動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06

  揭秘SiC肖特基二極管的關斷電容效應

  

  /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨特之處？特別是在反向恢復特性方面，它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢？讓我們一探究竟！1什么是反向恢復？在傳統(tǒng)硅功率器件中，反向恢復現(xiàn)象主要與它們內部的寄生二極管有關，指二極管從導通狀態(tài)（正向偏置）切換到反向阻斷狀態(tài)（反向偏置）時

  SiC 電容效應 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03

  新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS(on)）范圍擴展至7mΩ至75mΩ等10款產品可選，為用戶提供更精準的選擇?；诘谝淮夹g，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝，

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-06-28 08:33

  多相電機的奇妙世界(2)：三相電機vs多相電機

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。上期回顧多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越本期文章將繼續(xù)帶您探索多相電機的奇妙世界。2三相電機vs多相電機：不僅僅是數(shù)字的堆砌2.2共模電壓抑制——電磁干擾克星如果說容錯能力是多相電機的“硬實力”，那么共模電壓抑制則是其“軟實力”

  三相電機 多相電機 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

  

  新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現(xiàn)已新增采用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創(chuàng)新設計可降低各類工業(yè)及消費電子應用中的功率損耗。產品型號：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶體管 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何應用CoolSiC™ MOSFET設計高能效系統(tǒng)？

  

  碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量，“打鐵需趁熱”，第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場，第二期就必須得火力全開，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解鎖未來能源科技的神秘密碼！光儲應用熱門賽道，眾多企業(yè)競相角逐。如何憑借碳化硅技術突出重圍，效率比拼的天花板到底有多高？EV充電樁真的是國產的天下嗎？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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• 發(fā)布了文章 2025-06-23 17:36

  CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型

  

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOSFETG2導通特性解析），今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on)，開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常

  MOSFET SiC 仿真電路

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• 發(fā)布了文章 2025-06-21 08:33

  多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1從三相到多相的跨越——電機系統(tǒng)的技術進步之路交流電機，作為現(xiàn)代工業(yè)的“心臟”，已逐漸成為支撐國民經濟發(fā)展和國防重要裝備建設的關鍵與核心。在現(xiàn)代社會，大至國之重器的“上天入地”，小至日常生活的“衣食住行”，處處都能看見交流電機的身影。電機系

  交流電機 多相電機 電機系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-06-20 17:10

  招生通知｜第二期 IGBT模塊：技術、驅動和應用培訓班

  

  對于每一位從事電力電子技術的工程師來說，功率半導體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰(zhàn)性的工作。IGBT作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心元件，其性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。然而，IGBT的高頻、高壓工作特性和對驅動電路的復雜要求，使得許多工程師在實際應用中面臨諸多挑戰(zhàn)：精確控制：IGBT的開關速度和損耗管理需

  IGBT 功率半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-06-19 17:05

  新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

  

  新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設計（提供設計文件，不提供實物產品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優(yōu)化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感，降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優(yōu)化工業(yè)電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統(tǒng)的理想選擇。產品型號：■EVAL

  MOSFET SiC 評估板

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• 發(fā)布了文章 2025-06-18 17:49

  2025 OktoberTech™精彩回顧二： 新能源與工業(yè)應用大咖齊聚，共同奏響產業(yè)創(chuàng)新“交響曲”

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。來自新能源和工業(yè)應用領域的多位重磅級演講嘉賓分享主題演講，共同探討在中國速度及產業(yè)挑戰(zhàn)背景下，如何通過跨界合作培育本土創(chuàng)新生態(tài)體系，合力推動科技創(chuàng)新，促進產業(yè)的智能化、綠色化和融合化發(fā)展，攜手共創(chuàng)數(shù)字低碳未來。鄭大為先生伊頓電氣亞太區(qū)電能質量研發(fā)副總裁伊頓電氣亞太區(qū)

  工業(yè) 新能源 英飛凌

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