn)權的溫控算法,將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數(shù)百比一,均勻性帶入埃米級時代,標志著北方華創(chuàng)持續(xù)引領高端ICP刻蝕設備領域的發(fā)展方向,突破性技術優(yōu)勢可滿足更先進節(jié)點的芯片制造要求,攜手芯片制造商共同迎接AI時代的機遇與挑戰(zhàn)。

全球算力與存儲芯片需求的爆發(fā),帶動半導體設備市場持續(xù)增長。干法刻蝕作為半導體設備核心品類,市場份額超過20%,預計2026年全球市場規(guī)模將達到171億美元。其中,ICP刻蝕設備占比60%,約103億美元[1],在芯片制造鏈條中占據(jù)不可或缺的地位。

[1] 信息來源:SEMI半導體制造設備市場規(guī)模(2024年12月)。

芯片制造中更精細的尺寸要求,帶來了工藝步驟數(shù)量的成倍增加,芯片更小的關鍵尺寸(CD)與節(jié)距(Pitch)由多輪沉積和ICP刻蝕工藝協(xié)同定義,每一步的微小差異,都會被后續(xù)的環(huán)節(jié)指數(shù)級放大。

在此背景下,北方華創(chuàng)精研更先進節(jié)點刻蝕工藝的難點、痛點,打造出全新一代高端ICP刻蝕產(chǎn)品612H,該產(chǎn)品具備以下四大優(yōu)勢:

1.全新一代精準偏壓控制(Pulsed DC Voltage,PDV):實現(xiàn)電子伏特量級、窄能量分布的離子入射能量和離子方向的精確控制,滿足更小線寬、更高深寬比結構的超高精度刻蝕需求。

2.量產(chǎn)級超百區(qū)精細控溫靜電卡盤:通過具備完全自主知識產(chǎn)權及全國產(chǎn)供應鏈的超百區(qū)獨立控溫靜電卡盤,實現(xiàn)優(yōu)于0.3°C的溫度均勻性控制。

3.射頻多態(tài)脈沖(MLP)及快速匹配算法成套解決方案:匹配時間由秒級降低至毫秒級,具備同步脈沖、異步脈沖以及三頻同啟等多種RF模式,實現(xiàn)對單步工藝配方等離子體成分和能量的精確調(diào)控。

4.原位原子層沉積(ALD)模塊:具備同腔室內(nèi)任意交替使用ALD沉積和刻蝕工藝能力,突破了傳統(tǒng)刻蝕設備的功能局限,賦予產(chǎn)品更多更廣的應用場景。

在實際工藝表現(xiàn)上,NMC612H不僅在ICP平臺上實現(xiàn)了小尺寸開口下數(shù)百比一的高深寬比刻蝕能力,還將Patterning[2]刻蝕CD[3]均勻性控制在了1個硅原子直徑范圍內(nèi),真正實現(xiàn)了對刻蝕形貌的單原子層級精確控制,確??涛g工藝能力滿足下一代高端芯片的規(guī)格需求。

[2] 圖形化或圖形轉(zhuǎn)移: 指把掩膜版(mask)上的電路圖形通過光刻、刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到硅片上的全過程。

[3] 關鍵尺寸或臨界線寬:CD值決定晶體管溝道長度、線寬精度,是衡量制程先進程度的核心指標之一。

除了硬件全面升級外,NMC612H還創(chuàng)新性配備了人工智能賦能的工藝配方優(yōu)化及大數(shù)據(jù)分析平臺(AI+RDF[4]),依托北方華創(chuàng)擁有自主知識產(chǎn)權的海量工藝數(shù)據(jù)庫,讓刻蝕工藝調(diào)試和機臺數(shù)據(jù)診斷從工程師的經(jīng)驗主導升級為AI輔助+專家經(jīng)驗協(xié)同,有效加速問題定位、保障運行穩(wěn)定性,為客戶帶來了整體運營效率的提升。

[4] RDF: Recipe Diagnosing Function。

依托在刻蝕領域25年的技術優(yōu)勢與應用經(jīng)驗,北方華創(chuàng)通過了各領域頭部客戶的嚴苛驗證,累計客戶端ICP裝機超過8000腔,月度穩(wěn)定量產(chǎn)12英寸產(chǎn)品超500萬片。NMC612系列ICP刻蝕產(chǎn)品已深度嵌入國內(nèi)各主流Fab產(chǎn)線,全面覆蓋從成熟制程到更先進技術代的邏輯、存儲、功率、傳感等多元芯片制造場景,并在嚴苛的大規(guī)模量產(chǎn)環(huán)境中證明了其高穩(wěn)定性、低缺陷、極佳均勻性的核心競爭優(yōu)勢。

在國際半導體產(chǎn)業(yè)格局加速變革的背景下,北方華創(chuàng)作為ICP刻蝕技術引領者,始終以“推動產(chǎn)業(yè)進步,創(chuàng)造無限可能”為使命,深度協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合研發(fā)與創(chuàng)新,推動關鍵設備從“滿足量產(chǎn)”走向“定義路線”,持續(xù)致力于設備與工藝的迭代升級,貢獻AI時代的中國力量!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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