4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京舉行。大會(huì)群英薈萃，來(lái)自行業(yè)的院士專家、領(lǐng)軍企業(yè)共聚一堂，聚焦MW級(jí)算力系統(tǒng)以及GW級(jí)數(shù)據(jù)中心的核心熱點(diǎn)議題，分享交流寶貴經(jīng)驗(yàn)，共商算力集群部署的關(guān)鍵瓶頸，為AI算力發(fā)展貢獻(xiàn)一份力量。

士蘭微受邀出席本次峰會(huì)，士蘭微電子系統(tǒng)應(yīng)用專家胡豆豆發(fā)表以《算力引擎·功率領(lǐng)航 | 士蘭微AI服務(wù)器電源全鏈功率半導(dǎo)體解決方案》為題的講演，向與會(huì)的專家學(xué)者、友商、用戶們分享了士蘭微AI數(shù)據(jù)中心供電的全鏈路功率半導(dǎo)體解決方案。

針對(duì)當(dāng)前50Vdc母線的AI數(shù)據(jù)中心的供電架構(gòu)，士蘭微提出了高度匹配的立體化產(chǎn)品矩陣：在前段高壓的HVDC部分，士蘭微提供業(yè)界領(lǐng)先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高壓高效轉(zhuǎn)換；在PSU部分，士蘭微針對(duì)5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料號(hào)為SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料號(hào)為SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料號(hào)為SVGP081R8NL5-3HF)，該方案表現(xiàn)亮眼，已助力服務(wù)器電源客戶實(shí)現(xiàn)97.5%效率，在LV IBC、VRM和熱插拔等應(yīng)用，士蘭微推出各電壓等級(jí)的低壓MOSFET、寬SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。

而隨著AI數(shù)據(jù)中心供電向800Vdc母線演進(jìn)，針對(duì)SST應(yīng)用、HV IBC應(yīng)用，士蘭微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各電壓等級(jí)的低壓MOSFET。以上覆蓋各應(yīng)用場(chǎng)景的功率器件解決方案構(gòu)成了“從電網(wǎng)到核心”的完整方案鏈條，保障數(shù)據(jù)中心能源供應(yīng)的高效穩(wěn)定。

展望未來(lái)，AI日新月異，算力浪潮奔騰不息，士蘭微將持續(xù)深耕數(shù)據(jù)中心供電領(lǐng)域，迭代推出更高性能的半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)品與解決方案，與行業(yè)伙伴攜手，共同為下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施提供強(qiáng)勁、高效、可靠的“芯”臟動(dòng)力。