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中科院半導(dǎo)體所

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在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性

本文從多個(gè)角度分析了在晶圓襯底上生長(zhǎng)外延層的必要性。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-17 10:06 ?770次閱讀

半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹

本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 17:14 ?1881次閱讀
半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹

芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 15:21 ?2575次閱讀
芯片制造中的應(yīng)變硅技術(shù)介紹

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:27 ?1211次閱讀
多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

兩種激光模式介紹

激光束的輸出實(shí)際上由在寬頻率范圍內(nèi)的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線組成。離散光譜分量稱為激光模式la....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:18 ?1426次閱讀
兩種激光模式介紹

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的密封工藝介紹

從某種層面來說,氣密封裝存在理論與現(xiàn)實(shí)的矛盾,正如中國(guó)古話“沒有不透風(fēng)的墻”所描述的那樣,絕對(duì)密封難....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 10:15 ?1072次閱讀
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中的密封工藝介紹

芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料,芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來代表二進(jìn)制的0和1,即0....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-15 09:32 ?1467次閱讀
芯片制造中的半導(dǎo)體材料介紹

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢(shì)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-14 17:23 ?1294次閱讀
FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

SAW(聲表面波)和BAW(體聲波)是兩種常用于射頻濾波器中的技術(shù),它們?cè)陬l率響應(yīng)、損耗、適用頻段等....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-14 15:56 ?1624次閱讀
SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概述

深入理解設(shè)計(jì)規(guī)則,設(shè)計(jì)者可在可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量,推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-11 14:59 ?1121次閱讀
可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概述

芯片制造中的互連工藝介紹

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過基于晶....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-11 14:56 ?965次閱讀
芯片制造中的互連工藝介紹

芯片制造中的二氧化硅介紹

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-10 14:36 ?4139次閱讀
芯片制造中的二氧化硅介紹

引線鍵合里常見的金鋁鍵合問題

金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見的失效問題,嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制,并....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-10 14:30 ?2175次閱讀
引線鍵合里常見的金鋁鍵合問題

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 16:19 ?1870次閱讀
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

芯片焊盤起皮的成因解析

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機(jī)制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系,結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析,系統(tǒng)探討了劈刀....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 16:15 ?1432次閱讀
芯片焊盤起皮的成因解析

激光粉末涂層固化的優(yōu)勢(shì)和工作原理

激光固化技術(shù)采用紅外激光器,首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆??焖倌z化,隨后完成最終固化。熔化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 10:41 ?920次閱讀

粘片工藝介紹及選型指南

粘片作為芯片與管殼間實(shí)現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序,達(dá)成了封裝對(duì)于芯片的固定功能,以及芯片背面電連接功能。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 10:37 ?1464次閱讀
粘片工藝介紹及選型指南

鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

當(dāng)加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時(shí),他可能未曾預(yù)料到這一發(fā)明將催生一個(gè)價(jià)值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:08 ?977次閱讀
鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

如何制定芯片封裝方案

封裝方案制定是集成電路(IC)封裝設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及從芯片設(shè)計(jì)需求出發(fā),制定出滿足功能、電氣性能....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:05 ?826次閱讀

功率放大器損壞的原因及其保護(hù)手段

PA(Power Amplifier,功率放大器)通信系統(tǒng)的重要組成模塊,負(fù)責(zé)將射頻信號(hào)的放大與功率....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 16:00 ?2080次閱讀
功率放大器損壞的原因及其保護(hù)手段

芯片制造中的High-K材料介紹

本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應(yīng)用。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 15:59 ?3154次閱讀
芯片制造中的High-K材料介紹

印刷電路板的結(jié)構(gòu)和類型及組裝工藝步驟

經(jīng)過封裝與測(cè)試的芯片,理論上已具備使用條件。然而在現(xiàn)實(shí)生活里,一個(gè)集成電路產(chǎn)品通常需要眾多芯片共同組....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 15:55 ?2063次閱讀
印刷電路板的結(jié)構(gòu)和類型及組裝工藝步驟

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 15:53 ?3286次閱讀
芯片制造中的多晶硅介紹

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì),本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-08 14:38 ?1872次閱讀
3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

MOS集成電路設(shè)計(jì)中的等比例縮小規(guī)則

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問題。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-02 14:09 ?1743次閱讀
MOS集成電路設(shè)計(jì)中的等比例縮小規(guī)則

集成電路版圖設(shè)計(jì)的基本概念和關(guān)鍵步驟

在集成電路設(shè)計(jì)中,版圖(Layout)是芯片設(shè)計(jì)的核心之一,通常是指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-02 14:07 ?2502次閱讀

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-02 09:22 ?2215次閱讀
晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

混合信號(hào)設(shè)計(jì)的概念、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

本文介紹了集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中混合信號(hào)設(shè)計(jì)的概念、挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-01 10:30 ?1232次閱讀

MOS管器件制造中的影響因素

本文通過分析器件制造中的影響因素,提出了版圖設(shè)計(jì)技術(shù)與匹配原則及其應(yīng)用。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-01 10:26 ?1102次閱讀
MOS管器件制造中的影響因素

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝,以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-27 16:07 ?1761次閱讀
柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝