2018年，對(duì)中國(guó)的集成電路而言，是不平靜、也是不平凡的一年。有中美貿(mào)易戰(zhàn)爆發(fā)的震驚和思考，也有AI和5G等推進(jìn)的振奮和憧憬；有芯片業(yè)的緊迫和焦灼，也有社會(huì)力量和資本的關(guān)注和熱捧……

回顧2018年下半年的產(chǎn)業(yè)事件，可以發(fā)現(xiàn)我國(guó)各地正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAS）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN），較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。微波射頻領(lǐng)域、光電領(lǐng)域、電力電子等領(lǐng)域?yàn)榈谌雽?dǎo)體提供了廣闊的市場(chǎng)空間。

對(duì)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目進(jìn)行統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)，今年下半年我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落地加速，有超過(guò)9個(gè)項(xiàng)目落地、開(kāi)工、投產(chǎn)等，三安光電正式推出6英寸SiC晶圓代工制程。

根據(jù)以上表格，可以看到有4個(gè)項(xiàng)目投資金額超過(guò)10億元，下面我們就來(lái)重點(diǎn)看看這4個(gè)項(xiàng)目的情況。

01

聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目

聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目由重慶捷舜科技有限公司投資建設(shè)，預(yù)計(jì)總投資50億元，主要從事氮化鎵外延片、芯片研發(fā)與生產(chǎn)、芯片封裝代工服務(wù)等。

據(jù)悉，按計(jì)劃，該項(xiàng)目在簽約后1個(gè)月內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)，12個(gè)月內(nèi)完成一期廠房建設(shè)并開(kāi)始試生產(chǎn)。投產(chǎn)后的5年內(nèi)總產(chǎn)值將達(dá)到100億元，稅收將超過(guò)13億元。同時(shí)，聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)配套項(xiàng)目總投資達(dá)40億元，占地300畝，還將建設(shè)中國(guó)區(qū)總部、科技研發(fā)及產(chǎn)學(xué)基地。

02

天岳碳化硅材料項(xiàng)目

天岳碳化硅材料項(xiàng)目由山東天岳晶體材料有限公司開(kāi)發(fā)建設(shè)，總投資30億元，項(xiàng)目分為兩期建設(shè)，一期占地156畝，主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)13億元；二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車(chē)及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽(yáng)光伏逆變器等，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)50～60億元。

據(jù)湖南日?qǐng)?bào)報(bào)道，該項(xiàng)目的開(kāi)工標(biāo)志著國(guó)內(nèi)最大的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料項(xiàng)目及成套工藝生產(chǎn)線正式開(kāi)建。

03

中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項(xiàng)目

中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項(xiàng)目總投資20億元，主要產(chǎn)品為碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS晶體管等功率器件。

04

北京雙儀微電子項(xiàng)目

北京雙儀微電子科技有限公司公開(kāi)表明投資意向?qū)⑼顿Y10億元在北京市亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)建造目前全國(guó)唯一具備規(guī)模化量產(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)芯片的代工服務(wù)，預(yù)計(jì)于2019年初投產(chǎn)使用。

2016可謂是我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“元年”，以“北京第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地”正式動(dòng)工和第三代半導(dǎo)體南方基地落戶廣東事件為標(biāo)志，我國(guó)第三代半導(dǎo)體的地方基地布局在各級(jí)政府推動(dòng)下正在逐步展開(kāi)。

2017年政策、資金雙劍合璧，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)，國(guó)內(nèi)也首現(xiàn)第三代半導(dǎo)體投資熱潮。

有專(zhuān)家表示，2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期。

從上述匯總的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的一些情況也可以看到，隨著產(chǎn)業(yè)與政府的共同發(fā)力，我國(guó)第三代半導(dǎo)體正在產(chǎn)業(yè)化道路上加速推進(jìn)。