使用 LTSpice 模擬和評(píng)估傳導(dǎo)發(fā)射。

在我的大多數(shù) DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，我主要使用模擬設(shè)備的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。主要原因之一是，正如我們將在此處學(xué)習(xí)的那樣，我們將節(jié)省大量設(shè)計(jì)時(shí)間，因?yàn)?AD 允許我們使用出色的工具LTSpice模擬他們的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

凌力爾特公司最初于 1999 年設(shè)計(jì)了 LTSpice，20 多年來它一直是我的模擬仿真工具。這是令人信服的，我不記得我是否有一個(gè)沒有反映我在現(xiàn)場看到的模擬。

假設(shè)我們要設(shè)計(jì)一個(gè) 10 V 至 3.3 V 降壓轉(zhuǎn)換器，1A。我們可以從 AD 網(wǎng)站上選擇眾多 DC/DC 轉(zhuǎn)換器之一。我選擇了 LT3971-3.3，因?yàn)樗恍枰獛讉€(gè)額外的組件。因此，讓我們打開 LT3971-3.3 數(shù)據(jù)表，復(fù)制參考原理圖，并使用 LTspice 運(yùn)行我們的第一個(gè)仿真。

圖 1.數(shù)據(jù)表中所示的 LT3971-3.3 原理圖。（使用理想的無源元件）。圖片由Francesco Poderico提供

圖 2. 運(yùn)行第一個(gè)模擬。圖片由Francesco Poderico提供

首先要注意的是，DCDC 轉(zhuǎn)換器需要不到 0.1 毫秒的時(shí)間來穩(wěn)定輸出。讓我們注意這一點(diǎn)（稍后我們將需要它）。

現(xiàn)在讓我們放大 Vout，看看在大學(xué)學(xué)習(xí)的典型鋸齒波形。

圖 3. 通過放大 Vout，我們可以看到理想降壓轉(zhuǎn)換器的典型鋸波波形。圖片由Francesco Poderico提供

都好！或不？

問題是我們沒有為無源元件 L1、C1、C2 和 C3 使用正確的模型。

讓我們使用 L1、C1、C2 和 C3 的一些模型重復(fù)相同的模擬。讓我們使用 L1、C1、C2 和 C3 的正確模型重復(fù)模擬，看看它有什么不同。

對(duì)于本文，我們將使用 Wurth 組件。Wurth 的好處是他們?yōu)?LTSpice、Altium 等創(chuàng)建了一個(gè)巨大的庫。所以讓我們繼續(xù) Wurth 并下載一些 LTspice 庫，我們需要這個(gè)庫來進(jìn)行模擬。

我已經(jīng)下載了庫：

LTSpice_WE-LQFS、LTSpice_WE-CNSW、LTSpice_WCAP_ASLU、LTSpice_WCAP_CSGP

它們可從 Wurth 網(wǎng)站免費(fèi)獲得。請(qǐng)下載并復(fù)制到 C：Users yourname DocumentsLTSpiceXVIIlib。

完成此操作后，我們可以將這個(gè)庫用于我們的項(xiàng)目。讓我們運(yùn)行相同的模擬，但對(duì)所有無源使用正確的模型。

圖 4. 上面的仿真是一個(gè)完美的例子，它說明了為什么我們應(yīng)該為 DCDC 轉(zhuǎn)換器使用具有低 ESR 的電容器。圖片由Francesco Poderico提供

我們有第一個(gè)驚喜：上圖顯示輸出電壓非常不穩(wěn)定。原因是我在 C1 和 C3 上都使用了壞電容。然而，關(guān)于輸出電壓，C3 是最重要的。因此，第一課：C3 應(yīng)該具有低 ESR 和低 ESL。讓我們用一個(gè)優(yōu)秀的陶瓷電容器來改變 C3 并重復(fù)模擬。

圖 5。C3 現(xiàn)在是一個(gè)陶瓷電容器?，F(xiàn)在輸出穩(wěn)定，但如果我們將此電壓輸出與圖 2 中的電壓輸出進(jìn)行比較，我們會(huì)注意到 Vout 現(xiàn)在噪聲更大。圖片由Francesco Poderico提供

它已經(jīng)看起來好多了。然而，并不像我們之前看到的那么完美。

添加我們在第 3 部分中設(shè)計(jì)的 LISN 和電源線，并將它們放在一起。

電路變成了這樣：

圖 6. 在電路回路和大地之間添加一個(gè) LISN 和一個(gè) 100 pF 寄生電容（參見第 1 部分、第 2 部分、第 3 部分）。圖片由Francesco Poderico提供

輸出電壓變?yōu)椋?/p>

圖 7. Vout 現(xiàn)在開始看起來更嘈雜了。圖片由Francesco Poderico提供

在圖 6 中，您應(yīng)該注意到 SW 引腳和 U1 參考之間有一個(gè) 5pF 電容。我添加了這些電容器來模擬低側(cè) MOS（U1 內(nèi)部）的內(nèi)部 Cd，而 C8 是我們在第 3 部分中研究的寄生電容器（100 pF）。

共模和差模噪聲

現(xiàn)在使用我們在第 3 部分中學(xué)習(xí)的公式測量共模和差模電壓。

VCM = （V1+V2）/2 ［eq. 1］

VDM = （V1-V2）/2。［eq.2］

圖 8.共模噪聲。圖片由 Francesco Poderico 提供

使用 LTSpice，可以可視化任何信號(hào)或組合的 FFT。

由于我們正在尋找以 dBuV 為單位的頻率響應(yīng)，因此等式。1和當(dāng)量。2 需要乘以 1，000，000 倍。因此它們變?yōu)?（V1+V2）*500000 和 （V1-V2）*500000（所以它已經(jīng)在 udBV 中了）。如果我們想象重疊 EN55022 圖，我們已經(jīng)可以說發(fā)射還不錯(cuò)（請(qǐng)注意負(fù)載只有 100 歐姆）。

降低共模噪聲

但是，假設(shè)我們想嘗試降低共模噪聲。我們怎么能做到這一點(diǎn)？

我們可以添加一個(gè) CM 扼流圈，如下所示 （L6）。

圖 9. 添加 CM 扼流圈以改善共模噪聲。圖片由Francesco Poderico提供

讓我們看看現(xiàn)在 CM 噪聲與 DM 噪聲相比是否發(fā)生了變化。

圖 10. 共模噪聲現(xiàn)在低于圖 8。圖片由Francesco Poderico提供

哇，有什么區(qū)別?，F(xiàn)在我們可以看到共模噪聲和差模噪聲之間的顯著分離。插入L6后，差模噪聲并沒有太大變化，但差模噪聲卻有顯著降低。L6 仍然不是我在設(shè)計(jì)中選擇的電感，因?yàn)槲曳噶艘粋€(gè)故意的錯(cuò)誤……你能看到嗎？

作為練習(xí)，將負(fù)載 R2 減小到至少 0.5 A，然后更改 L6、C1 和 C3 以改善發(fā)射。祝您好運(yùn)，我希望您現(xiàn)在擁有一個(gè)強(qiáng)大的工具，讓您 無需猜測而是為適當(dāng)?shù)膽?yīng)用選擇適當(dāng)?shù)慕M件，從而更有信心通過 CE?！　?/p>