這款革命性的RH850/E2x系列微控制器內置了多達6個400Mhz的處理器核心，成為業(yè)界第一款能達到9600MIPS指令處理能力的車用控制片內閃存MCU。該系列MCU還具有多達16MB的內置閃存以及更完善的安保功能和功能安全性。

RH850/E2x系列是一款采用28nm工藝的突破性的車用控制MCU，為云服務互連和環(huán)境感知而設計。它具備下一代汽車控制系統(tǒng)所需的先進技術，并與瑞薩R-Car系列片上系統(tǒng)（SoC）組成了Renesas autonomy平臺的主要產(chǎn)品支柱。汽車制造商及日本電裝等一級供應商，已經(jīng)開始采用該28nm MCU產(chǎn)品，并一致認同該MCU優(yōu)越的處理性能可幫助發(fā)展下一代的節(jié)能型發(fā)動機。

產(chǎn)品是新一代汽車控制RH850/E2x系列MCU

從底層硬件擴展了整個Renesas autonomy端到端解決方案組合

全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）發(fā)布了業(yè)界第一款使用28nm工藝的集成閃存微控制器（MCU），并于即日起開始交付樣片。為了打造下一代更高效、更可靠的環(huán)保汽車和自動駕駛汽車，這款革命性的RH850/E2x系列微控制器內置了多達6個400Mhz的處理器核心，成為業(yè)界第一款（注1）能達到9600MIPS（注2）指令處理能力的車用控制片內閃存MCU。該系列MCU還具有多達16MB的內置閃存以及更完善的安保功能和功能安全性。

Renesas autonomy是瑞薩電子面向智能輔助駕駛和自動駕駛開發(fā)推出的開放、創(chuàng)新和可信賴的開發(fā)平臺。通過該平臺，瑞薩電子為汽車行業(yè)向下一代環(huán)保汽車、網(wǎng)聯(lián)汽車、自動駕駛汽車的進化提供端對端的解決方案。28nm工藝的車用控制MCU是一款突破性的產(chǎn)品，為云服務互連和環(huán)境感知而設計。它具備下一代汽車控制系統(tǒng)所需的先進技術，并與瑞薩R-Car系列片上系統(tǒng)（SoC）組成了Renesas autonomy平臺的主要產(chǎn)品支柱。汽車制造商及日本電裝等一級供應商，已經(jīng)開始采用該28nm MCU產(chǎn)品，并一致認同該MCU優(yōu)越的處理性能可幫助發(fā)展下一代的節(jié)能型發(fā)動機。同時該MCU具有空前的可擴展性，使其能夠作為一個平臺應對未來汽車電子/電氣架構的演變，以及這一變化所帶來的電子控制單元（ECU）集成需求。

新款RH850/E2x 系列MCU的主要性能

?超強處理性能，實現(xiàn)環(huán)保汽車所需的復雜車輛控制

為了研發(fā)環(huán)境友好的車輛和下一代節(jié)能型發(fā)動機，需要超強處理性能來支持新的燃油系統(tǒng)設計。此外，用于電動汽車和混合動力汽車的小型化高效發(fā)動機和變流器，卓越的處理性能和高集成度是必不可少的條件。最新發(fā)布的28nm工藝閃存MCU是全球第一款擁有高達6顆400MHz處理核心和9600MIPS指令速度的微控制器。相較于早期40nm的 MCU，新的RH850/E2x系列MCU能在同等功耗水平下可以實現(xiàn)3倍的處理性能。RH850/E2x系列內置的增強型傳感器接口可為汽車控制系統(tǒng)的集成提供了更好的精準控制功能。針對于新款MCU，瑞薩電子的合作伙伴也將提供多核的虛擬環(huán)境和基于模型的開發(fā)環(huán)境。

?用于網(wǎng)聯(lián)汽車的大容量閃存支持先進的OTA軟件更新

無線下載OTA功能的需求促使了內置閃存容量的不斷增大。OTA功能可以自動通過無線網(wǎng)絡更新車輛的電子控制單元（ECU）固件，改善和提高系統(tǒng)的安全性能。RH850/E2x系列集成16MB的閃存ROM，并支持根據(jù)用戶需求而有選擇的只更新閃存的特定區(qū)域。RH850/E2x增強了的串行通信接口的配置，支持多達10通道的CANFD接口和1通道的以太網(wǎng)接口。支持Evita Medium的硬件安保功能支持微控制器實現(xiàn)快速可靠地進行OTA軟件更新。

?用于自動駕駛汽車的增強型的功能安全性

為達到ISO26262 汽車電子/電氣系統(tǒng)功能安全標準中的最高級別ASIL-D標準，RH850/E2x系列產(chǎn)品采用雙核鎖步架構，保證兩顆處理內核的運算結果完全一致。RH850/E2x最高可提供4組互鎖雙核，并具備諸多硬件的功能安全性改進。在生命攸關的應用中，這些功能會在故障發(fā)生時立即檢測到問題，并時刻維持系統(tǒng)的安全。瑞薩電子將提供安全分析工具來幫助實現(xiàn)各種適用于不同應用場景的安全系統(tǒng)。

繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應用鰭狀MONOS閃存技術。作為全球領先的汽車半導體解決方案供應商，瑞薩電子致力于用科技創(chuàng)新來推動行業(yè)發(fā)展并建設一個安全可靠的汽車社會。

為確保RH850/E2x系列的可擴展性，除28nm閃存MCU外，瑞薩電子還公布了兩款40nm工藝的MCU，具備上述產(chǎn)品特性中的第（1）和（3）點。采用28nm工藝和40nm工藝生產(chǎn)的RH850/E2x系列MCU樣片將于2018年3月開始供貨。

RH850/E2x系列產(chǎn)品的詳細參數(shù)請參閱附錄。

（注1）當前性能與其他公司公開數(shù)據(jù)比較，數(shù)據(jù)來源于瑞薩研究部門。

（注2）MIPS指百萬條指令每秒，是表示計算機處理性能的一種方式。

關于瑞薩電子的MONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入式閃存技術

MONOS是一種閃存晶體管的結構，每個晶體管由硅基底座和三層絕緣體氧化物-氮化物-氧化物構成，且上方設有金屬控制門。瑞薩電子多年來為IC卡技術提供微控制器，從而在MONOS閃存技術的應用方面積累了20多年的經(jīng)驗?；谠贛ONOS技術上優(yōu)異的成績，瑞薩電子成功地開發(fā)出適用于MCU內部閃存的分離閘（Split-Gate, SG）結構。此項新型的“SG-MONOS”閃存能夠實現(xiàn)微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。