在嵌入式開(kāi)發(fā)中，對(duì)于需要額外RAM但又不想增加PCB復(fù)雜度的設(shè)計(jì)而言，串行SPI SRAM提供了一種既經(jīng)濟(jì)又高效的選擇，高速低功耗串行SPI SRAM正逐步成為數(shù)據(jù)緩沖、音頻處理、圖形顯示及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的熱門(mén)方案。

與傳統(tǒng)并行SRAM相比，串行SPI SRAM采用少至8個(gè)引腳的封裝（如SOP-8），極大簡(jiǎn)化了硬件布線。它具備無(wú)限次讀寫(xiě)壽命和近乎零的寫(xiě)入延遲，非常適合需要頻繁數(shù)據(jù)更新或連續(xù)數(shù)據(jù)流的場(chǎng)景。無(wú)論是實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄、大容量緩存，還是斷電前的關(guān)鍵狀態(tài)保存，串行SPI SRAM都能穩(wěn)定勝任。

英尚微電子推出的多款串行SPI SRAM，全面支持SPI、SDI及SQI?總線模式。但開(kāi)發(fā)者需要注意：不同型號(hào)在地址寬度（16/17/20位）、頁(yè)大小（32/64/128字節(jié)）、寫(xiě)使能時(shí)序以及連續(xù)讀寫(xiě)模式上存在差異。傳統(tǒng)“一芯一驅(qū)動(dòng)”的開(kāi)發(fā)方式會(huì)導(dǎo)致代碼臃腫、移植困難。建議在固件中設(shè)計(jì)統(tǒng)一的內(nèi)存抽象層，以兼容不同參數(shù)。

以EMI7008WSMI為例，這是一顆8Mb容量的串行SPI SRAM。它能與主流微控制器的SPI端口直接連接；即使MCU沒(méi)有硬件SPI，也可通過(guò)GPIO模擬時(shí)序輕松驅(qū)動(dòng)。其主要規(guī)格包括：
①工作電壓：2.7V~3.6V
②串行SPI SRAM最高時(shí)鐘頻率：50MHz
③工作溫度范圍：-40℃~85℃，滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)要求
④封裝形式：SOP-8，易于手工焊接和量產(chǎn)貼片

訪問(wèn)串行SPI SRAM時(shí)，通常需要按位接收地址與數(shù)據(jù)。通過(guò)時(shí)鐘邊沿區(qū)分地址段和數(shù)據(jù)段，配合片選信號(hào)即可完成讀寫(xiě)操作。這種串行訪問(wèn)方式雖比并行略慢，但節(jié)省了I/O引腳，在成本和空間敏感的產(chǎn)品中優(yōu)勢(shì)明顯。

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審核編輯 黃宇