深入解析FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，對電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討Fairchild（現(xiàn)屬ON Semiconductor）的FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET，了解其特性、參數(shù)及應(yīng)用。

文件下載：FDMS7660-D.pdf

一、產(chǎn)品背景與更名說明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的產(chǎn)品編號需要更改。具體來說，F(xiàn)airchild產(chǎn)品編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號。

二、FDMS7660 MOSFET特性

2.1 先進(jìn)設(shè)計(jì)與高性能

低導(dǎo)通電阻與高效率：采用先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)組合，實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)})，有助于提高電路效率，減少功率損耗。
增強(qiáng)型體二極管技術(shù)：下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)，具有軟恢復(fù)特性，在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中能提供類似肖特基二極管的性能，同時將電磁干擾（EMI）降至最低。
穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)：MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
測試保證：經(jīng)過100% UIL測試，確保產(chǎn)品質(zhì)量。
環(huán)保合規(guī)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

2.2 優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)

該N溝道MOSFET專為提高DC/DC 轉(zhuǎn)換器的整體效率和最小化開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴而設(shè)計(jì)。它在低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和體二極管反向恢復(fù)性能方面進(jìn)行了優(yōu)化。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

筆記本電腦IMVP Vcore開關(guān)：為筆記本電腦的核心供電電路提供高效的開關(guān)功能。
臺式機(jī)和服務(wù)器VRM Vcore開關(guān)：滿足臺式機(jī)和服務(wù)器電源管理的需求。
OringFET/負(fù)載開關(guān)：可用于電源切換和負(fù)載管理。
DC - DC轉(zhuǎn)換：在各種直流電源轉(zhuǎn)換電路中發(fā)揮重要作用。

四、關(guān)鍵參數(shù)

4.1 最大額定值

符號	參數(shù)	額定值	單位
(V_{DS})	漏源電壓	30 V	V
(V_{GS})	柵源電壓（注4）	±20 V	V
(I_{D})	漏極電流 - 連續(xù)（封裝限制，(T_C = 25^{circ}C)）	42 A	A
(I_{D})	漏極電流 - 連續(xù)（硅限制，(T_C = 25^{circ}C)）	144 A	A
(I_{D})	漏極電流 - 連續(xù)（(T_A = 25^{circ}C)，注1a）	25 A	A
(I_{D})	漏極脈沖電流	150 A	A
(E_{AS})	單脈沖雪崩能量（注3）	128 mJ	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_C = 25^{circ}C)）	78 W	W
(P_{D})	功率耗散（(T_A = 25^{circ}C)，注1a）	2.5 W	W
(TJ, T{STG})	工作和存儲結(jié)溫范圍	-55 至 +150 °C	°C

4.2 熱特性

符號	參數(shù)	值	單位
(R_{theta JC})	結(jié)到外殼的熱阻	1.6 °C/W	°C/W
(R_{theta JA})	結(jié)到環(huán)境的熱阻（注1a）	50 °C/W	°C/W

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

符號	參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
(BV_{DSS})	漏源擊穿電壓	(ID = 250 mu A, V{GS} = 0 V)	30	-	-	V
(frac{Delta BV_{DSS}}{Delta T_J})	擊穿電壓溫度系數(shù)	(I_D = 250 mu A)，參考25 °C	-	17	-	mV/°C
(I_{DSS})	零柵壓漏極電流	(V{DS} = 24 V, V{GS} = 0 V)	-	-	1	(mu A)
(I_{GSS})	柵源正向泄漏電流	(V{GS} = 20 V, V{DS} = 0 V)	-	-	100	nA

4.3.2 導(dǎo)通特性

符號	參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
(V_{GS(th)})	柵源閾值電壓	(V{GS} = V{DS}, I_D = 250 mu A)	1.25	1.9	3.0	V
(frac{Delta V_{GS(th)}}{Delta T_J})	柵源閾值電壓溫度系數(shù)	(I_D = 250 mu A)，參考25 °C	-	-7	-	mV/°C
(r_{DS(on)})	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	(V_{GS} = 10 V, I_D = 25 A)	-	1.9	2.8	mΩ
(r_{DS(on)})	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	(V_{GS} = 4.5 V, I_D = 19 A)	-	2.7	3.5	mΩ
(r_{DS(on)})	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	(V_{GS} = 10 V, I_D = 25 A, T_J = 125 °C)	-	2.5	3.7	mΩ
(g_{FS})	正向跨導(dǎo)	(V_{DS} = 5 V, I_D = 25 A)	-	250	-	S

4.3.3 動態(tài)特性

符號	參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
(C_{iss})	輸入電容	(V{DS} = 15 V, V{GS} = 0 V, f = 1 MHz)	4185	-	5565	pF
(C_{oss})	輸出電容	-	1380	-	1830	pF
(C_{rss})	反向傳輸電容	-	125	-	190	pF
(R_g)	柵極電阻	-	0.9	-	2.0	Ω

4.3.4 開關(guān)特性

符號	參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
(t_{d(on)})	導(dǎo)通延遲時間	(V_{DD} = 15 V, ID = 25A, V{GS} = 10 V, R_{GEN} = 6 Ω)	-	17	31	ns
(t_{r})	上升時間	-	9	18	ns
(t_{d(off)})	關(guān)斷延遲時間	-	37	60	ns
(t_{f})	下降時間	-	7	13	ns
(Q_g)	總柵極電荷	(V{GS} = 0 V) 到 10 V，(V{DD} = 15 V, I_D = 25 A)	60	-	84	nC
(Q_g)	總柵極電荷	(V_{GS} = 0 V) 到 4.5 V	27	-	38	nC
(Q_{gs})	柵源電荷	-	12.3	-	nC
(Q_{gd})	柵漏“米勒”電荷	-	7.2	-	nC

4.3.5 漏源二極管特性

符號	參數(shù)	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
(V_{SD})	源漏二極管正向電壓	(V_{GS} = 0 V, I_S = 2.1 A)（注2）	0.7	-	0.95	V
(V_{SD})	源漏二極管正向電壓	(V_{GS} = 0 V, I_S = 25 A)（注2）	0.8	-	1.1	V
(t_{rr})	反向恢復(fù)時間	(I_F = 25 A, di/dt = 100 A/mu s)	46	-	74	ns
(Q_{rr})	反向恢復(fù)電荷	-	26	-	42	nC
(t_a)	反向恢復(fù)下降時間	-	19	-	nC
(t_b)	反向恢復(fù)上升時間	-	27	-	nC
(S)	軟度（(t_b/t_a)）	-	1.4	-	-
(t_{rr})	反向恢復(fù)時間	(I_F = 25 A, di/dt = 300 A/mu s)	36	-	58	ns
(Q_{rr})	反向恢復(fù)電荷	(I_F = 25 A, di/dt = 300 A/mu s)	43	-	68	nC

五、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線對于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中評估器件性能和選擇合適的工作點(diǎn)非常有幫助。

六、封裝與訂購信息

器件標(biāo)記	器件	封裝	卷盤尺寸	膠帶寬度	數(shù)量
FDMS7660	FDMS7660	Power 56	13 ”	12 mm	3000 單位

七、注意事項(xiàng)

命名更改：注意Fairchild產(chǎn)品編號中因系統(tǒng)要求的更名情況。
應(yīng)用限制：ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。
參數(shù)驗(yàn)證：“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實(shí)際性能也可能隨時間變化。所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。

通過對FDMS7660 N-Channel PowerTrench? MOSFET的詳細(xì)分析，我們可以看到它在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些參數(shù)和特性，合理選擇和使用該器件。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。

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2.1 先進(jìn)設(shè)計(jì)與高性能

2.2 優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、關(guān)鍵參數(shù)

4.1 最大額定值

4.2 熱特性

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

4.3.2 導(dǎo)通特性

4.3.3 動態(tài)特性

4.3.4 開關(guān)特性

4.3.5 漏源二極管特性

五、典型特性曲線

六、封裝與訂購信息

七、注意事項(xiàng)

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2.2 優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、關(guān)鍵參數(shù)

4.1 最大額定值

4.2 熱特性

4.3 電氣特性

4.3.1 關(guān)斷特性

4.3.2 導(dǎo)通特性

4.3.3 動態(tài)特性

4.3.4 開關(guān)特性

4.3.5 漏源二極管特性

五、典型特性曲線

六、封裝與訂購信息

七、注意事項(xiàng)

評論

二、FDMS7660 MOSFET特性

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、關(guān)鍵參數(shù)

五、典型特性曲線

七、注意事項(xiàng)