動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:47

  石墨烯量子霍爾效應(yīng)：載流子類型依賴性及其計(jì)量學(xué)應(yīng)用

  

  石墨烯因其零帶隙能帶結(jié)構(gòu)和高載流子遷移率，在量子霍爾效應(yīng)研究中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。然而，基于碳化硅襯底的石墨烯（SiC/G）器件中，n型與p型載流子的輸運(yùn)性能差異顯著。Xfilm埃利測(cè)量作為電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)者，依托ECOPIA霍爾效應(yīng)測(cè)試儀HMS-3000的高精度量測(cè)能力，系統(tǒng)研究了SiC/G器件中n型與p型載流子的輸運(yùn)性能差異，并評(píng)估了其在量子計(jì)量中的應(yīng)用

  測(cè)量 石墨烯 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:47

  四探針測(cè)試法在銅/FR4復(fù)合材料電性能研究中的應(yīng)用

  

  在現(xiàn)代電子設(shè)備中，印刷電路板（PCB）作為核心部件，其電性能的穩(wěn)定性至關(guān)重要。Xfilm埃利專注于電阻和薄層電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)，致力于為集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度的量檢測(cè)解決方案。本文通過Xfilm埃利的四探針方阻儀，系統(tǒng)分析了銅/FR4復(fù)合材料在不同振動(dòng)周期和溫度下的電阻率和電導(dǎo)率變化。實(shí)驗(yàn)方法與理論模型/Xfilm實(shí)驗(yàn)方法：實(shí)驗(yàn)樣品：?jiǎn)螌鱼~薄膜（厚

  復(fù)合材料 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:46

  高精度TLM測(cè)量技術(shù)：在金屬-石墨烯接觸電阻表征中的應(yīng)用研究

  

  石墨烯作為最具代表性的二維材料，憑借其卓越的電學(xué)性能在高性能電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。然而，金屬-石墨烯接觸電阻問題一直是制約其實(shí)際應(yīng)用的瓶頸。接觸電阻可占石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GFET)總電阻的50%以上，顯著影響器件性能。Xfilm埃利測(cè)量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破。本文基于Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀，系統(tǒng)評(píng)估了TL

  TLM 測(cè)量 石墨烯

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:46

  金屬-半導(dǎo)體接觸電阻測(cè)量的TLM標(biāo)準(zhǔn)化研究：模型優(yōu)化與精度提升

  

  Xfilm埃利測(cè)量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，深耕半導(dǎo)體量測(cè)裝備及光伏電池電阻檢測(cè)系統(tǒng)的研發(fā)。在半導(dǎo)體器件制造過程中，金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸的質(zhì)量直接影響器件性能。傳輸線模型（TLM）作為最常用的測(cè)量方法，其測(cè)量結(jié)果卻在不同尺寸設(shè)備間存在顯著差異

  TLM 半導(dǎo)體 電阻測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:46

  低電流接觸電阻機(jī)理研究：汽車電動(dòng)化中多觸點(diǎn)接觸電阻的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

  

  電接觸是電子與汽車系統(tǒng)中不可或缺的組件。隨著汽車行業(yè)向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型，傳感器與數(shù)據(jù)采集所需的電連接器數(shù)量大幅增加。接觸故障可能導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至危及生命安全，而高接觸電阻是引發(fā)故障的主要因素之一。為精確量化接觸電阻特性，本研究結(jié)合數(shù)值模擬與解析方法，并依托Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證能力，對(duì)多觸點(diǎn)系統(tǒng)的電阻分布規(guī)律展開分析。解析模型與數(shù)值模型構(gòu)建/

  低電流 汽車 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:46

  量子霍爾效應(yīng)（QHE）的界面耦合誘導(dǎo)與雙柵調(diào)控：石墨烯-CrOCl異質(zhì)結(jié)的機(jī)制研究

  

  量子霍爾效應(yīng)（QHE）作為凝聚態(tài)物理中的經(jīng)典現(xiàn)象，其拓?fù)浔Ｗo(hù)的邊緣態(tài)在精密測(cè)量和量子計(jì)算中具有重要價(jià)值。近年來，石墨烯因其獨(dú)特的狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)成為研究QHE的理想平臺(tái)。然而，界面耦合對(duì)QHE的調(diào)控機(jī)制仍存在諸多未解之謎。本研究通過構(gòu)建石墨烯與反鐵磁絕緣體CrOCl的異質(zhì)結(jié)，并基于ECOPIA霍爾效應(yīng)測(cè)試儀HMS-3000的高精度電學(xué)表征系統(tǒng)，首次觀測(cè)到一種

  石墨烯 量子 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:46

  四探針法校正因子的全面綜述：基于實(shí)驗(yàn)與數(shù)值模擬的電阻率測(cè)量誤差修正

  

  四探針法（4PP）作為一種非破壞性評(píng)估技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和導(dǎo)電材料的電阻率和電導(dǎo)率測(cè)量。其非破壞性特點(diǎn)使其適用于從宏觀到納米尺度的多種材料。然而，傳統(tǒng)解析模型在校正因子的計(jì)算中存在近似誤差，尤其是在樣品幾何尺寸與探針間距相當(dāng)時(shí)。本文通過數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)交叉驗(yàn)證并結(jié)合Xfilm埃利四探針方阻儀提供的準(zhǔn)確測(cè)量數(shù)據(jù)優(yōu)化這些校正因子，提升測(cè)量準(zhǔn)確性。四探針法的基本

  測(cè)量 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  采用傳輸線法（TLM）探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性

  

  有機(jī)薄膜晶體管（TFTs）的高頻性能受限于接觸電阻（RC），尤其是在短通道L1cm2（V?s）條件下。即使采用相同材料和工藝，接觸電阻仍存在顯著的批次間差異。這種變異性對(duì)器件性能的可靠性和規(guī)模化生產(chǎn)提出了挑戰(zhàn)。本研究通過Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀的高精度傳輸線法分析，結(jié)合通道形貌的納米級(jí)表征，系統(tǒng)揭示了接觸電阻的測(cè)量誤差來源及其變異性機(jī)

  TLM 接觸電阻 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  從實(shí)驗(yàn)室到應(yīng)用：半金屬與單層半導(dǎo)體接觸電阻的創(chuàng)新解決方案

  

  金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導(dǎo)體接觸時(shí)，金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)（MIGS）導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)釘扎，形成肖特基勢(shì)壘?，F(xiàn)有策略（如重?fù)诫s或插入介電層）在二維材料中效果有限。本研究提出利用半金屬鉍（Bi）與單層過渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDs）接觸，借助Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀，結(jié)合半金屬（鉍，Bi）的獨(dú)特電子

  半導(dǎo)體 實(shí)驗(yàn)室 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  基于四點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法

  

  接觸電阻率（ρc）是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測(cè)量步驟。而四探針法因其相對(duì)簡(jiǎn)單的操作流程而備受關(guān)注，但其廣泛應(yīng)用受限于所需的3D模擬數(shù)據(jù)擬合過程。本文通過引入結(jié)合Xfilm埃利四探針方阻儀與擴(kuò)展電阻模型（SRM）的方法快速準(zhǔn)確的提取ρc。四點(diǎn)探針法基礎(chǔ)/Xfilm四

  TLM 探針 接觸電阻

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