深入解析FDMS003N08C N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件之一。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor（現(xiàn) onsemi）推出的 FDMS003N08C N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，了解它的特性、應(yīng)用以及相關(guān)參數(shù)。

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產(chǎn)品概述

FDMS003N08C 是一款 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench? MOSFET，采用了 ON Semiconductor 先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝，并融入了屏蔽柵技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還能保持卓越的開關(guān)性能，并且擁有一流的軟體二極管。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在 (V{GS}=10V)，(I{D}=56A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 3.1mΩ)；在 (V{GS}=6V)，(I{D}=28A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 8.1mΩ)。低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提高效率。

低反向恢復(fù)電荷（Qrr）

Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50%，這一特性可降低開關(guān)噪聲和電磁干擾（EMI），在對(duì) EMI 要求較高的應(yīng)用中具有明顯優(yōu)勢(shì)。

穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)

采用 MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，并且經(jīng)過 100% UIL 測(cè)試，確保了產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

環(huán)保合規(guī)

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

電源轉(zhuǎn)換

作為初級(jí) DC - DC MOSFET 和 DC - DC 及 AC - DC 中的同步整流器，可有效提高電源轉(zhuǎn)換效率。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，能夠提供高效的功率控制，滿足電機(jī)的各種運(yùn)行需求。

太陽(yáng)能

適用于太陽(yáng)能系統(tǒng)，幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和管理。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• (BV{DSS})（漏源擊穿電壓）：在 (I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 80V。
• (I{DSS})（零柵壓漏極電流）：在 (V{DS}=64V)，(V_{GS}=0V) 時(shí)為 1μA。
• (I{GSS})（柵源泄漏電流）：在 (V{GS}=±20V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• (V{GS(th)})（柵源閾值電壓）：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=310μA) 時(shí)，范圍為 2.0 - 4.0V。
• (r{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 條件下有不同的值，例如在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=56A) 時(shí)為 2.6 - 3.1mΩ。

動(dòng)態(tài)特性

• (C{iss})（輸入電容）：在 (V{Ds}=40V)，(V_{Gs}=0V)，(f = 1MHz) 時(shí)為 3820 - 5350pF。
• (C_{oss})（輸出電容）：為 1335 - 1870pF。
• (C_{rss})（反向傳輸電容）：為 44 - 80pF。

開關(guān)特性

• (t{d(on)})（導(dǎo)通延遲時(shí)間）：在 (V{DD}=40V)，(I{D}=56A)，(V{GS}=10V)，(R_{GEN}=6Ω) 時(shí)為 20 - 36ns。
• (t_{r})（上升時(shí)間）：為 8 - 16ns。
• (t_{d(off)})（關(guān)斷延遲時(shí)間）：為 40 - 64ns。
• (t_{f})（下降時(shí)間）：為 12 - 23ns。

漏源二極管特性

• (V{SD})（源漏二極管正向電壓）：在不同的 (I{S}) 條件下有不同的值，例如在 (V{GS}=0V)，(I{S}=2.2A) 時(shí)為 0.7 - 1.2V。
• (t{rr})（反向恢復(fù)時(shí)間）：在不同的 (I{F}) 和 (di/dt) 條件下有不同的值。
• (Q_{rr})（反向恢復(fù)電荷）：同樣在不同條件下有不同的值。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫、漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及結(jié)到外殼的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而在實(shí)際應(yīng)用中做出更合理的設(shè)計(jì)。

總結(jié)

FDMS003N08C N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、低 Qrr、穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)等特性，在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在使用該產(chǎn)品時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合其各項(xiàng)參數(shù)和典型特性曲線，進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似 MOSFET 的選型和設(shè)計(jì)問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。