FDD86252 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET：特性與應用解析

在電子設計領域，功率MOSFET是至關重要的元件，廣泛應用于各種電源轉換和開關電路中。今天我們要深入探討的是FDD86252 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生產，現(xiàn)在已成為ON Semiconductor的一部分。

文件下載：FDD86252-D.pdf

一、產品背景與命名變更

隨著Fairchild Semiconductor與ON Semiconductor的整合，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線將改為破折號（-）。大家在使用時，可通過ON Semiconductor網(wǎng)站驗證更新后的設備編號。

二、FDD86252的特性

先進技術

FDD86252采用了Fairchild Semiconductor先進的PowerTrench?工藝，并結合了屏蔽柵技術。這種工藝在優(yōu)化導通電阻的同時，還能保持出色的開關性能。具體來說，在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，其導通電阻表現(xiàn)如下：

• 在(V{GS}=10V)，(I{D}=5A)時，最大(r_{DS(on)} = 52mΩ)；
• 在(V{GS}=6V)，(I{D}=4A)時，最大(r_{DS(on)} = 72mΩ)。

其他特性

• 100% UIL測試：經過100%的非鉗位感性負載測試，保證了產品在實際應用中的可靠性。
• RoHS合規(guī)：符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

三、應用領域

FDD86252主要應用于DC - DC轉換領域。在DC - DC轉換電路中，其低導通電阻和良好的開關性能能夠有效降低功耗，提高轉換效率。

四、產品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關斷特性

• (BV_{DSS})：漏源擊穿電壓，在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)時為150V。
• (frac{ΔBV{DSS}}{ΔT{J}})：擊穿電壓溫度系數(shù)，在(I_{D}=250μA)，參考25°C時為104mV/°C。
• (I_{DSS})：零柵壓漏極電流，在(V{DS}=120V)，(V{GS}=0V)時最大為1μA。
• (I_{GSS})：柵源泄漏電流，在(V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V)時最大為±100nA。

導通特性

• (V_{GS(th)})：柵源閾值電壓，在(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250μA)時，范圍為2.0 - 4.0V。
• (frac{ΔV{GS(th)}}{ΔT{J}})：柵源閾值電壓溫度系數(shù)，在(I_{D}=250μA)，參考25°C時為 - 10mV/°C。
• (r_{DS(on)})：靜態(tài)漏源導通電阻，在不同條件下有不同的值，如(V{GS}=10V)，(I{D}=5A)時，范圍為41 - 52mΩ。
• (g_{FS})：正向跨導，在(V{DS}=10V)，(I{D}=5A)時為15S。

動態(tài)特性

• (C_{iss})：輸入電容，在(V{DS}=75V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)時，范圍為741 - 985pF。
• (C_{oss})：輸出電容，范圍為78 - 130pF。
• (C_{rss})：反向傳輸電容，范圍為4.2 - 10pF。
• (R_{g})：柵極電阻為0.4Ω。

開關特性

在(V{DD}=75V)，(I{D}=5A)，(V{GS}=10V)，(R{GEN}=6Ω)的條件下，開關特性如下：

• 開啟延遲時間(t_{d(on)})為8.3ns。
• 上升時間(t_{r})為10ns。
• 關斷延遲時間(t_{d(off)})為25ns。
• 下降時間(t_{f})為10ns。
• 總柵極電荷(Q_{g})為17nC。

漏源二極管特性

• (V_{SD})：源漏二極管正向電壓，在不同的源極電流下有不同的值，如(V{GS}=0V)，(I{S}=5A)（注2）時，范圍為0.80 - 1.3V。
• (t_{rr})：反向恢復時間，在(I_{F}=5A)，(di/dt = 100A/μs)時，范圍為60 - 97ns。
• (Q_{rr})：反向恢復電荷，范圍為72 - 115nC。

五、典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，如導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、歸一化導通電阻與結溫的關系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FDD86252在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、注意事項

• ON Semiconductor保留對產品進行更改而不另行通知的權利。
• 該公司不保證其產品適用于任何特定用途，也不承擔因產品應用或使用而產生的任何責任。
• FDD86252產品不設計、不打算也未獲授權用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備，以及用于人體植入的設備。

在實際設計中，大家需要根據(jù)具體的應用需求，仔細評估FDD86252的各項參數(shù)，確保其能夠滿足設計要求。同時，也要關注產品的最新信息和變更，以保證設計的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用FDD86252或其他功率MOSFET時，遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。