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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊:重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標(biāo)桿2025-11-27 17:29

    在軌道交通、風(fēng)電變流器等高壓大功率應(yīng)用中,提升功率密度和系統(tǒng)效率是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基IGBT模塊雖成熟可靠,但受限于材料特性,難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊,結(jié)合創(chuàng)新的“.XT互連技術(shù)”,為高壓牽引系統(tǒng)提供了更高性能的解決方案。模塊核心優(yōu)勢(shì):性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A,導(dǎo)通電
  • 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)2025-11-26 09:32

    11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器獎(jiǎng)項(xiàng),再次彰顯英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)市場經(jīng)理劉倩出席頒獎(jiǎng)典禮并領(lǐng)獎(jiǎng)英飛凌EconoDUAL3CoolSiC
    MOSFET 電子 英飛凌 1051瀏覽量
  • 新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列2025-11-24 17:05

    新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊,搭載第二代CoolSiCMOSFET技術(shù),集成NTC溫度傳感器,采用大電流PressFIT引腳,并預(yù)涂2.0代導(dǎo)熱界面材料。產(chǎn)品型號(hào):■F4
    MOSFET SiC 1635瀏覽量
  • 應(yīng)用實(shí)例——如何解決雙管反激變換器中的關(guān)斷電壓不均衡2025-11-20 17:04

    反激變換器作為電源產(chǎn)品中幾乎不可缺少的一個(gè)拓?fù)洌瑥氖码娏﹄娮赢a(chǎn)品開發(fā)的工程師是相當(dāng)?shù)氖煜?,尤其是單管反激變換器,更是工程師從小白開始修煉的起點(diǎn),萬丈高樓平地起嘛。在經(jīng)典的單管反激變換器上,又衍生出各種各樣的變化,開關(guān)方式從硬開關(guān)變化為準(zhǔn)諧振(QR),有源鉗位(ACF),零電壓開通(ZVS)等,以及拓?fù)涞难葑?,從單管反激變?yōu)殡p管反激。簡單講,這些演變都是基于經(jīng)
  • 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝2025-11-17 17:02

    新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件,是電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術(shù)具有前沿性,可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流
    MOSFET SiC 回流焊 1471瀏覽量
  • ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析(下)2025-11-12 17:02

    上篇(ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析(上))我們討論了ANPC的基本原理,換流路徑及調(diào)制策略,本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調(diào)制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關(guān)狀態(tài)和損耗分布情況。ANPC-PWM1設(shè)計(jì)實(shí)例由于不同特性和規(guī)格的芯片各自靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同,使用相規(guī)格的芯片便于分析損耗分布,在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12
    ANPC PCS 芯片 974瀏覽量
  • 英飛凌攜手SolarEdge共同推進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心高效電力基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展2025-11-07 13:21

    英飛凌攜手SolarEdge,推動(dòng)面向人工智能(AI)及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的新一代高效固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)發(fā)展。全新的固態(tài)變壓器(SST)專為實(shí)現(xiàn)在中壓至800–1500伏直流電(DC)轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì),其轉(zhuǎn)換效率超過99%,同時(shí)減小設(shè)備體積、降低重量,并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電(DC)領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)與英飛凌的半導(dǎo)體創(chuàng)新相結(jié)合,
    AI 電力 英飛凌 999瀏覽量
  • ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析 (上)2025-11-05 17:06

    ANPC(ActiveNeutralPointClamped)拓?fù)浼从性粗悬c(diǎn)鉗位技術(shù),是基于NPC型三電平拓?fù)涓倪M(jìn)而來,最早提出是用來克服NPC三電平拓?fù)鋼p耗分布不均勻和中點(diǎn)電位問題。從結(jié)構(gòu)上看,ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯(lián)鉗位的結(jié)構(gòu),與NPC1一樣可以實(shí)現(xiàn)三電平輸出以降低諧波,且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個(gè)IGBT,
  • 新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化鎵功率晶體管G52025-11-03 18:18

    新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào):■IGD70R500D2■IGD7
    GaN 晶體管 氮化鎵 3109瀏覽量
  • 英飛凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封裝的碳化硅功率模塊,助力提升工業(yè)應(yīng)用的能效與使用壽命2025-10-29 17:02

    【2025年10月29日,德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動(dòng)汽車(EV)充電、兆瓦級(jí)充電、儲(chǔ)能系統(tǒng),以及不間斷電源設(shè)備,往往需要在嚴(yán)苛環(huán)境條件與波動(dòng)負(fù)載的運(yùn)行模式下工作。這些應(yīng)用對(duì)高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFN