6月30日晚間，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱(chēng)，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。根據(jù)通知，紫光集團(tuán)將委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。

資料顯示，刁石京曾任工信部電子信息司司長(zhǎng)，工信部電子信息司是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的具體主管司局，刁石京是一位專(zhuān)家型官員，早年畢業(yè)于清華大學(xué)，長(zhǎng)期在工信部電子信息司工作，是中國(guó)集成電路領(lǐng)域的資深人士。2018年初，刁石京加入紫光集團(tuán)，協(xié)助紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)分管集成電路業(yè)務(wù)，目前還擔(dān)任紫光國(guó)微（SZ：002049）的董事長(zhǎng)和紫光展銳的執(zhí)行董事長(zhǎng)，也是紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事。

高啟全有“***存儲(chǔ)教父”之稱(chēng)，曾在Intel工作，還曾在韓國(guó)及日本當(dāng)顧問(wèn)，曾任現(xiàn)代電子（海力士前身）DRAM顧問(wèn)。他早年追隨張忠謀回***，加入臺(tái)積電任一廠廠長(zhǎng)，后創(chuàng)辦旺宏電子，還曾任***DRAM公司南亞科總經(jīng)理和華亞科董事長(zhǎng)，是華人在全球DRAM界最資深的人士。2015年，高啟全受紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)之邀，北上加入紫光集團(tuán)，出任紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁；2016年長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后，擔(dān)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)的執(zhí)行董事、代行董事長(zhǎng)。

據(jù)知情人透露，紫光集團(tuán)早在2015年即開(kāi)始布局DRAM，延攬高啟全加入紫光集團(tuán)就是布局的開(kāi)始，在高啟全加入紫光集團(tuán)的同時(shí)，紫光國(guó)微（原名同方國(guó)芯）收購(gòu)了任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)所創(chuàng)辦的公司（現(xiàn)在的西安紫光國(guó)芯），任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)的前身是奇夢(mèng)達(dá)公司的西安研發(fā)中心，任奇?zhèn)F(tuán)隊(duì)一直從事DRAM的研發(fā)工作，目前團(tuán)隊(duì)人數(shù)約500人，從紫光國(guó)微的年報(bào)披露情況看，該團(tuán)隊(duì)的DRAM產(chǎn)品銷(xiāo)售收入每年約在5~6億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計(jì)，在境外代工。2015年，紫光集團(tuán)還試圖通過(guò)收購(gòu)美光進(jìn)入DRAM和3D NAND領(lǐng)域，但收購(gòu)美光受到美國(guó)政府的阻擊，未能如愿以?xún)敗?/p>

不過(guò)，目前全球的存儲(chǔ)芯片三巨頭，三星、海力士、美光，都是既做DRAM又做3D NAND。據(jù)知情人透露，紫光集團(tuán)在收購(gòu)美光遇阻后，原計(jì)劃通過(guò)自行研發(fā)先進(jìn)入DRAM領(lǐng)域，然后再進(jìn)入3D NAND，但在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的協(xié)調(diào)下，紫光和湖北省、武漢市合作，與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金一起，在武漢新芯的基礎(chǔ)上，組建了長(zhǎng)江存儲(chǔ)，制定了先三維閃存，后DRAM的戰(zhàn)略，同時(shí)布局DRAM的研發(fā)，積蓄DRAM的工藝人才。

據(jù)知情人透露，紫光集團(tuán)借助長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯的平臺(tái)，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工藝研發(fā)人員，工藝研發(fā)人員人數(shù)近2000人。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯的員工人數(shù)近6000人。

據(jù)了解，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND已經(jīng)量產(chǎn)，并且即將于今年年底量產(chǎn)的64層X(jué)tacking 3D NAND，其存儲(chǔ)密度僅比競(jìng)品96層的3D NAND低10~20%。而下一代，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直接跳過(guò)96層堆疊，直接進(jìn)入128層堆疊的研發(fā)。

從紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存的研發(fā)和生產(chǎn)來(lái)看，紫光集團(tuán)走的是公開(kāi)式的自主研發(fā)路徑，沒(méi)有人質(zhì)疑其知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題，這主要是因?yàn)镹AND閃存技術(shù)正從2D走向3D這也使得其得以有彎道超車(chē)的可能。

相比之下目前DRAM技術(shù)已經(jīng)是相當(dāng)成熟，想要繞過(guò)國(guó)外DRAM巨頭的技術(shù)并不容易。

所幸的是，2009年破產(chǎn)的德國(guó)DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)，其西安研發(fā)中心當(dāng)時(shí)已經(jīng)被西安華芯（原浪潮集團(tuán)旗下公司，今天的紫光國(guó)芯）收購(gòu)。這也為紫光的DRAM的研發(fā)奠定了基礎(chǔ)（此前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公開(kāi)其DRAM技術(shù)來(lái)源也是奇夢(mèng)達(dá)，因此外界認(rèn)為是紫光與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)共享了該技術(shù)），同時(shí)也能夠避免一些專(zhuān)利問(wèn)題。

但是，需要指出的是，奇夢(mèng)達(dá)此前所采用的是DRAM技術(shù)是深溝槽式（Trench），而目前主流的技術(shù)路線是堆棧式（Stack）。在溝槽式DRAM的制造中，必須先在基板蝕刻出溝槽，然后在溝槽中沉積出介電層，以形成電容器，然后在電容器上方再制造出柵極，構(gòu)成完整的DRAM Cell。這種工藝最大的技術(shù)挑戰(zhàn)有二，一是隨著線寬越來(lái)越細(xì)，溝槽的寬深比跟著增加，如何蝕刻出這種溝槽，是相當(dāng)大的技術(shù)挑戰(zhàn)。其次，在進(jìn)行沉積工藝時(shí)，由于溝槽的開(kāi)口越來(lái)越細(xì)，要在溝槽里面沉積足夠的介電材料，形成容值夠高的電容器，也越來(lái)越難。相較之下，堆棧式DRAM則沒(méi)有上述問(wèn)題。

如果紫光DRAM繼續(xù)沿著奇夢(mèng)達(dá)的技術(shù)路徑向前推進(jìn)的話(huà)，顯然將會(huì)非常的艱難，但是如果走堆棧式技術(shù)路徑的話(huà)，可能又將遭遇國(guó)外DRAM廠商的專(zhuān)利圍堵，那么在奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)的基礎(chǔ)上，紫光是否能夠通過(guò)自主研發(fā)，走出新的路徑呢？我們拭目以待。