英飛凌工業(yè)半導體文章

• IPAC直播間丨英飛凌面向大功率組串式光伏的EasyHD3產(chǎn)品與應用2026-04-16 17:05

  

  光伏系統(tǒng)在降低碳排放、提升電網(wǎng)可再生能源占比方面發(fā)揮著重要作用。在組串式光伏逆變器應用中，功率密度與系統(tǒng)效率不斷提高的需求，持續(xù)推動著功率半導體器件的進步，英飛凌全新EasyHD3系列產(chǎn)品正是為了實現(xiàn)更高功率密度和更高效率的目標而推出的重磅產(chǎn)品。2026年4月28日，IPAC直播間將為您介紹英飛凌面向組串式光伏的全新EasyHD3系列產(chǎn)品。請大家鎖定頻道，趕

  光伏 半導體器件 英飛凌 870瀏覽量

• SiC MOSFET的并聯(lián)設計要點2026-04-15 18:19

  

  英飛凌碳化硅應用技術大會即將火熱開啟，聚焦前沿技術，探討零碳未來，點擊下方圖片獲取更多詳情！SiCMOSFET的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制，常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培，而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景，往往需要千安級的電流輸出，單管無法滿足。因此，SiCMOSFET的并聯(lián)應用的場景越來越普遍。不管是SiCMOSFE

  MOSFET SiC 芯片 92瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬電距離封裝2026-04-13 17:04

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬電距離封裝英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技術優(yōu)勢基礎上實現(xiàn)顯著提升，為更高性價比、高效率、緊湊型、易設計且可靠的系統(tǒng)提供先進解決方案。該器件在硬開關與軟開關拓撲中均展現(xiàn)出優(yōu)異性能，廣泛適用于各類

  SiC 分立器件 英飛凌 840瀏覽量

• IPAC大會全面升級，2026年開啟雙技術峰會！2026-04-10 09:07

  

  自2014年首屆舉辦以來，IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術大會已走過十二載征程。我們始終以“驅動工業(yè)低碳轉型”為使命，深耕零碳技術領域，累計吸引上萬名行業(yè)精英、專家學者及企業(yè)代表參與，成為業(yè)內(nèi)最具影響力的標桿盛會。2026年，IPAC大會全面升級，開啟雙技術峰會新篇章！為進一步聚焦零碳技術前沿，英飛凌將于2026年首次推出兩大主題技術大會，誠邀您共襄盛舉：英飛

  工業(yè) 碳化硅 英飛凌 347瀏覽量

• 英飛凌與為光能源深度攜手，共筑固態(tài)變壓器（SST）高可靠新未來2026-04-09 17:06

  

  近日，英飛凌科技(以下簡稱“英飛凌”)與西安為光能源科技有限公司（以下簡稱“為光能源”）正式達成深度合作，攜手開啟能源技術革新新篇章。雙方將依托英飛凌領先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技術，賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器（SST）產(chǎn)品，大幅提升其在儲能系統(tǒng)與充電樁領域的應用效能。雙方還計

  SST 變壓器 英飛凌 764瀏覽量

• 溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解2026-04-08 17:31

  

  對于我國的電力電子界來說，固態(tài)變壓器（SST）并非是一個全新的話題，在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸，SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及，和未來智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動，讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 變壓器 130瀏覽量

• 新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模塊，專為暖通空調與熱泵設計2026-04-07 17:05

  

  新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模塊，專為暖通空調與熱泵設計EasyPACK2B650V,35A模塊采用TRENCHSTOP5H5技術，可以用在維也納整流器中，集成NTC溫度傳感器，提供焊接式引腳和PressFIT壓接式引腳可選，適用于變頻驅動與熱泵應用。產(chǎn)品型號：■FS3L35R07W2H5_40■FS3L35R07W2H

  IGBT 英飛凌 1196瀏覽量

• SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討2026-04-01 17:10

  

  在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiCMOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級下，SiCMOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiCMOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使

  MOSFET SiC 英飛凌 118瀏覽量

• 新品 | 儲能系統(tǒng)EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模塊2026-03-30 17:06

  

  新品儲能系統(tǒng)EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模塊兩款新型EconoPACK3B模塊采用1200V/500A三電平NPC1拓撲結構，一款集成NTC溫度傳感器和TRENCHSTOPIGBT7芯片，一款采用SiC二極管、TRENCHSTOPIGBT7芯片和集成NTC溫度傳感器。產(chǎn)品型號：■F3L500R12N3H7_B66■F3L50

  EconoPACK IGBT 儲能系統(tǒng) 2210瀏覽量

• 英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設計要點2026-03-26 17:34

  

  在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiCMOSFETG2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiCMOSFET的行業(yè)標準，為光伏、儲能、電動汽車充電等關鍵領域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅

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