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onsemi FGH40N60SFDTU系列IGBT:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

lhl545545 ? 2026-04-23 14:15 ? 次閱讀
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onsemi FGH40N60SFDTU系列IGBT:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

在電子工程領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于汽車充電器、逆變器等眾多領(lǐng)域。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)推出的FGH40N60SFDTU和FGH40N60SFDTU - F085這兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品,了解它們的特性、性能以及應(yīng)用場景。

文件下載:FGH40N60SFDTU-F085-D.PDF

1. 產(chǎn)品概述

安森美采用新型場截止IGBT技術(shù),推出了這一系列場截止IGBT產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品專為汽車充電器、逆變器等對低導(dǎo)通和開關(guān)損耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用而設(shè)計,能夠提供最佳性能。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 高電流能力

具備出色的高電流承載能力,能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。在不同溫度條件下,其電流承載能力有所不同。例如,在(TC = 25^{circ}C)時,集電極電流(IC)可達(dá)(80A);而在(TC = 100^{circ}C)時,(IC)為(40A)。

2.2 低飽和電壓

在(IC = 40A)、(VGE = 15V)的條件下,飽和電壓(V_{CE(sat)})僅為(2.3V),這有助于降低導(dǎo)通損耗,提高能源效率。

2.3 高輸入阻抗

高輸入阻抗特性使得該IGBT在控制電路中能夠更好地與其他元件配合,減少信號干擾,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2.4 快速開關(guān)

能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作,降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的工作效率。

2.5 符合汽車級要求

其中FGH40N60SFDTU - F085符合AEC - Q101汽車級要求,適用于對可靠性和穩(wěn)定性要求極高的汽車電子應(yīng)用。

2.6 環(huán)保特性

這些器件為無鉛產(chǎn)品,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 汽車相關(guān)應(yīng)用

包括汽車充電器、轉(zhuǎn)換器以及高壓輔助設(shè)備等。在汽車電子系統(tǒng)中,這些IGBT能夠高效地實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制,為汽車的電動化和智能化發(fā)展提供支持。

3.2 工業(yè)應(yīng)用

如逆變器、功率因數(shù)校正(PFC)和不間斷電源(UPS)等。在工業(yè)電力系統(tǒng)中,它們可以提高電能質(zhì)量和轉(zhuǎn)換效率,降低能耗。

4. 電氣特性

4.1 絕對最大額定值

  • 電壓參數(shù):集電極 - 發(fā)射極電壓(VCES)為(600V),柵極 - 發(fā)射極電壓(VGES)為(pm20V),瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓為(pm30V)。
  • 電流參數(shù):不同溫度下的集電極電流和脈沖集電極電流有明確規(guī)定,如前面提到的(TC = 25^{circ}C)時(IC = 80A),(TC = 100^{circ}C)時(IC = 40A),(TC = 25^{circ}C)時脈沖集電極電流(ICM)為(120A)。
  • 功率和溫度參數(shù):最大功耗在(TC = 25^{circ}C)時為(290W),(TC = 100^{circ}C)時為(116W);工作結(jié)溫范圍為(-55^{circ}C)至(+150^{circ}C),存儲溫度范圍同樣為(-55^{circ}C)至(+150^{circ}C),焊接時引腳最大溫度(距離管殼(1/8)英寸處,持續(xù)(5)秒)為(300^{circ}C)。

4.2 熱特性

  • 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結(jié) - 殼熱阻(RJC)為(0.43^{circ}C/W)。
  • 二極管的結(jié) - 殼熱阻(RJC)為(1.45^{circ}C/W)。
  • 結(jié) - 環(huán)境熱阻(RJA)為(40^{circ}C/W)。

4.3 電氣特性細(xì)節(jié)

  • 關(guān)斷特性:集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓(BVCES)在(VGE = 0V)、(IC = 250A)時為(600V),擊穿電壓溫度系數(shù)(BVCES/TJ)為(0.6V/^{circ}C);集電極截止電流(ICES)在(VCE = VCES)、(VGE = 0V)時最大為(250A);柵極 - 發(fā)射極泄漏電流(IGES)在(VGE = VGES)、(VCE = 0V)時為(pm400nA)。
  • 導(dǎo)通特性:柵極 - 發(fā)射極閾值電壓(VGE(th))在(IC = 250A)、(VCE = VGE)時,典型值為(4.7V),范圍在(4.0V)至(6.5V)之間;集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))在(IC = 40A)、(VGE = 15V)時,典型值為(2.3V),最大值為(2.9V),在(TC = 125^{circ}C)時為(2.5V)。
  • 動態(tài)特性:輸入電容(Cies)在(VCE = 30V)、(VGE = 0V)、(f = 1MHz)時為(1920pF),輸出電容(Coes)為(190pF),反向傳輸電容(Cres)為(65pF)。
  • 開關(guān)特性:在不同測試條件下,給出了開通延遲時間、上升時間、關(guān)斷延遲時間、下降時間以及開關(guān)損耗等參數(shù)。例如,在(V{CC}=400V)、(I{C}=40A)、(R{G}=10Omega)、(V{GE}=15V)、感性負(fù)載、(T_{C}=25^{circ}C)的條件下,開通延遲時間(td(on))典型值為(21ns),開通開關(guān)損耗(Eon)為(1.23mJ),關(guān)斷開關(guān)損耗(Eoff)為(0.38mJ),總開關(guān)損耗(Ets)為(1.61mJ)。

4.4 二極管特性

  • 正向壓降(VFM)在(IF = 20A)、(TC = 25^{circ}C)時,最小值為(1.80V),典型值為(2.6V)。
  • 二極管反向恢復(fù)時間在(I{F}=20A)、(di{F} / dt = 200A / mu s)時為(68ns)。

5. 典型性能特性

文檔中給出了一系列典型性能特性曲線,包括輸出特性、飽和電壓特性、轉(zhuǎn)移特性、電容特性、柵極電荷特性、安全工作區(qū)(SOA)特性、開關(guān)特性與柵極電阻和集電極電流的關(guān)系等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解該IGBT在不同工作條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行合理的設(shè)計和應(yīng)用。

6. 封裝和訂購信息

該系列產(chǎn)品采用TO - 247 - 3LD封裝,提供了詳細(xì)的封裝尺寸信息,包括各個尺寸的最小值、標(biāo)稱值和最大值。同時,給出了不同型號的訂購信息,如FGH40N60SFDTU和FGH40N60SFDTU - F085的頂部標(biāo)記、封裝方式、卷盤尺寸、膠帶寬度和數(shù)量等。

7. 總結(jié)與思考

安森美FGH40N60SFDTU系列IGBT憑借其出色的性能特性,在汽車和工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師設(shè)計相關(guān)電路時,可以根據(jù)實(shí)際需求,結(jié)合這些特性進(jìn)行合理的選型和設(shè)計。例如,在考慮散熱設(shè)計時,需要充分利用熱特性參數(shù),確保IGBT在安全的溫度范圍內(nèi)工作;在開關(guān)電路設(shè)計中,要關(guān)注開關(guān)特性參數(shù),優(yōu)化開關(guān)速度和損耗。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似IGBT的選型和設(shè)計難題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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