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      中科院半導(dǎo)體所

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      射頻電路中Ft和Fmax的概念和建模方法

      Ft（電流增益截止頻率） 和 Fmax（最高振蕩頻率） 是兩個關(guān)鍵的頻率品質(zhì)因數(shù)，用于衡量晶體管處理....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 14:57 ?641次閱讀
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      詳解NMOS晶體管的工作過程

      在每一顆芯片的內(nèi)部，數(shù)十億個晶體管如同高速開合的微型水閘，構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:17 ?876次閱讀
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      淺談芯片驗證方法的演進過程

      回溯 20 世紀 90 年代，當(dāng)時行業(yè)內(nèi)接觸的芯片主要包括 Z80、8031、8080/8086 等....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:14 ?572次閱讀
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      運算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)

      運算放大器是模擬電路與混合信號電路的核心基礎(chǔ)模塊，其性能直接決定電子系統(tǒng)的信號處理精度與穩(wěn)定性。掌握....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:11 ?4588次閱讀
      運算放大器的核心組成與典型結(jié)構(gòu)

      晶圓接受測試的具體內(nèi)容與重要作用

      在智能手機、電腦和自動駕駛汽車等高科技產(chǎn)品的背后，隱藏著一項至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測試....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-10 15:08 ?709次閱讀
      晶圓接受測試的具體內(nèi)容與重要作用

      功函數(shù)在芯片制造中的核心作用

      在我們手中的智能手機和電腦核心，躺著一塊精密的芯片。芯片的核心，是數(shù)十億個名為“晶體管”的微觀開關(guān)。....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:58 ?946次閱讀
      功函數(shù)在芯片制造中的核心作用

      芯片制造檢驗工藝中的全數(shù)檢查

      在IC芯片制造的檢驗工藝中，全數(shù)檢查原則貫穿于關(guān)鍵工序的缺陷篩查，而老化測試作為可靠性驗證的核心手段....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:55 ?843次閱讀
      芯片制造檢驗工藝中的全數(shù)檢查

      半導(dǎo)體制造中的多層芯片封裝技術(shù)

      在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，已知合格芯片（KGD）作為多層芯片封裝（MCP）的核心支撐單元，其價值在于通過封裝....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:51 ?2106次閱讀
      半導(dǎo)體制造中的多層芯片封裝技術(shù)

      熱壓鍵合工藝的技術(shù)原理和流程詳解

      熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding，TCB）是一種先進的半導(dǎo)體封裝工藝....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-03 16:46 ?2568次閱讀
      熱壓鍵合工藝的技術(shù)原理和流程詳解

      如何理解MOSFET器件溝道電荷分配原則

      在模擬集成電路設(shè)計中，精確的MOSFET模型是確保電路性能預(yù)測準確性的基石。而溝道電荷分配原則，正是....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-19 15:34 ?6294次閱讀
      如何理解MOSFET器件溝道電荷分配原則

      離子注入工藝中的常見問題及解決方案

      在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結(jié)果進行嚴格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-17 15:33 ?1069次閱讀
      離子注入工藝中的常見問題及解決方案

      金屬淀積工藝的核心類型與技術(shù)原理

      在集成電路制造中，金屬淀積工藝是形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)（如互連線、柵電極、接觸塞）的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要包括蒸發(fā)、濺....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-13 15:37 ?1994次閱讀
      金屬淀積工藝的核心類型與技術(shù)原理

      PN結(jié)的形成機制和偏置特性

      PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-11 13:59 ?1858次閱讀
      PN結(jié)的形成機制和偏置特性

      化學(xué)氣相淀積工藝的常見類型和技術(shù)原理

      APCVD 的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)如圖所示，系統(tǒng)通過專用傳送裝置實現(xiàn)硅片的自動化運送，反應(yīng)氣體從反應(yīng)腔中部區(qū)域....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-11 13:53 ?2220次閱讀
      化學(xué)氣相淀積工藝的常見類型和技術(shù)原理

      化學(xué)氣相淀積工藝的核心特性和系統(tǒng)分類

      化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-11 13:50 ?1669次閱讀
      化學(xué)氣相淀積工藝的核心特性和系統(tǒng)分類

      詳解半導(dǎo)體制造中的回流技術(shù)

      玻璃回流（reflow）技術(shù)是通過升溫加熱雜氧化硅，使其產(chǎn)生流動特性的工藝，常見的回流處理對象包含硼....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-07 15:21 ?1674次閱讀
      詳解半導(dǎo)體制造中的回流技術(shù)

      半導(dǎo)體中的合金制備技術(shù)詳解

      合金本質(zhì)是金屬與其他金屬或非金屬經(jīng)混合熔化、冷卻凝固后形成的具有金屬性質(zhì)的固體產(chǎn)物，而在集成電路工藝....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-05 17:08 ?1330次閱讀
      半導(dǎo)體中的合金制備技術(shù)詳解

      什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片

      在半導(dǎo)體制造的精密工藝鏈條中，芯片切割作為晶圓級封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)演進與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 11-05 17:06 ?1934次閱讀
      什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片

      芯片制造過程中的布線技術(shù)

      從鋁到銅，再到釕與銠，半導(dǎo)體布線技術(shù)的每一次革新，都是芯片性能躍升的關(guān)鍵引擎。隨著制程進入2nm時代....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-29 14:27 ?769次閱讀
      芯片制造過程中的布線技術(shù)

      晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)

      在超高純度晶圓制造過程中，盡管晶圓本身需達到11個9（99.999999999%）以上的純度標準以維....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-29 14:21 ?818次閱讀
      晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)

      集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

      光刻與刻蝕是納米級圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-24 13:49 ?1962次閱讀
      集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

      PECVD的基本定義和主要作用

      PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-23 18:00 ?3117次閱讀
      PECVD的基本定義和主要作用

      三維集成電路與晶圓級3D集成介紹

      微電子技術(shù)的演進始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSO....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:38 ?1961次閱讀
      三維集成電路與晶圓級3D集成介紹

      芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

      在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:36 ?2431次閱讀
      芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

      SOI工藝技術(shù)介紹

      在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulat....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:34 ?1882次閱讀
      SOI工藝技術(shù)介紹

      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護

      閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:30 ?2441次閱讀
      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護

      淺談三維集成封裝技術(shù)的演進

      在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動高集成度與小型化的核心趨勢，正通過垂直堆疊芯片或封裝實現(xiàn)更緊湊的封....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:29 ?5014次閱讀
      淺談三維集成封裝技術(shù)的演進

      熱載流子注入效應(yīng)對芯片有什么危害

      熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject, HCI)是半導(dǎo)體器件(如晶體管)工作時，高....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:27 ?1258次閱讀
      熱載流子注入效應(yīng)對芯片有什么危害

      功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

      在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4137次閱讀
      功率半導(dǎo)體晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

      薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:25 ?3112次閱讀
      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程