國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）昨（18）日公布全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告（World Fab Forecast Report），預(yù)期2019年全球晶圓廠設(shè)備投資金額將下修，由原先預(yù)估的年成長7％下修15個(gè)百分點(diǎn)至年衰退8％。不過，在臺(tái)積電積極布建5奈米晶圓廠情況下，***明年晶圓廠支出金額將逆勢(shì)出現(xiàn)高達(dá)24％的年成長率。

SEMI***區(qū)總裁曹世綸表示，記憶體價(jià)格下跌與中美貿(mào)易戰(zhàn)之下導(dǎo)致公司投資計(jì)畫改變，為晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因，其中又以先進(jìn)記憶體制造商、中國晶圓廠、及28奈米或以上成熟制程業(yè)者的資本支出縮減影響全球市場最劇。

SEMI表示，甫進(jìn)入2018年時(shí)，全球半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備市場原先預(yù)測將延續(xù)罕見的連續(xù)4年成長直至2019年。但其實(shí)早在今年8月時(shí)，SEMI綜合收集分析全球超過400間晶圓廠主要投資計(jì)畫后，便預(yù)測2018年下半年至2019年上半年晶圓廠投資金額將呈下滑態(tài)勢(shì)，包括將2018全年投資金額由8月時(shí)預(yù)估的年成長14％下修4個(gè)百分點(diǎn)至年成長10％，2019全年投資金額更是明顯下修，由原先預(yù)估的年成長7％下修15個(gè)百分點(diǎn)至年衰退8％。

且有鑑于近期的市場情勢(shì)，下滑幅度恐將較原先預(yù)期更為劇烈；報(bào)告指出，2018年下半年及2019年上半年晶圓設(shè)備銷售金額分別將下滑13及16個(gè)百分點(diǎn)，直至2019年下半年才有望出現(xiàn)轉(zhuǎn)圜。

但由2019年各地區(qū)的晶圓廠支出金額變化來看，韓國記憶體雙雄三星及SK海力士大砍資本支出，不僅導(dǎo)致明年韓國晶圓廠支出金額年減35％，亦是造成明年全球晶圓廠支出金額下滑的重要關(guān)鍵。至于***明年晶圓廠支出金額逆勢(shì)出現(xiàn)高達(dá)24％的年增率，主要是受惠于晶圓代工龍頭臺(tái)積電加快5奈米晶圓廠Fab 18的產(chǎn)能布建。

SEMI表示，今年NAND Flash價(jià)格急跌，DRAM價(jià)格也在第四季松動(dòng)，記憶體業(yè)者快速反應(yīng)市場情況，并減少資本支出，并暫緩所有已訂購設(shè)備出貨。整體來看，2019年整體記憶體資本支出將年減19％，其中DRAM下滑最劇烈幅度達(dá)23％，3D NAND則下滑約13％。

至于受到全球矚目的中國大陸，明年晶圓廠設(shè)備投資金額已由原本預(yù)估的170億美元下修到119.57億美元，其中原因包括記憶體市況不佳、美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致兩國關(guān)系緊張、以及對(duì)大環(huán)境不確定導(dǎo)致建廠計(jì)畫延宕等，包括SK海力士、格芯（GlobalFoundries）、聯(lián)電、中芯等均暫緩大陸投資力道，福建晉華DRAM投資計(jì)畫也已喊停。