佰祥電子本期為大家?guī)?lái)華潤(rùn)微專(zhuān)為低壓大電流控制場(chǎng)景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTD050P03L2-G，以 - 30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流、TO-252 通用封裝等核心優(yōu)勢(shì)，破解低壓大電流場(chǎng)景中器件導(dǎo)通損耗高、電流承載不足、開(kāi)關(guān)響應(yīng)慢、高低溫穩(wěn)定性差的行業(yè)痛點(diǎn)。

CRTE280P06L2-G SOP8 封裝外形尺寸圖

一、原生適配：專(zhuān)為低壓大電流控制場(chǎng)景匠心定制

CRTD050P03L2-G 并非普通 P-MOSFET 器件的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)，而是立足低壓大電流控制全場(chǎng)景使用需求的定制化 Trench 工藝研發(fā)，完美適配各類(lèi)低壓電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等設(shè)備，在超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載、高可靠性、通用封裝適配、寬溫域工作之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡，一站式提供 - 30V 額定耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 持續(xù)電流、JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、100% 雙測(cè)試的完整功率開(kāi)關(guān)一體化解決方案。

CRTE280P06L2-G 核心規(guī)格參數(shù)表

二、七大核心亮點(diǎn)，重新定義低壓大電流場(chǎng)景 P-MOSFET 應(yīng)用標(biāo)桿

先進(jìn) Trench 工藝，4.2mΩ 超低導(dǎo)阻優(yōu) FOM 值

采用華潤(rùn)微先進(jìn) CRM Trench 溝槽工藝，原生實(shí)現(xiàn) 4.2mΩ 典型導(dǎo)通電阻，VGS=-4.5V 工況下最大僅 7mΩ，大幅降低低壓大電流場(chǎng)景下的導(dǎo)通損耗，直接提升功率轉(zhuǎn)換效率；擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)（FOM），實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的最優(yōu)平衡，完美適配高頻開(kāi)關(guān)需求；工藝優(yōu)化器件內(nèi)部溝道結(jié)構(gòu)，提升功率密度，無(wú)需多器件并聯(lián)即可滿足大電流需求，大幅簡(jiǎn)化模塊設(shè)計(jì)。

-30V 高耐壓特性，低壓場(chǎng)景穩(wěn)定性拉滿

額定漏源擊穿電壓 - 30V，耐壓特性高度穩(wěn)定，無(wú)明顯參數(shù)漂移，完美適配 20-30V 低壓大電流控制的電壓需求；器件耐壓性能經(jīng)過(guò)嚴(yán)苛的 100% DVDS 測(cè)試，有效抵御供電電壓波動(dòng)帶來(lái)的器件故障風(fēng)險(xiǎn)；在電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)等復(fù)雜低壓供電環(huán)境下運(yùn)行更可靠，適配多場(chǎng)景電壓動(dòng)態(tài)變化需求。

-125A 大電流承載，-240A 脈沖超裕量

25℃硅片極限下支持 - 125A 持續(xù)漏極電流，100℃工況下仍保持 - 60A 持續(xù)電流輸出，充分滿足低壓大電流場(chǎng)景的功率控制需求；25℃下脈沖漏極電流可達(dá) - 240A，脈沖電流裕量充足，適配瞬時(shí)大電流啟動(dòng)場(chǎng)景；器件內(nèi)部?jī)?yōu)化電流分布設(shè)計(jì)，避免局部電流集中問(wèn)題，大電流工況下器件溫升低，運(yùn)行狀態(tài)更穩(wěn)定，無(wú)需額外增加擴(kuò)流器件。

TO-252 通用封裝，散熱優(yōu)異易量產(chǎn)

采用 TO-252 通用封裝，結(jié)殼熱阻僅 1.2℃/W，散熱性能優(yōu)異，可快速散除大電流工況下產(chǎn)生的熱量，保障器件長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行；封裝尺寸緊湊，適配小型化 PCB 板設(shè)計(jì)，大幅節(jié)省板級(jí)布局空間，優(yōu)化功率模塊的整體體積；完美兼容主流 SMT 貼片工藝，引腳布局標(biāo)準(zhǔn)化，量產(chǎn)貼裝效率高、良率優(yōu)，降低生產(chǎn)工藝難度，適配中小批量試產(chǎn)與大規(guī)模量產(chǎn)需求。

優(yōu)異開(kāi)關(guān)特性，低驅(qū)動(dòng)損耗快響應(yīng)

優(yōu)化器件柵極電荷特性，柵極總電荷（Qg）典型值僅 88.0nC，柵極驅(qū)動(dòng)損耗大幅降低；開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度快，開(kāi)通延遲時(shí)間僅 16ns，上升時(shí)間 9ns，精準(zhǔn)適配低壓大電流場(chǎng)景的高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用需求；開(kāi)關(guān)過(guò)程中尖峰電壓小，EMI 電磁干擾低，大幅降低外圍 EMC 設(shè)計(jì)難度，減少阻容濾波器件的使用；柵極控制邏輯簡(jiǎn)單，僅需少量驅(qū)動(dòng)元件即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)，大幅簡(jiǎn)化外圍驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

CRTE280P06L2-G 典型應(yīng)用電路原理圖圖

JEDEC 認(rèn)證 + 全項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試，高可靠抗沖擊

產(chǎn)品通過(guò) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)權(quán)威認(rèn)證，完全滿足工業(yè)級(jí)設(shè)備的高可靠性要求；器件經(jīng)過(guò) 100% DVDS 測(cè)試與 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 225mJ，抗浪涌、抗沖擊能力突出；柵源極支持 ±20V 電壓，過(guò)壓耐受能力強(qiáng)，在異常供電工況下可有效保護(hù)器件不被損壞，全場(chǎng)景運(yùn)行更安全。

-55~+150℃寬溫域，全環(huán)境穩(wěn)定工作

支持 - 55~+150℃工業(yè)級(jí)寬結(jié)溫與存儲(chǔ)溫度范圍，覆蓋戶外設(shè)備、工業(yè)機(jī)械、電動(dòng)工具等全溫域應(yīng)用需求；寬溫域內(nèi)導(dǎo)通電阻溫漂特性優(yōu)異，高低溫極端環(huán)境下器件電氣參數(shù)無(wú)明顯衰減，電流承載與耐壓能力保持穩(wěn)定；高低溫工況下無(wú)明顯性能損耗，有效提升整機(jī)的環(huán)境適應(yīng)能力與長(zhǎng)期使用壽命。

三、主流應(yīng)用場(chǎng)景

低壓電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)

電動(dòng)工具功率開(kāi)關(guān)

鋰電池保護(hù)板

低壓大電流電源模塊

工業(yè)便攜大電流設(shè)備

消費(fèi)電子大電流供電控制

四、總結(jié)

CRTD050P03L2-G 是一款采用 CRM 先進(jìn) Trench 工藝、-30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流承載、TO-252 通用封裝的高性能 P-MOSFET，在導(dǎo)通損耗、電流承載能力、功率密度、開(kāi)關(guān)特性、可靠性認(rèn)證、溫域適配上實(shí)現(xiàn)全維度突破，相比同類(lèi)型產(chǎn)品更能滿足低壓大電流場(chǎng)景的低損耗、高功率、高可靠應(yīng)用需求，依托華潤(rùn)微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累，成為低壓大電流控制場(chǎng)景 P-MOSFET 應(yīng)用的標(biāo)桿之選。

佰祥電子作為華潤(rùn)微官方授權(quán)代理商，常備 CRTD050P03L2-G 原廠現(xiàn)貨，可提供完整規(guī)格書(shū)、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請(qǐng)及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持，正品保障、價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著、交貨周期短，助力客戶低壓大電流相關(guān)產(chǎn)品高效開(kāi)發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場(chǎng)。

面向功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大電流化、低損耗、高可靠、易量產(chǎn)的發(fā)展趨勢(shì)，CRTD050P03L2-G 以 4.2mΩ 超低導(dǎo)通電阻、-125A 大電流、-30V 高耐壓、TO-252 通用封裝、寬溫域穩(wěn)定工作、全項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試保障的核心優(yōu)勢(shì)，成為低壓大電流控制場(chǎng)景 P-MOSFET 應(yīng)用的全新標(biāo)桿方案。