在過去的幾十年里，半導體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個參數(shù)發(fā)展到....

然而，隨著納米技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造過程越來越復雜，晶體管密度增加，導致導線短路或斷路的概率增大，芯片....

硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方....

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導通孔并填....

晶圓級封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時即完成再布線與....

半導體封裝正快速走向“堆疊+融合”：PoP把邏輯和存儲垂直整合，先測后疊保良率;光電路組裝用光纖替代....

系統(tǒng)級立體封裝技術(shù)作為后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)的核心突破方向，正以三維集成理念重構(gòu)電子系統(tǒng)的構(gòu)建邏輯。

目前車規(guī)級IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導體....

SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設計，是在頂層硅與硅襯底....

隨著集成電路科學與工程的持續(xù)發(fā)展，當前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子....

隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進，封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失....

柵極電阻的存在對電路性能的影響很大，會引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數(shù)，影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻....

HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV....

隨著半導體工藝進入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應等瓶頸。SOI....

天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度....

想象一下，如果我們能夠"聽見"分子的"聲音"，那會是什么樣的？拉曼光譜技術(shù)正是這樣一種神奇的工具，它....

2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年，科學家 Charles Fritts 采用硒半導....

PMIC (Power Management Integrated Circuit)：電源管理集成電....

為什么非彈性散射值得我們關(guān)注?因為這類散射過程產(chǎn)生了多種信號，每種信號都能提供比彈性電子更豐富的樣品....

離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....

彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來源，同時也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強度，因此理解控制這一過....

拉曼散射通常是一種非常微弱的效應，因為激發(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此，....

在空間輻射環(huán)境下，高能質(zhì)子與重離子的作用會誘發(fā)單粒子效應。誘發(fā)這類單粒子效應的空間輻射，主要來源于兩....

PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是集成電路設計流程中的重要工具包，它為設....

電子是低質(zhì)量、帶負電荷的粒子，經(jīng)過其他電子或原子核附近時易被庫侖相互作用偏轉(zhuǎn)。這種靜電作用引起的散射....

NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。....

在探討單粒子翻轉(zhuǎn)基本機理時，深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機理至關(guān)重要，這些過程與機理對明確....

我們知道，帶電離子穿透半導體材料的過程中，會與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴....

集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應....

本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋....