晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背....
淺談封裝材料失效分析
在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場景不同,失效模式和分析檢測方法也各有差異。
銅對芯片制造中的重要作用
在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)百億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時,傳....
芯片封裝失效的典型現(xiàn)象
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)
三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展,其核心目標(biāo)在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理....
淺談無線通信的基本概念
從工作頻段到信道的劃分,再到多址方式、雙工方式、調(diào)制方式、分集技術(shù)和MIMO,這些概念共同作用,使得....
半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測量方法
熱波系統(tǒng)通過激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實(shí)現(xiàn)摻雜濃度評估。其核心機(jī)制為:氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于....
芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)
當(dāng)晶體管柵長縮至20納米以下,源漏極間可能形成隱秘的電流通道,導(dǎo)致晶體管無法關(guān)閉。而暈環(huán)注入(Hal....
半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中的常用摻雜技術(shù)
在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中,精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵,而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成....
遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)介紹
遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子束刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù)....
常見氣體傳感器的類型和工作原理
在萬物互聯(lián)的社會,氣體感知技術(shù)已成為各領(lǐng)域發(fā)展的 “隱形衛(wèi)士”。消費(fèi)場景中,守護(hù)家居空氣質(zhì)量;汽車領(lǐng)....
電子衍射技術(shù)的原理與分類
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作....
簡單認(rèn)識表面微機(jī)械加工技術(shù)
相比傳統(tǒng)體加工技術(shù),表面微機(jī)械加工通過“犧牲層腐蝕”工藝,可構(gòu)建更復(fù)雜的三維微結(jié)構(gòu),顯著擴(kuò)展設(shè)計(jì)空間....
體硅FinFET和SOI FinFET的差異
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì),直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)....
基帶電路的作用和組成部分
“基帶”這個詞,最早來源于通信理論,意思是未經(jīng)調(diào)制的原始信號。比如你打電話時說話的聲音、視頻通話中的....
無線通信系統(tǒng)中射頻電路的重要作用
射頻電路是處理高頻信號的電路,在無線通信系統(tǒng)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們負(fù)責(zé)接收、發(fā)射和處理射頻信號....
原位透射電鏡在半導(dǎo)體中的應(yīng)用
傳統(tǒng)的透射電鏡(TEM)技術(shù)往往只能提供材料在靜態(tài)條件下的結(jié)構(gòu)信息,無法滿足科研人員對材料在實(shí)際應(yīng)用....
MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念
在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)....
